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    • 32. 发明专利
    • 記憶體測試裝置 MEMORY TESTING EQUIPMENT
    • 内存测试设备 MEMORY TESTING EQUIPMENT
    • TW200733125A
    • 2007-09-01
    • TW095141888
    • 2006-11-13
    • 橫河電機股份有限公司 YOKOGAWA ELECTRIC CORPORATION
    • 木村隆尋 KIMURA, TAKAHIRO
    • G11C
    • 本發明之目的在於,實現一種設置有複數個失效記憶體,以縮短測試時間的記憶體測試裝置。本發明之裝置包含:判斷部,用以判斷被測試記憶體輸出之合格(pass)或失效(fail);兩個失效記憶體,用以將此判斷部之失效資料交互存放;緩衝記憶體,設置在該每一失效記憶體;傳送部,將從該緩衝記憶體到前次為止的失效資料,與來自失效記憶體的最新失效資料,傳送到與存放最新的失效資料之失效記憶體相對應的緩衝記憶體;以及冗餘運算部,用以根據緩衝記憶體的失效資料進行冗餘運算。
    • 本发明之目的在于,实现一种设置有复数个失效内存,以缩短测试时间的内存测试设备。本发明之设备包含:判断部,用以判断被测试内存输出之合格(pass)或失效(fail);两个失效内存,用以将此判断部之失效数据交互存放;缓冲内存,设置在该每一失效内存;发送部,将从该缓冲内存到前次为止的失效数据,与来自失效内存的最新失效数据,发送到与存放最新的失效数据之失效内存相对应的缓冲内存;以及冗余运算部,用以根据缓冲内存的失效数据进行冗余运算。
    • 34. 发明专利
    • 半導體積體電路及半導體積體電路測試系統 SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT TEST SYSTEM OF THE SAME
    • 半导体集成电路及半导体集成电路测试系统 SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT TEST SYSTEM OF THE SAME
    • TWI279572B
    • 2007-04-21
    • TW094105181
    • 2005-02-22
    • 橫河電機股份有限公司 YOKOGAWA ELECTRIC CORPORATION
    • 木庭知男 KOBA, TOMOO永沼英樹 NAGANUMA, HIDEKI
    • G01R
    • 本發明之目的在於實現容易進行使用電流邏輯信號之試驗之半導體積體電路以及半導體積體電路測試系統。本發明係對具有用以輸出電流邏輯信號之多個信號端腳之半導體積體電路以及半導體積體電路測試系統加以改良者。半導體積體電路係有:用以輸出電流邏輯信號之多個信號端腳;以及試驗時,與I/V變換器電性連接之試驗端腳。從前述多個信號端腳中選擇一個信號端腳,且將前述一個信號端腳連接於前述試驗端腳之選擇部;及輸入用以控制前述選擇部之選擇信號之選擇端腳。此外,該半導體積體電路測試系統係具備:該半導體積體電路;在試驗時,連接於前述半導體積體電路之試驗端腳,且將從前述試驗端腳輸出之電流邏輯信號變換為電壓邏輯信號之 I/V變換器;以及,輸入由前述I/V變換器輸出之電壓邏輯信號之IC測試器(tester)。
    • 本发明之目的在于实现容易进行使用电流逻辑信号之试验之半导体集成电路以及半导体集成电路测试系统。本发明系对具有用以输出电流逻辑信号之多个信号端脚之半导体集成电路以及半导体集成电路测试系统加以改良者。半导体集成电路系有:用以输出电流逻辑信号之多个信号端脚;以及试验时,与I/V变换器电性连接之试验端脚。从前述多个信号端脚中选择一个信号端脚,且将前述一个信号端脚连接于前述试验端脚之选择部;及输入用以控制前述选择部之选择信号之选择端脚。此外,该半导体集成电路测试系统系具备:该半导体集成电路;在试验时,连接于前述半导体集成电路之试验端脚,且将从前述试验端脚输出之电流逻辑信号变换为电压逻辑信号之 I/V变换器;以及,输入由前述I/V变换器输出之电压逻辑信号之IC测试器(tester)。
    • 39. 发明专利
    • 繼電器 RELAY
    • 继电器 RELAY
    • TW200522347A
    • 2005-07-01
    • TW093126311
    • 2004-09-01
    • 橫河電機股份有限公司 YOKOGAWA ELECTRIC CORPORATION
    • 渡邊哲也 WATANABE, TETSUYA野呂誠 NORO, MAKOTO娜洋浦 普磊卜塔戈巴 PUREVDAGVA, NAYANBUU
    • H01L
    • H01H29/28H01H2029/008
    • 一種繼電器,其包括形成於一絕緣件上之一流道、一個或多個形成於流道之一端或兩端的腔室、沿上述流道分佈的多個電極、封閉在上述一個或多個腔室內受熱膨脹遇冷收縮的氣體、形成於上述一個或多個腔室內的加熱或冷卻裝置、以及封閉於上述流道內的導電液。這種設計使上述至少兩個電極之一端與封閉於上述流道內的導電液金屬接觸,而其他電極之一端根據上述加熱冷卻裝置的導通或關斷使上述氣體膨脹或收縮從而與流動在上述流道內的導電液接觸或不接觸。此外,利用微機電系統技術形成流道、電極和腔室以及同時製造多個繼電器晶片以期成本的降低。
    • 一种继电器,其包括形成于一绝缘件上之一流道、一个或多个形成于流道之一端或两端的腔室、沿上述流道分布的多个电极、封闭在上述一个或多个腔室内受热膨胀遇冷收缩的气体、形成于上述一个或多个腔室内的加热或冷却设备、以及封闭于上述流道内的导电液。这种设计使上述至少两个电极之一端与封闭于上述流道内的导电液金属接触,而其他电极之一端根据上述加热冷却设备的导通或关断使上述气体膨胀或收缩从而与流动在上述流道内的导电液接触或不接触。此外,利用微机电系统技术形成流道、电极和腔室以及同时制造多个继电器芯片以期成本的降低。