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31. 发明专利

TW200820433A 溝渠式電容器結構之製備方法 METHOD FOR PREPARING A TRENCH CAPACITOR STRUCTURE 审中-公开
简体标题：沟渠式电容器结构之制备方法 METHOD FOR PREPARING A TRENCH CAPACITOR STRUCTURE
公开(公告)号：TW200820433A
公开(公告)日：2008-05-01
申请号：TW095138935
申请日：2006-10-23
申请人：茂德科技股份有限公司 PROMOS TECHNOLOGIES INC.
发明人：李情 LEE, CHING , 李錦文 LEE, CHIN WEN , 洪金龍 HUNG, CHIN LONG , 陳政成 CHEN, ZHENG CHENG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/66181
摘要：本發明之溝渠式電容器結構之製備方法首先形成至少一溝渠於一基板中,再形成一電容器於該溝渠之下部,其中該電容器包含一設置於該溝渠之下部外緣的埋入式下電極、一覆蓋該溝渠內壁之第一介電層以及一填滿該溝渠下部之上電極。其次,形成一環狀絕緣層於該溝渠上部內壁,再形成一第一導電區塊於該環狀絕緣層之中。之後,形成一包含摻質之第二導電區塊於該第一導電區塊之上,再進行一熱處理製程以將該第二導電區塊之摻質擴散至該溝渠上部外緣之半導體基板內而形成一埋入式導電區。
简体摘要：本发明之沟渠式电容器结构之制备方法首先形成至少一沟渠于一基板中,再形成一电容器于该沟渠之下部,其中该电容器包含一设置于该沟渠之下部外缘的埋入式下电极、一覆盖该沟渠内壁之第一介电层以及一填满该沟渠下部之上电极。其次,形成一环状绝缘层于该沟渠上部内壁,再形成一第一导电区块于该环状绝缘层之中。之后,形成一包含掺质之第二导电区块于该第一导电区块之上,再进行一热处理制程以将该第二导电区块之掺质扩散至该沟渠上部外缘之半导体基板内而形成一埋入式导电区。

32. 发明专利

TW200820424A 含鰭狀結構閘極通道之半導體元件及其製造方法與應用 SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING FIN STRUCTURE GATE CHANNEL AND ITS MANUFACTURING METHOD AND USE 审中-公开
简体标题：含鳍状结构闸极信道之半导体组件及其制造方法与应用 SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING FIN STRUCTURE GATE CHANNEL AND ITS MANUFACTURING METHOD AND USE
公开(公告)号：TW200820424A
公开(公告)日：2008-05-01
申请号：TW095139328
申请日：2006-10-25
申请人：茂德科技股份有限公司 PROMOS TECHNOLOGIES INC.
发明人：吳孝哲 WU, HSIAO CHE
IPC分类号： H01L
摘要：一種具鰭狀結構閘極通道之半導體元件及其製造方法,該半導體元件包含一矽基材、一深溝渠電容器、以及一電晶體。其中,該深溝渠電容器係位於該基材中,該電晶體包含一源極、汲極以及至少一鰭狀結構閘極通道,該鰭狀結構閘極通道連接該源極及汲極,且位於該深溝渠電容器上方。
简体摘要：一种具鳍状结构闸极信道之半导体组件及其制造方法,该半导体组件包含一硅基材、一深沟渠电容器、以及一晶体管。其中,该深沟渠电容器系位于该基材中,该晶体管包含一源极、汲极以及至少一鳍状结构闸极信道,该鳍状结构闸极信道连接该源极及汲极,且位于该深沟渠电容器上方。

33. 发明专利

TW200820343A 閘氧化層之製備方法 METHOD FOR PREPARING GATE OXIDE LAYER 审中-公开
简体标题：闸氧化层之制备方法 METHOD FOR PREPARING GATE OXIDE LAYER
公开(公告)号：TW200820343A
公开(公告)日：2008-05-01
申请号：TW095139293
申请日：2006-10-25
申请人：茂德科技股份有限公司 PROMOS TECHNOLOGIES INC.
发明人：賴素貞 LAI, SU CHEN , 吳政德 WU, ANDY
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76237 , H01L21/823462 , H01L21/823481
摘要：本發明之閘氧化層的製備方法首先形成一具有至少一開口之遮罩層於一半導體基板之上,再形成一溝渠於該開口下方之半導體基板中,其中該溝渠環繞一主動區域。其次,擴大該開口之寬度以局部曝露該溝渠側邊之半導體基板(即主動區域邊緣),再進行一摻雜製程以將一含氮摻質植入該開口下方之半導體基板中。之後,將該遮罩層去除以曝露該主動區域之半導體基板,再進行一熱處理製程以形成一閘氧化層於該主動區域之半導體基板的上表面。該含氮摻質可抑制該半導體基板之熱氧化反應速率,因而降低該開口下方之半導體基板表面之閘氧化層厚度,以大幅改進閘氧化層厚度的均勻度,提高閘極的效率。
简体摘要：本发明之闸氧化层的制备方法首先形成一具有至少一开口之遮罩层于一半导体基板之上,再形成一沟渠于该开口下方之半导体基板中,其中该沟渠环绕一主动区域。其次,扩大该开口之宽度以局部曝露该沟渠侧边之半导体基板(即主动区域边缘),再进行一掺杂制程以将一含氮掺质植入该开口下方之半导体基板中。之后,将该遮罩层去除以曝露该主动区域之半导体基板,再进行一热处理制程以形成一闸氧化层于该主动区域之半导体基板的上表面。该含氮掺质可抑制该半导体基板之热氧化反应速率,因而降低该开口下方之半导体基板表面之闸氧化层厚度,以大幅改进闸氧化层厚度的均匀度,提高闸极的效率。

34. 发明专利

TW200818382A 晶圓定位設備及其方法 WAFER POSITIONING APPARATUS AND METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：晶圆定位设备及其方法 WAFER POSITIONING APPARATUS AND METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200818382A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：TW095137225
申请日：2006-10-05
申请人：茂德科技股份有限公司 PROMOS TECHNOLOGIES INC.
发明人：謝慶文 HSIEH, CHINGWEN , 林希蒲 LIN, SIPU
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種晶圓定位設備,係利用一無線定位監控裝置,模擬一晶圓於一機台之定位。無線定位監控裝置包含與晶圓大小相同之一定位板,並利用無線傳輸之方式,傳送定位板放置於機台上時之一定位畫面至一顯示單元。晶圓定位設備包含一控制單元與一機械手臂,控制單元可藉由定位畫面校正機械手臂之一路徑,以使定位板放置於機台之定位。一種晶圓定位方法亦在此揭露。
简体摘要：一种晶圆定位设备,系利用一无线定位监控设备,仿真一晶圆于一机台之定位。无线定位监控设备包含与晶圆大小相同之一定位板,并利用无线传输之方式,发送定位板放置于机台上时之一定位画面至一显示单元。晶圆定位设备包含一控制单元与一机械手臂,控制单元可借由定位画面校正机械手臂之一路径,以使定位板放置于机台之定位。一种晶圆定位方法亦在此揭露。

35. 发明专利

TW200810026A 於深溝渠中形成淺溝渠隔離結構之方法及該方法之應用 METHODS FOR FORMING SHALLOW TRENCH ISOLATION STRUCTURES IN DEEP TRENCHES AND USES OF THE SAME 审中-公开
简体标题：于深沟渠中形成浅沟渠隔离结构之方法及该方法之应用 METHODS FOR FORMING SHALLOW TRENCH ISOLATION STRUCTURES IN DEEP TRENCHES AND USES OF THE SAME
公开(公告)号：TW200810026A
公开(公告)日：2008-02-16
申请号：TW095128453
申请日：2006-08-03
申请人：茂德科技股份有限公司 PROMOS TECHNOLOGIES INC.
发明人：郭文碩 KUO, WEN SHUO , 鍾朝喜 CHUNG, CHAO HSI , 李永堯 LEE, YUNGYAO , 李惠民 LI, HUI MIN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76224 , H01L27/1087
摘要：一種於一深溝渠中形成一淺溝渠隔離結構之方法及該方法之應用,其中,該深溝渠係位於一基底內且含有一上電極及在該上電極上方之一第一絕緣層,且該基底表面具有一墊絕緣層,該方法係包含:形成一硬罩幕層於該第一絕緣層上;摻雜該硬罩幕層之一第一部分;去除該硬罩幕層之未經摻雜部分而暴露出部分該第一絕緣層,且保留該第一部分;去除該經暴露之第一絕緣層部分而暴露出部份該上電極;以及形成一導電層於該經暴露之上電極上方,該導電層之上緣距該墊絕緣層表面一預定深度。
简体摘要：一种于一深沟渠中形成一浅沟渠隔离结构之方法及该方法之应用,其中,该深沟渠系位于一基底内且含有一上电极及在该上电极上方之一第一绝缘层,且该基底表面具有一垫绝缘层,该方法系包含:形成一硬罩幕层于该第一绝缘层上;掺杂该硬罩幕层之一第一部分;去除该硬罩幕层之未经掺杂部分而暴露出部分该第一绝缘层,且保留该第一部分;去除该经暴露之第一绝缘层部分而暴露出部份该上电极;以及形成一导电层于该经暴露之上电极上方,该导电层之上缘距该垫绝缘层表面一预定深度。

36. 发明专利

TWI293207B 動態隨機存取記憶體結構及其製備方法 DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY STRUCTURE AND METHOD FOR PREPARING THE SAME 有权
简体标题：动态随机存取内存结构及其制备方法 DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY STRUCTURE AND METHOD FOR PREPARING THE SAME
公开(公告)号：TWI293207B
公开(公告)日：2008-02-01
申请号：TW095100997
申请日：2006-01-11
申请人：茂德科技股份有限公司 PROMOS TECHNOLOGIES INC.
发明人：王廷熏 WANG, TING SING
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7841 , H01L27/108 , H01L27/10802
摘要：一種具有直立式浮動本體記憶胞之動態隨機存取記憶體結構，其包含一具有複數個圓柱體之半導體基板、一設置於該圓柱體頂部之上導電區、一設置於該上導電區下方之圓柱體內的本體、一設置於該本體下方之圓柱體內的下導電區、一環繞該圓柱體之側壁的閘氧化層以及一環繞於該閘氧化層表面之閘極結構。該上導電區係作為汲極，該下導電區係作為源極，且該本體可儲存載子。較佳地，該動態隨機存取記憶體結構另包含一設置於該基板表面之導電層，且該下導電區與該導電層相連接。
简体摘要：一种具有直立式浮动本体记忆胞之动态随机存取内存结构，其包含一具有复数个圆柱体之半导体基板、一设置于该圆柱体顶部之上导电区、一设置于该上导电区下方之圆柱体内的本体、一设置于该本体下方之圆柱体内的下导电区、一环绕该圆柱体之侧壁的闸氧化层以及一环绕于该闸氧化层表面之闸极结构。该上导电区系作为汲极，该下导电区系作为源极，且该本体可存储载子。较佳地，该动态随机存取内存结构另包含一设置于该基板表面之导电层，且该下导电区与该导电层相连接。

37. 发明专利

TWI292928B 半導體元件的製造方法 MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE 失效
简体标题：半导体组件的制造方法 MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TWI292928B
公开(公告)日：2008-01-21
申请号：TW092100754
申请日：2003-01-15
申请人：茂德科技股份有限公司 PROMOS TECHNOLOGIES INC.
发明人：陳世芳 JASON CHEN , 張鼎張 TING-CHANG CHANG
IPC分类号： H01L
摘要：一種半導體元件的製造方法，此方法係先於基底上形成閘極結構與源極/汲極區，其中閘極結構是由閘極介電層、導體層與頂蓋層所構成。接著於基底上形成非晶矽化鍺層，之後再進行熱製程，使源極/汲極區表面之非晶矽化鍺層轉變成結晶矽化鍺層。接著移除源極/汲極區以外的非晶矽化鍺層，再移除頂蓋層，最後進行自行對準金屬矽化合物製程，而於導體層、源極/汲極區上形成金屬矽化物。
简体摘要：一种半导体组件的制造方法，此方法系先于基底上形成闸极结构与源极/汲极区，其中闸极结构是由闸极介电层、导体层与顶盖层所构成。接着于基底上形成非晶硅化锗层，之后再进行热制程，使源极/汲极区表面之非晶硅化锗层转变成结晶硅化锗层。接着移除源极/汲极区以外的非晶硅化锗层，再移除顶盖层，最后进行自行对准金属硅化合物制程，而于导体层、源极/汲极区上形成金属硅化物。

38. 发明专利

TW200802778A 具保護複層之半導體元件及其製造方法 A SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A COMPOSITE PASSIVATION LAYER AND A METHOD OF FABRICATING THE SAME 审中-公开
简体标题：具保护复层之半导体组件及其制造方法 A SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A COMPOSITE PASSIVATION LAYER AND A METHOD OF FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TW200802778A
公开(公告)日：2008-01-01
申请号：TW095122411
申请日：2006-06-22
申请人：茂德科技股份有限公司 PROMOS TECHNOLOGIES INC.
发明人：胡伯康 HU, PO KANG , 董大衛 TUNG, TA WEI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/5258 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種半導體元件及其製造方法,該半導體元件包含一具一熔絲窗之熔絲區,該熔絲窗具一窗底及二側壁;一具一銲墊窗之銲墊區,該銲墊窗具一窗底及二側壁;以及一保護複層,其包含犧牲介電層以及覆蓋該犧牲介電層之最終保護層,覆蓋於該熔絲區及該銲墊區而於該二區僅暴露該熔絲窗之窗底及該銲墊窗之窗底。
简体摘要：一种半导体组件及其制造方法,该半导体组件包含一具一熔丝窗之熔丝区,该熔丝窗具一窗底及二侧壁;一具一焊垫窗之焊垫区,该焊垫窗具一窗底及二侧壁;以及一保护复层,其包含牺牲介电层以及覆盖该牺牲介电层之最终保护层,覆盖于该熔丝区及该焊垫区而于该二区仅暴露该熔丝窗之窗底及该焊垫窗之窗底。

39. 发明专利

TWI290753B 自我對準非揮發性記憶體及其製造方法 SELF-ALIGNED NON-VOLATILE MEMORY AND METHOD OF FORMING THE SAME 有权
简体标题：自我对准非挥发性内存及其制造方法 SELF-ALIGNED NON-VOLATILE MEMORY AND METHOD OF FORMING THE SAME
公开(公告)号：TWI290753B
公开(公告)日：2007-12-01
申请号：TW093139825
申请日：2004-12-21
申请人：茂德科技股份有限公司 PROMOS TECHNOLOGIES INC.
发明人：張益馨 CHANG, YI SHING
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/11521 , H01L21/28273 , H01L27/115 , H01L29/42324 , H01L29/66825
摘要：一種非揮發性記憶體，包含具有一堆疊層之基底。在該堆疊層上覆蓋有一犧牲層(sacrificial layer)，在此犧牲層上則形成第一開口。在第一開口的一側壁上先形成第一間隙壁。接著以此第一間隙壁為幕罩，蝕刻該堆疊層以形成第二開口。形成一隔離層以部分覆蓋第一與第二開口。接著於其上覆蓋一導電層，再以該部分的導電層作為第二幕罩，以蝕刻該堆疊層而形成閘極結構。
简体摘要：一种非挥发性内存，包含具有一堆栈层之基底。在该堆栈层上覆盖有一牺牲层(sacrificial layer)，在此牺牲层上则形成第一开口。在第一开口的一侧壁上先形成第一间隙壁。接着以此第一间隙壁为幕罩，蚀刻该堆栈层以形成第二开口。形成一隔离层以部分覆盖第一与第二开口。接着于其上覆盖一导电层，再以该部分的导电层作为第二幕罩，以蚀刻该堆栈层而形成闸极结构。

40. 发明专利

TW200743120A 探針之位置與針壓的檢測方法 INSPECTING METHOD OF LOCATION AND PRESSURE OF PROBE 失效
简体标题：探针之位置与针压的检测方法 INSPECTING METHOD OF LOCATION AND PRESSURE OF PROBE
公开(公告)号：TW200743120A
公开(公告)日：2007-11-16
申请号：TW095116003
申请日：2006-05-05
申请人：茂德科技股份有限公司 PROMOS TECHNOLOGIES INC.
发明人：黃國胤 KUO-YIN HUANG , 林筠涵 YUN-HAN LIN
IPC分类号： G01Q , G12B
摘要：一種探針之位置的檢測方法,此方法是先提供一晶圓,此晶圓之切割道上具有一個測試區域、多個第一測試鍵與多個第二測試鍵。測試區域分為多個次區域,而這些次區域以矩陣的方式排列。然後,將探針接觸測試區域,並施加電壓,使對應至少一個次區域中之第一單元的第一測試鍵與對應至少一個次區域中之第二單元的第二測試鍵接收此電壓。之後,根據接收到電壓之第一測試鍵與第二測試鍵獲得探針與測試區域接觸之位置。
简体摘要：一种探针之位置的检测方法,此方法是先提供一晶圆,此晶圆之切割道上具有一个测试区域、多个第一测试键与多个第二测试键。测试区域分为多个次区域,而这些次区域以矩阵的方式排列。然后,将探针接触测试区域,并施加电压,使对应至少一个次区域中之第一单元的第一测试键与对应至少一个次区域中之第二单元的第二测试键接收此电压。之后,根据接收到电压之第一测试键与第二测试键获得探针与测试区域接触之位置。

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