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    • 37. 发明专利
    • 具有阻劑孔的扇出晶圓級封裝
    • 具有阻剂孔的扇出晶圆级封装
    • TW201842643A
    • 2018-12-01
    • TW107112587
    • 2018-04-12
    • 美商英帆薩斯公司INVENSAS CORPORATION
    • 哈巴 貝爾格森HABA, BELGACEM莫罕默德 伊黎雅斯MOHAMMED, ILYAS卡特卡爾 拉傑許KATKAR, RAJESH
    • H01L23/528H01L21/56H01L23/31
    • 本發明提供具有阻劑孔之扇出晶圓級封裝。在一實施中,實例晶圓級製程或面板製造製程包括:將晶粒黏附至載體,將臨時阻劑層施加於該晶粒及該載體上方,使該阻劑層顯影以形成通道或空間,用模製材料填充該些通道或該些空間,移除剩餘阻劑以在該模製材料中產生孔,及金屬化該模製材料中之該些孔以提供用於微電子封裝的導電孔。所述方法自動地產生良好的孔與襯墊對準。在另一實施中,一實例製程包括:將晶粒黏附至載體,將永久阻劑層施加於該晶粒及該載體上方,使該阻劑層顯影以在該阻劑層中形成孔,及金屬化該永久阻劑層之剩餘阻劑中的該些孔以提供用於該微電子封裝的導電孔。總成可用面向上或面向下的半導體晶粒構建。一或多個重佈層(RDL)可建置於具有阻劑孔之總成的一側或兩側上。
    • 本发明提供具有阻剂孔之扇出晶圆级封装。在一实施中,实例晶圆级制程或皮肤制造制程包括:将晶粒黏附至载体,将临时阻剂层施加于该晶粒及该载体上方,使该阻剂层显影以形成信道或空间,用模制材料填充该些信道或该些空间,移除剩余阻剂以在该模制材料中产生孔,及金属化该模制材料中之该些孔以提供用于微电子封装的导电孔。所述方法自动地产生良好的孔与衬垫对准。在另一实施中,一实例制程包括:将晶粒黏附至载体,将永久阻剂层施加于该晶粒及该载体上方,使该阻剂层显影以在该阻剂层中形成孔,及金属化该永久阻剂层之剩余阻剂中的该些孔以提供用于该微电子封装的导电孔。总成可用面向上或面向下的半导体晶粒构建。一或多个重布层(RDL)可建置于具有阻剂孔之总成的一侧或两侧上。