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31. 发明专利

TWI604537B 半導體封裝體及其製造方法有权
简体标题：半导体封装体及其制造方法
公开(公告)号：TWI604537B
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW105140491
申请日：2016-12-07
申请人：南亞科技股份有限公司 , NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：林柏均 , LIN, POCHUN
IPC分类号： H01L21/54 , H01L21/56 , H01L23/24 , H01L23/31
CPC分类号： H01L23/18 , H01L21/4853 , H01L21/565 , H01L23/3114 , H01L24/48 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/48225 , H01L2225/0651

32. 发明专利

TWI593085B 一種具有傾斜貫穿矽通道的晶片封裝及其製備方法有权
简体标题：一种具有倾斜贯穿硅信道的芯片封装及其制备方法
公开(公告)号：TWI593085B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：TW105111193
申请日：2016-04-11
申请人：南亞科技股份有限公司 , NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：林柏均 , LIN, PO CHUN
IPC分类号： H01L27/105 , H01L23/538 , H01L21/52 , H01L21/60
CPC分类号： H01L23/481 , H01L21/76816 , H01L21/76897 , H01L21/76898 , H01L23/49827 , H01L25/0657 , H01L2224/16145 , H01L2224/73204 , H01L2225/06544 , H01L2225/06548 , H01L2924/15311

33. 发明专利

TW201517235A 積體電路裝置审中-公开
简体标题：集成电路设备
公开(公告)号：TW201517235A
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW103101175
申请日：2014-01-13
申请人：南亞科技股份有限公司 , NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：林柏均 , LIN, POCHUN
IPC分类号： H01L23/522 , H01L23/535
CPC分类号： H01L23/481 , H01L21/76898 , H01L23/49827 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種積體電路裝置包含基板、至少一電晶體、至少一金屬層、導電柱與連接結構。基板具有至少一貫穿孔貫穿其中。電晶體至少部份置於基板中。金屬層置於基板上。導電柱置於貫穿孔中。連接結構至少部份置於貫穿孔中，且連接導電柱與金屬層。連接結構至少具有第一部份。第一部份之材質為應力消除材料。應力消除材料之熱膨脹係數小於導電柱之熱膨脹係數，且電晶體於貫穿孔之正投影與連接結構部份重疊。
简体摘要：一种集成电路设备包含基板、至少一晶体管、至少一金属层、导电柱与连接结构。基板具有至少一贯穿孔贯穿其中。晶体管至少部份置于基板中。金属层置于基板上。导电柱置于贯穿孔中。连接结构至少部份置于贯穿孔中，且连接导电柱与金属层。连接结构至少具有第一部份。第一部份之材质为应力消除材料。应力消除材料之热膨胀系数小于导电柱之热膨胀系数，且晶体管于贯穿孔之正投影与连接结构部份重叠。

34. 发明专利

TWI652795B 半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI652795B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：TW106106180
申请日：2017-02-23
申请人：南亞科技股份有限公司 , NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：林柏均 , LIN, PO-CHUN , 朱金龍 , CHU, CHIN-LUNG
IPC分类号： H01L25/065

35. 发明专利

TWI652783B 半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI652783B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：TW105133110
申请日：2016-10-13
申请人：南亞科技股份有限公司 , NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：林柏均 , LIN, PO CHUN
IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/28

36. 发明专利

TWI644411B 半導體堆疊結構有权
简体标题：半导体堆栈结构
公开(公告)号：TWI644411B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：TW106118433
申请日：2017-06-03
申请人：南亞科技股份有限公司 , NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：林柏均 , LIN, POCHUN , 朱金龍 , CHU, CHINLUNG
IPC分类号： H01L23/538

37. 发明专利

TWI644371B 半導體封裝與其製造方法有权
简体标题：半导体封装与其制造方法
公开(公告)号：TWI644371B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：TW105141264
申请日：2016-12-13
申请人：南亞科技股份有限公司 , NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：林柏均 , LIN, POCHUN
IPC分类号： H01L21/58 , H01L23/06

38. 发明专利

TW201839948A 半導體堆疊結構审中-公开
简体标题：半导体堆栈结构
公开(公告)号：TW201839948A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW106118433
申请日：2017-06-03
申请人：南亞科技股份有限公司 , NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：林柏均 , LIN, POCHUN , 朱金龍 , CHU, CHINLUNG
IPC分类号： H01L23/538
摘要：一種半導體堆疊結構包含基板、第一電子元件、第一斜坡件以及第一重分布層。基板具有支持面，其中基板包含第一接墊，第一接墊設置於支持面上。第一電子元件設置於支持面上且具有第一底面、第一頂面以及連接第一底面與第一頂面的第一側面，其中第一電子元件包含第二接墊，第二接墊設置於第一頂面上。第一斜坡件設置於支持面與第一側面上且具有第一斜面。第一重分布層設置於支持面、第一頂面以及第一斜面上且電性連接第一接墊與第二接墊。
简体摘要：一种半导体堆栈结构包含基板、第一电子组件、第一斜坡件以及第一重分布层。基板具有支持面，其中基板包含第一接垫，第一接垫设置于支持面上。第一电子组件设置于支持面上且具有第一底面、第一顶面以及连接第一底面与第一顶面的第一侧面，其中第一电子组件包含第二接垫，第二接垫设置于第一顶面上。第一斜坡件设置于支持面与第一侧面上且具有第一斜面。第一重分布层设置于支持面、第一顶面以及第一斜面上且电性连接第一接垫与第二接垫。

39. 发明专利

TWI635594B 半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI635594B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：TW106130435
申请日：2017-09-06
申请人：南亞科技股份有限公司 , NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：林柏均 , LIN, PO-CHUN , 朱金龍 , CHU, CHIN-LUNG
IPC分类号： H01L23/522 , H01L23/488

40. 发明专利

TWI635584B 半導體封裝與其製造方法有权
简体标题：半导体封装与其制造方法
公开(公告)号：TWI635584B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：TW105135369
申请日：2016-11-01
申请人：南亞科技股份有限公司 , NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：林柏均 , LIN, POCHUN
IPC分类号： H01L23/16 , H01L21/54

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