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31. 发明专利

TW201411746A 於扇出晶圓級封裝形成當作垂直互連之導線柱的半導體裝置及方法审中-公开
简体标题：于扇出晶圆级封装形成当作垂直互连之导线柱的半导体设备及方法
公开(公告)号：TW201411746A
公开(公告)日：2014-03-16
申请号：TW102122681
申请日：2013-06-26
申请人：史達晶片有限公司 , STATS CHIPPAC, LTD.
发明人：瑪莉姆蘇潘迪C , MARIMUTHU, PANDI C. , 阿爾瓦雷斯希拉瑪麗 L , ALVAREZ, SHEILA MARIE L. , 林耀劍 , LIN, YAOJIAN , 卡普拉斯瓊斯A , CAPARAS, JOSE A. , 陳嚴謹 , TAN, YANG KERN JONATHAN
IPC分类号： H01L21/58 , H01L23/48
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/2633 , H01L21/311 , H01L21/486 , H01L21/56 , H01L21/563 , H01L21/568 , H01L23/3128 , H01L23/49805 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/5389 , H01L24/02 , H01L24/13 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/24 , H01L24/32 , H01L24/82 , H01L25/105 , H01L2224/02311 , H01L2224/02379 , H01L2224/0558 , H01L2224/11849 , H01L2224/11901 , H01L2224/12105 , H01L2224/13024 , H01L2224/1308 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/24227 , H01L2224/25171 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/49174 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/82039 , H01L2224/821 , H01L2224/94 , H01L2225/0652 , H01L2225/06548 , H01L2225/06555 , H01L2225/06562 , H01L2225/1023 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2225/1082 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15174 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/1811 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/0665 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2224/03
摘要：半導體裝置具有基板和配置於基板之第一表面上的半導體晶粒。導線柱附接於基板的第一表面。導線柱包括基底部分和柄部分。接合墊形成於基板的第二表面上。包封物沉積於基板、半導體晶粒、導線柱上。部分的包封物是以雷射直接燒蝕(LDA)而移除以暴露導線柱。部分的包封物是以LDA而移除以暴露基板。互連結構形成於包封物上並且電連接到導線柱和半導體晶粒。凸塊形成於互連結構上。半導體封裝配置於包封物上並且電連接到基板。離散半導體裝置配置於包封物上並且電連接到基板。
简体摘要：半导体设备具有基板和配置于基板之第一表面上的半导体晶粒。导线柱附接于基板的第一表面。导线柱包括基底部分和柄部分。接合垫形成于基板的第二表面上。包封物沉积于基板、半导体晶粒、导线柱上。部分的包封物是以激光直接烧蚀(LDA)而移除以暴露导线柱。部分的包封物是以LDA而移除以暴露基板。互链接构形成于包封物上并且电连接到导线柱和半导体晶粒。凸块形成于互链接构上。半导体封装配置于包封物上并且电连接到基板。离散半导体设备配置于包封物上并且电连接到基板。

32. 发明专利

TW201340224A 形成微通孔部份地穿過在凸塊互連傳導層上之絕緣材料以用於應力緩和之半導體裝置和方法审中-公开
简体标题：形成微通孔部份地穿过在凸块互连传导层上之绝缘材料以用于应力缓和之半导体设备和方法
公开(公告)号：TW201340224A
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW101149225
申请日：2012-12-22
申请人：史達晶片有限公司 , STATS CHIPPAC, LTD.
发明人：林耀劍 , LIN, YAOJIAN , 陳康 , CHEN, KANG
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/52
CPC分类号： H01L23/562 , H01L21/561 , H01L23/3157 , H01L23/5226 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L2224/02125 , H01L2224/02165 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/0346 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/05552 , H01L2224/05557 , H01L2224/05559 , H01L2224/05567 , H01L2224/05611 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/10126 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/1145 , H01L2224/1146 , H01L2224/11849 , H01L2224/11901 , H01L2224/13022 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01082 , H01L2924/014
摘要：一種半導體裝置，其具有半導體晶粒和形成於該半導體晶粒上之第一絕緣層。複數個第一微通孔可被形成於該第一絕緣層中。一傳導層係被形成於該第一微開口中並且在該第一絕緣層上。一第二絕緣層係被形成於該第一絕緣層和傳導層上。該第二絕緣層之一部份係被移除以曝露該傳導層並且形成複數個第二微開口於在該傳導層上之該第二絕緣層中。該第二微開口可為微通孔、微通孔環或是微通孔狹縫。移除該第二絕緣層之該部分留下一島狀物的該第二絕緣層於該傳導層上。一凸塊係被形成於該傳導層上。一第三絕緣層係被形成於在該凸塊上之該等第二微開口中。該等第二微開口提供應力緩和。
简体摘要：一种半导体设备，其具有半导体晶粒和形成于该半导体晶粒上之第一绝缘层。复数个第一微通孔可被形成于该第一绝缘层中。一传导层系被形成于该第一微开口中并且在该第一绝缘层上。一第二绝缘层系被形成于该第一绝缘层和传导层上。该第二绝缘层之一部份系被移除以曝露该传导层并且形成复数个第二微开口于在该传导层上之该第二绝缘层中。该第二微开口可为微通孔、微通孔环或是微通孔狭缝。移除该第二绝缘层之该部分留下一岛状物的该第二绝缘层于该传导层上。一凸块系被形成于该传导层上。一第三绝缘层系被形成于在该凸块上之该等第二微开口中。该等第二微开口提供应力缓和。

33. 发明专利

TW201838131A 半導體裝置和在埋藏晶圓級晶片尺寸封裝中沿半導體晶粒之側邊和表面邊緣沉積囊封劑的方法审中-公开
简体标题：半导体设备和在埋藏晶圆级芯片尺寸封装中沿半导体晶粒之侧边和表面边缘沉积囊封剂的方法
公开(公告)号：TW201838131A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：TW107122625
申请日：2013-07-16
申请人：新加坡商史達晶片有限公司 , STATS CHIPPAC, LTD.
发明人：林耀劍 , LIN, YAOJIAN , 華茲海茲彼得 , WIRTZ, HEINZ-PETER , 尹勝煜 , YOON, SEUNG WOOK , 瑪莉姆蘇潘迪C , MARIMUTHU, PANDI C.
IPC分类号： H01L23/528 , H01L23/28
摘要：一種半導體裝置係具有一包含複數個半導體晶粒的半導體晶圓。一絕緣層係形成在該半導體晶圓之上。該絕緣層的一部分係藉由雷射直接剝蝕(LDA)來加以移除，以露出該半導體晶粒的一主動表面的一部分。一第一導電層係形成在該半導體晶粒的該主動表面上的一接觸墊之上。該半導體晶圓係被單粒化以分開該半導體晶粒。該半導體晶粒係被設置在一載體之上，其中該半導體晶粒的該主動表面係從該載體加以偏置。一種囊封劑係沉積在該半導體晶粒及載體之上，以覆蓋該半導體晶粒的一側邊以及該主動表面的該露出的部分。一互連結構係形成在該第一導電層之上。或者是，一模製底膠填充(MUF)材料係沉積在該半導體晶粒的一側邊以及該主動表面的該露出的部分之上。
简体摘要：一种半导体设备系具有一包含复数个半导体晶粒的半导体晶圆。一绝缘层系形成在该半导体晶圆之上。该绝缘层的一部分系借由激光直接剥蚀(LDA)来加以移除，以露出该半导体晶粒的一主动表面的一部分。一第一导电层系形成在该半导体晶粒的该主动表面上的一接触垫之上。该半导体晶圆系被单粒化以分开该半导体晶粒。该半导体晶粒系被设置在一载体之上，其中该半导体晶粒的该主动表面系从该载体加以偏置。一种囊封剂系沉积在该半导体晶粒及载体之上，以覆盖该半导体晶粒的一侧边以及该主动表面的该露出的部分。一互链接构系形成在该第一导电层之上。或者是，一模制底胶填充(MUF)材料系沉积在该半导体晶粒的一侧边以及该主动表面的该露出的部分之上。

34. 发明专利

TWI623987B 形成微通孔部份地穿過在凸塊互連傳導層上之絕緣材料以用於應力緩和之半導體裝置和方法有权
简体标题：形成微通孔部份地穿过在凸块互连传导层上之绝缘材料以用于应力缓和之半导体设备和方法
公开(公告)号：TWI623987B
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：TW101149225
申请日：2012-12-22
申请人：史達晶片有限公司 , STATS CHIPPAC, LTD.
发明人：林耀劍 , LIN, YAOJIAN , 陳康 , CHEN, KANG
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/52

35. 发明专利

TWI620282B 使用標準化載體以形成嵌入式晶圓級晶片尺寸封裝的半導體裝置及方法有权
简体标题：使用标准化载体以形成嵌入式晶圆级芯片尺寸封装的半导体设备及方法
公开(公告)号：TWI620282B
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW102139930
申请日：2013-11-04
申请人：史達晶片有限公司 , STATS CHIPPAC, LTD.
发明人：韓丙濬 , HAN, BYUNG JOON , 沈一權 , SHIM, IL KWON , 林耀劍 , LIN, YAOJIAN , 瑪莉姆蘇潘迪C , MARIMUTHU, PANDI C.
IPC分类号： H01L23/28 , H01L21/56
CPC分类号： H01L24/96 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/78 , H01L23/3114 , H01L24/19 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L2224/02166 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05572 , H01L2224/12105 , H01L2224/13022 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2224/05552 , H01L2224/03

37. 发明专利

TW201804573A 形成低輪廓的嵌入式晶圓級球柵陣列模製的雷射封裝之半導體裝置及方法审中-公开
简体标题：形成低轮廓的嵌入式晶圆级球栅数组模制的激光封装之半导体设备及方法
公开(公告)号：TW201804573A
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW106135932
申请日：2013-02-26
申请人：史達晶片有限公司 , STATS CHIPPAC, LTD.
发明人：尹承昱 , YOON, SEUNG WOOK , 卡普拉斯瓊斯A , CAPARAS, JOSE A. , 林耀劍 , LIN, YAOJIAN , 瑪莉姆蘇潘迪C , MARIMUTHU, PANDI C.
IPC分类号： H01L23/02 , H01L23/28
CPC分类号： H01L23/49827 , H01L21/311 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/76804 , H01L23/3128 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49838 , H01L24/19 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/105 , H01L2224/12105 , H01L2224/97 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2224/19 , H01L2924/00012
摘要：本發明提供一種具有半導體晶粒的半導體裝置，一囊封劑會被沉積在該半導體晶粒上方和周圍。一互連結構會被形成在該囊封劑的第一表面上方。一開口會從該囊封劑之第二表面至該囊封劑之第一表面被形成，以便露出該互連結構的表面。一凸塊會被形成，其凹陷在該開口裡面並且被設置在該互連結構的表面上方。本發明提供一種半導體封裝。該半導體封裝設置在該囊封劑之第二表面上方並且電連接至該凸塊。複數個互連結構會被形成在該半導體封裝上方，用以將該半導體封裝電連接至該凸塊。該半導體封裝包含一記憶體裝置。該半導體封裝的高度小於1毫米。該開口包含由雷射直接燒蝕所形成的漸細側壁。
简体摘要：本发明提供一种具有半导体晶粒的半导体设备，一囊封剂会被沉积在该半导体晶粒上方和周围。一互链接构会被形成在该囊封剂的第一表面上方。一开口会从该囊封剂之第二表面至该囊封剂之第一表面被形成，以便露出该互链接构的表面。一凸块会被形成，其凹陷在该开口里面并且被设置在该互链接构的表面上方。本发明提供一种半导体封装。该半导体封装设置在该囊封剂之第二表面上方并且电连接至该凸块。复数个互链接构会被形成在该半导体封装上方，用以将该半导体封装电连接至该凸块。该半导体封装包含一内存设备。该半导体封装的高度小于1毫米。该开口包含由激光直接烧蚀所形成的渐细侧壁。

40. 发明专利

TWI553811B 在具有不同熱膨脹係數的絕緣層之半導體晶粒上方形成具有組合互連結構的半導體封裝之半導體裝置及方法有权
简体标题：在具有不同热膨胀系数的绝缘层之半导体晶粒上方形成具有组合互链接构的半导体封装之半导体设备及方法
公开(公告)号：TWI553811B
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：TW101101693
申请日：2012-01-17
申请人：史達晶片有限公司 , STATS CHIPPAC, LTD.
发明人：林耀劍 , LIN, YAOJIAN , 陳康 , CHEN, KANG , 谷優 , GU, YU , 孟威 , MENG, WEI , 王芝香 , ONG, CHEE SIANG
IPC分类号： H01L23/52 , H01L23/28
CPC分类号： H01L23/562 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L23/29 , H01L23/3107 , H01L23/3121 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/96 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2924/01029 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/3511 , H01L2924/00

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