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31. 发明专利

TW200819997A 於一多模滙流排之多腳位傳輸資料的方法及裝置 METHOD AND APPARATUS FOR COMMUNICATING DATA OVER MULTIPLE PINS OF A MULTI-MODE BUS 审中-公开
简体标题：于一多模汇流排之多脚位传输数据的方法及设备 METHOD AND APPARATUS FOR COMMUNICATING DATA OVER MULTIPLE PINS OF A MULTI-MODE BUS
公开(公告)号：TW200819997A
公开(公告)日：2008-05-01
申请号：TW096119768
申请日：2007-06-01
申请人：旺宏電子股份有限公司 MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：李俊毅 LEE, CHUN YI , 張坤龍 CHANG, KUEN LONG , 洪俊雄 HUNG, CHUN HSIUNG , 郭玉蘭 KUO, YU LAN
IPC分类号： G06F
摘要：本發明係提供許多不同的實施例以增加在一多模滙流排上許多腳位上同一方向進行資料傳輸的傳輸速度。此滙流排具有多重資料傳輸腳位以在此滙流排上傳輸。此滙流排也具有一晶片選擇腳位以指示在該積體電路與另一積體電路之間是否正在進行通訊。此滙流排還具有一時脈腳位。此滙流排亦具有一模式控制電路。在一模式下,兩個資料傳輸腳位係以相反方向在該積體電路與另一積體電路之間進行傳輸。在另一模式下,兩個資料傳輸腳位係以相同方向在該積體電路與另一積體電路之間進行傳輸。在某些實施例中,此滙流排係根據一序列周邊介面標準。在許多實施例中,資料係以自該積體電路傳輸至另一積體電路,或是自另一積體電路傳輸至該積體電路。
简体摘要：本发明系提供许多不同的实施例以增加在一多模汇流排上许多脚位上同一方向进行数据传输的传输速度。此汇流排具有多重数据传输脚位以在此汇流排上载输。此汇流排也具有一芯片选择脚位以指示在该集成电路与另一集成电路之间是否正在进行通信。此汇流排还具有一时脉脚位。此汇流排亦具有一模式控制电路。在一模式下,两个数据传输脚位系以相反方向在该集成电路与另一集成电路之间进行传输。在另一模式下,两个数据传输脚位系以相同方向在该集成电路与另一集成电路之间进行传输。在某些实施例中,此汇流排系根据一串行周边界面标准。在许多实施例中,数据系以自该集成电路传输至另一集成电路,或是自另一集成电路传输至该集成电路。

32. 发明专利

TWI284326B 有著消除寄生二極體開啓電路之負電荷幫浦 NEGATIVE CHARGE-PUMP WITH CIRCUIT TO ELIMINATE PARASITIC DIODE TURN-ON 有权
简体标题：有着消除寄生二极管开启电路之负电荷帮浦 NEGATIVE CHARGE-PUMP WITH CIRCUIT TO ELIMINATE PARASITIC DIODE TURN-ON
公开(公告)号：TWI284326B
公开(公告)日：2007-07-21
申请号：TW094136086
申请日：2005-10-14
申请人：旺宏電子股份有限公司 MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：史毅駿 SHIH, YI CHUN , 洪俊雄 HUNG, CHUN HSIUNG , 張坤龍 CHANG, KUEN LONG , 余傳英 YU, CHUAN YING
IPC分类号： G11C
摘要：一種快閃記憶體之負電荷幫浦電路，其包含一井、一通閘電晶體、一井偏壓電路以及一負電壓回復電路。通閘電晶體具有一源極、一汲極以及一閘極。井偏壓電路控制其井，以維持在零偏壓或反向偏壓。負電壓回復電路係耦接一負回復電壓，且耦接通閘電晶體，當關閉電荷幫浦電路時，得以選擇性提供負回復電壓給通閘電晶體。
简体摘要：一种闪存之负电荷帮浦电路，其包含一井、一通闸晶体管、一井偏压电路以及一负电压回复电路。通闸晶体管具有一源极、一汲极以及一闸极。井偏压电路控制其井，以维持在零偏压或反向偏压。负电压回复电路系耦接一负回复电压，且耦接通闸晶体管，当关闭电荷帮浦电路时，得以选择性提供负回复电压给通闸晶体管。

33. 发明专利

TW200537105A 高速感測電路及其感測方法 CIRCUIT AND METHOD FOR HIGH SPEED SENSING 审中-公开
简体标题：高速传感电路及其传感方法 CIRCUIT AND METHOD FOR HIGH SPEED SENSING
公开(公告)号：TW200537105A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：TW093112365
申请日：2004-05-03
申请人：旺宏電子股份有限公司 MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：洪俊雄 HUNG, CHUN HSIUNG , 羅思覺 LO, SU CHUEH , 黃守偉 HUANG, SHOU WEI
IPC分类号： G01R
摘要：本發明是關於測定第一信號(比如從記憶胞之源側產生的信號)和第二信號(比如從參考參考仿真單元中產生的信號)之間差值的一種電路和方法，包括回應第一、第二信號分別產生第一、第二電壓，測定回應於第二信號而產生的第二電壓達到高於閂鎖切換點的閾值的時間，並且在此時序使用閂鎖電路閂鎖第一電壓和第二電壓的狀態。設置高於閂鎖切換點的閾值，以便在閂鎖前消除閂鎖電路中元件間的元件不匹配。
简体摘要：本发明是关于测定第一信号(比如从记忆胞之源侧产生的信号)和第二信号(比如从参考参考仿真单元中产生的信号)之间差值的一种电路和方法，包括回应第一、第二信号分别产生第一、第二电压，测定回应于第二信号而产生的第二电压达到高于闩锁切换点的阈值的时间，并且在此时序使用闩锁电路闩锁第一电压和第二电压的状态。设置高于闩锁切换点的阈值，以便在闩锁前消除闩锁电路中组件间的组件不匹配。

34. 发明专利

TW200939232A 編程方法及應用其之記憶體裝置 PROGRAMMING METHOD AND MEMORY DEVICE USING THE SAME 审中-公开
简体标题：编程方法及应用其之内存设备 PROGRAMMING METHOD AND MEMORY DEVICE USING THE SAME
公开(公告)号：TW200939232A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：TW097138947
申请日：2008-10-09
申请人：旺宏電子股份有限公司 MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：洪俊雄 HUNG, CHUN HSIUNG , 何信義 HO, HSIN YI
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C16/3404 , G11C16/3454
摘要：一種編程方法,應用於一記憶體,記憶體具有多個記憶胞(memory cell)。此方法包括下列步驟。回應於一第一編程指令,以對此些記憶胞之其中之一目標記憶胞進行編程。回應於一第二編程指令,以對此目標記憶胞進行編程。
简体摘要：一种编程方法,应用于一内存,内存具有多个记忆胞(memory cell)。此方法包括下列步骤。回应于一第一编程指令,以对此些记忆胞之其中之一目标记忆胞进行编程。回应于一第二编程指令,以对此目标记忆胞进行编程。

35. 发明专利

TW200912933A 應用於源極端感應記憶體之偏壓及遮蔽電路 BIASING AND SHIELDING CIRCUIT FOR SOURCE SIDE SENSING MEMORY 审中-公开
简体标题：应用于源极端感应内存之偏压及屏蔽电路 BIASING AND SHIELDING CIRCUIT FOR SOURCE SIDE SENSING MEMORY
公开(公告)号：TW200912933A
公开(公告)日：2009-03-16
申请号：TW096134582
申请日：2007-09-14
申请人：旺宏電子股份有限公司 MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：陳重光 CHEN, CHUNG KUANG , 洪俊雄 HUNG, CHUN HSIUNG , 施義德 SHIH, YI TE
IPC分类号： G11C
摘要：一偏壓及遮蔽(Shielding)電路,用以避免目標記憶胞之感測電流受到第一相鄰記憶胞之源極電流之影響。偏壓及遮蔽電路包括預放電裝置、第一及第二偏壓單元、第一及第二電壓拉低單元及連接單元。預放電裝置用以設定感測節點之電壓至負電壓。第一及第二偏壓單元用以分別偏壓目標記憶胞與第一相鄰記憶胞之源極電壓至偏壓電壓。第一及第二電壓拉低單元用以分別拉低目標記憶胞及第一相鄰記憶胞之源極電壓至接近接地位準。連接單元用以接收並輸出流經第一感測單元之感測電流至感測節點。
简体摘要：一偏压及屏蔽(Shielding)电路,用以避免目标记忆胞之传感电流受到第一相邻记忆胞之源极电流之影响。偏压及屏蔽电路包括预放电设备、第一及第二偏压单元、第一及第二电压拉低单元及连接单元。预放电设备用以设置传感节点之电压至负电压。第一及第二偏压单元用以分别偏压目标记忆胞与第一相邻记忆胞之源极电压至偏压电压。第一及第二电压拉低单元用以分别拉低目标记忆胞及第一相邻记忆胞之源极电压至接近接地位准。连接单元用以接收并输出流经第一传感单元之传感电流至传感节点。

36. 发明专利

TW200910742A 多級電荷泵電路 MULTIPLE-STAGE CHARGE PUMP CIRCUIT WITH CHARGE RECYCLE CIRCUIT 审中-公开
简体标题：多级电荷泵电路 MULTIPLE-STAGE CHARGE PUMP CIRCUIT WITH CHARGE RECYCLE CIRCUIT
公开(公告)号：TW200910742A
公开(公告)日：2009-03-01
申请号：TW096131589
申请日：2007-08-24
申请人：旺宏電子股份有限公司 MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：陳重光 CHEN, CHUNG KUANG , 洪俊雄 HUNG, CHUN HSIUNG , 施義德 SHIH, YI TE
IPC分类号： H02M , G05F
摘要：一種多級電荷泵電路,包括第一、第二泵電容、電荷回收電路、第一級與第二級傳輸電路。電荷回收電路包括第一、第二驅動電路及開關電路,其於第一時序週期中關閉使節點浮接、耦接第一及第二泵電容之第一端至節點。於第二及第三時序週期中開關電路、第一及第二驅動電路分別用以提供特定電壓至節點,以控制第一及第二泵電容之第一端的電壓。第一級與第二級傳輸電路分別於第二時序週期中提供高電壓至第一泵電容之第二端,並於第三時序週期中提供第一泵電容之第二端之電壓至第二泵電容之第二端。
简体摘要：一种多级电荷泵电路,包括第一、第二泵电容、电荷回收电路、第一级与第二级传输电路。电荷回收电路包括第一、第二驱动电路及开关电路,其于第一时序周期中关闭使节点浮接、耦接第一及第二泵电容之第一端至节点。于第二及第三时序周期中开关电路、第一及第二驱动电路分别用以提供特定电压至节点,以控制第一及第二泵电容之第一端的电压。第一级与第二级传输电路分别于第二时序周期中提供高电压至第一泵电容之第二端,并于第三时序周期中提供第一泵电容之第二端之电压至第二泵电容之第二端。

37. 发明专利

TW200910361A 偵測記憶體元件中字元線漏電的裝置及方法 APPARATUS AND METHOD FOR DETECTING WORD LINE LEAKAGE IN MEMORY DEVICES 审中-公开
简体标题：侦测内存组件中字符线漏电的设备及方法 APPARATUS AND METHOD FOR DETECTING WORD LINE LEAKAGE IN MEMORY DEVICES
公开(公告)号：TW200910361A
公开(公告)日：2009-03-01
申请号：TW096132334
申请日：2007-08-30
申请人：旺宏電子股份有限公司 MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：陳漢松 CHEN, HAN SUNG , 羅思覺 LO, SU CHUEH , 洪俊雄 HUNG, CHUN HSIUNG , 郭乃萍 KUO, NAI PING , 謝明志 HSIEH, MING CHIH , 蔡文彬 TSAI, WEN PIN
IPC分类号： G11C
摘要：一種偵測記憶體元件中字元線漏電的方法,其包括耦接記憶體元件中多條第一字元線至一電壓源,並將多條第二字元線接地,其中各條第二字元線係毗鄰於此些第一字元線。此方法包括等待一預定時間,使此些第一字元線得以達到預定讀取電壓位準,再將此些第一字元線與電壓源分離,並等待一第二預定時間,使此些第一字元線得以放電。此方法更包括偵測對應此些第一字元線之記憶體元件電流,並將此電流與一預定參考電流進行比較,此預定參考電流是用來鑑別對應此些第一字元線之漏電狀態。
简体摘要：一种侦测内存组件中字符线漏电的方法,其包括耦接内存组件中多条第一字符线至一电压源,并将多条第二字符线接地,其中各条第二字符线系毗邻于此些第一字符线。此方法包括等待一预定时间,使此些第一字符线得以达到预定读取电压位准,再将此些第一字符线与电压源分离,并等待一第二预定时间,使此些第一字符线得以放电。此方法更包括侦测对应此些第一字符线之内存组件电流,并将此电流与一预定参考电流进行比较,此预定参考电流是用来鉴别对应此些第一字符线之漏电状态。

38. 发明专利

TW200910354A 虛擬接地陣列記憶體及其程式化方法 VIRTUAL GROUND ARRAY MEMORY AND PROGRAMMING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：虚拟接地数组内存及其进程化方法 VIRTUAL GROUND ARRAY MEMORY AND PROGRAMMING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200910354A
公开(公告)日：2009-03-01
申请号：TW096146169
申请日：2007-12-04
申请人：旺宏電子股份有限公司 MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：張欽鴻 CHANG, CHIN HUNG , 何文喬 HO, WEN CHIAO , 張坤龍 CHANG, KUEN LONG , 洪俊雄 HUNG, CHUN HSIUNG
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C16/3418 , G11C16/0491
摘要：一種虛擬接地陣列記憶體程式化方法,虛擬接地陣列記憶體包括一第一單元及一第二單元,第二單元係相鄰於第一單元。此方法包括,首先,選擇第一單元為一目標單元,其中第二單元係已被程式化而具有一資料。接著,讀取第二單元,並將資料記錄於一暫存器。然後,程式化目標單元。接著,對第二單元進行程式化驗證的操作。之後,當第二單元程式化驗證失敗,將記錄於暫存器之資料寫回第二單元。
简体摘要：一种虚拟接地数组内存进程化方法,虚拟接地数组内存包括一第一单元及一第二单元,第二单元系相邻于第一单元。此方法包括,首先,选择第一单元为一目标单元,其中第二单元系已被进程化而具有一数据。接着,读取第二单元,并将数据记录于一寄存器。然后,进程化目标单元。接着,对第二单元进行进程化验证的操作。之后,当第二单元进程化验证失败,将记录于寄存器之数据写回第二单元。

39. 发明专利

TW200910349A 電荷再回收方法及驅動電路及其低功率記憶體 CHARGE RECYCLING METHOD AND DRIVING CIRCUIT AND LOW POWER MEMORY USING THE SAME 审中-公开
简体标题：电荷再回收方法及驱动电路及其低功率内存 CHARGE RECYCLING METHOD AND DRIVING CIRCUIT AND LOW POWER MEMORY USING THE SAME
公开(公告)号：TW200910349A
公开(公告)日：2009-03-01
申请号：TW096131588
申请日：2007-08-24
申请人：旺宏電子股份有限公司 MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：陳重光 CHEN, CHUNG KUANG , 洪俊雄 HUNG, CHUN HSIUNG
IPC分类号： G11C
摘要：一種驅動電路,包括第一開關、第一驅動器以及第二驅動器。第一開關之第一端係耦接至一第一電壓。第一驅動器包括第二開關及第三開關。第二開關之第一端係耦接至第一開關之第二端,第二端係耦接至一第一電容。第三開關之第一端係耦接至第二開關之第二端,第二端係耦接至一第二電壓。第二驅動器包括第四開關及第五開關。第四開關之第一端係耦接至第一開關之第二端,第二端係耦接至一第二電容。第五開關之第一端係耦接至第四開關之第二端,第二端係耦接至第二電壓。
简体摘要：一种驱动电路,包括第一开关、第一驱动器以及第二驱动器。第一开关之第一端系耦接至一第一电压。第一驱动器包括第二开关及第三开关。第二开关之第一端系耦接至第一开关之第二端,第二端系耦接至一第一电容。第三开关之第一端系耦接至第二开关之第二端,第二端系耦接至一第二电压。第二驱动器包括第四开关及第五开关。第四开关之第一端系耦接至第一开关之第二端,第二端系耦接至一第二电容。第五开关之第一端系耦接至第四开关之第二端,第二端系耦接至第二电压。

40. 发明专利

TW200834592A 增進抹除程序之非揮發性記憶體 NON-VOLATILE MEMORY WITH IMPROVED ERASING OPERATION 审中-公开
简体标题：增进抹除进程之非挥发性内存 NON-VOLATILE MEMORY WITH IMPROVED ERASING OPERATION
公开(公告)号：TW200834592A
公开(公告)日：2008-08-16
申请号：TW096104897
申请日：2007-02-09
申请人：旺宏電子股份有限公司 MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：何文喬 HO, WEN CHIAO , 張欽鴻 CHANG, CHIN HUNG , 張坤龍 CHANG, KUEN LONG , 洪俊雄 HUNG, CHUN HSIUNG
IPC分类号： G11C
摘要：一種進行抹除操作的方法,適用於具有多個記憶胞之非揮發性記憶元件。此方法是將至少一個在程式化之前在一抹除階段具有在一第一區之臨界電壓位準之記憶胞程式化,該記憶胞在程式化之後具有在一第二區之臨界電壓位準,其中該第二區之臨界電壓高於該第一區之臨界電壓。抹除操作,是進行記憶胞位元的程式化,使負電荷載子或電子注入於記憶胞,替代傳統將熱電洞注入記憶胞之方式。此方法可以避免熱電洞注入造成的室溫漂移以及電荷損失。
简体摘要：一种进行抹除操作的方法,适用于具有多个记忆胞之非挥发性记忆组件。此方法是将至少一个在进程化之前在一抹除阶段具有在一第一区之临界电压位准之记忆胞进程化,该记忆胞在进程化之后具有在一第二区之临界电压位准,其中该第二区之临界电压高于该第一区之临界电压。抹除操作,是进行记忆胞比特的进程化,使负电荷载子或电子注入于记忆胞,替代传统将热电洞注入记忆胞之方式。此方法可以避免热电洞注入造成的室温漂移以及电荷损失。

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