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21. 发明专利

TW200518266A 形成內連線結構的方法與填充銅的鑲嵌結構 METHOD FOR FORMING A MULTI-LAYER SEED LAYER FOR IMPROVED Cu ECP 审中-公开
简体标题：形成内连接结构的方法与填充铜的镶嵌结构 METHOD FOR FORMING A MULTI-LAYER SEED LAYER FOR IMPROVED Cu ECP
公开(公告)号：TW200518266A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：TW093136280
申请日：2004-11-25
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：吳炳坤 WU, PING-KUN , 曾鴻輝 TSENG, HORNG-HUEI , 羅吉進 LO, CHINE-GIE , 王昭雄 WANG, CHAO-HSIUNG , 眭曉林 SHUE, SHAU-LIN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76807 , H01L21/76846 , H01L21/76862 , H01L21/76873 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種填充銅的鑲嵌結構與其形成方法，此方法包括：提供一基底；形成絕緣層於上述基底上；形成鑲嵌開口穿過上述絕緣層一厚度；形成擴散阻障層以襯著(line)上述鑲嵌開口；形成第一晶種層於上述擴散阻障層上；以第一處理電漿對上述第一晶種層同處(in-situ)進行電漿處理，此第一處理電漿所包括的電漿源氣體係擇自氬氣、氮氣、氫氣與氨氣所組成之族群中；形成第二晶種層於上述第一晶種層上；藉由電化學電鍍(electro-chemical plating，簡稱ECP)形成銅層於上述第二晶種層上以填充上述鑲嵌開口；以及平坦化上述銅層以形成金屬內連線結構。
简体摘要：一种填充铜的镶嵌结构与其形成方法，此方法包括：提供一基底；形成绝缘层于上述基底上；形成镶嵌开口穿过上述绝缘层一厚度；形成扩散阻障层以衬着(line)上述镶嵌开口；形成第一晶种层于上述扩散阻障层上；以第一处理等离子对上述第一晶种层同处(in-situ)进行等离子处理，此第一处理等离子所包括的等离子源气体系择自氩气、氮气、氢气与氨气所组成之族群中；形成第二晶种层于上述第一晶种层上；借由电化学电镀(electro-chemical plating，简称ECP)形成铜层于上述第二晶种层上以填充上述镶嵌开口；以及平坦化上述铜层以形成金属内连接结构。

22. 发明专利

TW593733B 來自鹵化鉭先質之化學氣相沉積氮化鉭柱塞的形成失效
简体标题：来自卤化钽先质之化学气相沉积氮化钽柱塞的形成
公开(公告)号：TW593733B
公开(公告)日：2004-06-21
申请号：TW089107862
申请日：2000-04-26
申请人：東京威力科創有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：强J 侯搭拉 JOHN J. HAUTALA , 喬漢尼斯F M 魏斯登朶普 JOHANNES F.M. WESTENDORP
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： H01L21/76843 , C23C16/34 , H01L21/76862 , H01L21/76877
摘要：本發明說明以來自無機五鹵化鉭(TaX5)先質及含氮氣體沈積高品質保形性氮化鉭(TaNx)膜之電漿處理化學蒸氣沉積法(PTTCVD)，以填充具有TaNx膜之高縱橫比部件之小接點及減少銅沉積步驟。無機五鹵化鉭先質是五氟化鉭(TaF5)、五氯化鉭(TaCl5)及五溴化鉭(TaBr5)。在熱CVD法中，將TaX5傳送至加熱室中。將蒸氣與含有氮氣之處理氣體組合，以便於在部件中沉積TaNx膜。在一個具體實施例中，將氫氣引入產生射頻之電漿中，以電漿處理TaNx膜。以周期性進行電漿處理，直到部件以TaNx膜填充為止。經沉積之TaNx膜有用於含有銅膜之積體電路板。本方法會在高縱橫比結構中產生無縫TaN柱塞填充。
简体摘要：本发明说明以来自无机五卤化钽(TaX5)先质及含氮气体沉积高品质保形性氮化钽(TaNx)膜之等离子处理化学蒸气沉积法(PTTCVD)，以填充具有TaNx膜之高纵横比部件之小接点及减少铜沉积步骤。无机五卤化钽先质是五氟化钽(TaF5)、五氯化钽(TaCl5)及五溴化钽(TaBr5)。在热CVD法中，将TaX5发送至加热室中。将蒸气与含有氮气之处理气体组合，以便于在部件中沉积TaNx膜。在一个具体实施例中，将氢气引入产生射频之等离子中，以等离子处理TaNx膜。以周期性进行等离子处理，直到部件以TaNx膜填充为止。经沉积之TaNx膜有用于含有铜膜之集成电路板。本方法会在高纵横比结构中产生无缝TaN柱塞填充。

23. 发明专利

TW593732B 自鹵化鉭先質進行的TaN膜之電漿處理熱化學氣相沉積(CVD) 失效
简体标题：自卤化钽先质进行的TaN膜之等离子处理热化学气相沉积(CVD)
公开(公告)号：TW593732B
公开(公告)日：2004-06-21
申请号：TW089107860
申请日：2000-04-26
申请人：東京威力科創有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：强J 侯搭拉 JOHN J. HAUTALA , 喬漢尼斯F M 魏斯登朶普 JOHANNES F.M. WESTENDORP
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： H01L21/76843 , C23C16/34 , H01L21/76862
摘要：本發明說明以來自無機五鹵化鉭(TaX5)先質及含氮氣體沉積高品質保形性氮化鉭(TaNx)膜之電漿處理化學氣相沉積法(PTTCVD)。無機五鹵化鉭先質是五氟化鉭(TaF5)、五氯化鉭(TaCl5)及五溴化鉭(TaBr5)。在熱CVD法中，將TaX5傳送至加熱室中。將蒸氣與含有氮氣之處理氣體組合，以便於在加熱至300℃-500℃之基板上沉積TaNx膜。將氫氣引入產生射頻之電漿中，以電漿處理TaNx膜。以周期性進行電漿處理，直到達到預期的TaNx膜厚度為止。PTTCVD膜具有改良的微結構及降低電阻係數，不改變其行走範圍。經沉積之TaNx膜有用於含有銅薄膜之積體電路板，尤其是小的高縱橫比部件。這些膜的高保形性優於以PVD沉積的膜。
简体摘要：本发明说明以来自无机五卤化钽(TaX5)先质及含氮气体沉积高品质保形性氮化钽(TaNx)膜之等离子处理化学气相沉积法(PTTCVD)。无机五卤化钽先质是五氟化钽(TaF5)、五氯化钽(TaCl5)及五溴化钽(TaBr5)。在热CVD法中，将TaX5发送至加热室中。将蒸气与含有氮气之处理气体组合，以便于在加热至300℃-500℃之基板上沉积TaNx膜。将氢气引入产生射频之等离子中，以等离子处理TaNx膜。以周期性进行等离子处理，直到达到预期的TaNx膜厚度为止。PTTCVD膜具有改良的微结构及降低电阻系数，不改变其行走范围。经沉积之TaNx膜有用于含有铜薄膜之集成电路板，尤其是小的高纵横比部件。这些膜的高保形性优于以PVD沉积的膜。

24. 发明专利

TW200403732A 半導體裝置之製造方法 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE 失效
简体标题：半导体设备之制造方法 METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW200403732A
公开(公告)日：2004-03-01
申请号：TW092120401
申请日：2003-07-25
申请人：松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：垂水喜明 NOBUAKI TARUMI , 池田敦 ATSUSHI IKEDA , 岸田剛信 TAKENOBU KISHIDA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76843 , H01L21/76804 , H01L21/76807 , H01L21/76814 , H01L21/76862 , H01L21/76865 , H01L21/76873
摘要：本發明旨在提供一種半導體裝置之製造方法，其目的係在於：為微細化了之佈線形成溝及通孔，製成不會出現空隙或者縫口且埋入特性優良之金屬佈線。利用濺射法於包含通孔17a及上佈線形成溝18a之壁面及底面之第4絕緣膜17上沉積厚度約25nm、由氮化鉭製成之下阻擋層19。此時之濺射條件係對靶施加約10kW之DC源電源。之後，將DC源電源降至2kW左右，對半導體基板施加約200W之RF電源，對下阻擋層19施行使用了氬氣、蝕刻量為5nm左右之濺射蝕刻，由此而將沉積於通孔17a之底面之下阻擋層19之至少一部份沉積於通孔17a之壁面之下方。
简体摘要：本发明旨在提供一种半导体设备之制造方法，其目的系在于：为微细化了之布线形成沟及通孔，制成不会出现空隙或者缝口且埋入特性优良之金属布线。利用溅射法于包含通孔17a及上布线形成沟18a之壁面及底面之第4绝缘膜17上沉积厚度约25nm、由氮化钽制成之下阻挡层19。此时之溅射条件系对靶施加约10kW之DC源电源。之后，将DC源电源降至2kW左右，对半导体基板施加约200W之RF电源，对下阻挡层19施行使用了氩气、蚀刻量为5nm左右之溅射蚀刻，由此而将沉积于通孔17a之底面之下阻挡层19之至少一部份沉积于通孔17a之壁面之下方。

25. 发明专利

TW524871B 磁控管電漿濺鍍反應器及其內使用之濺鍍靶材失效
简体标题：磁控管等离子溅镀反应器及其内使用之溅镀靶材
公开(公告)号：TW524871B
公开(公告)日：2003-03-21
申请号：TW090101353
申请日：2001-01-19
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：帕布朗古柏羅吉 , 傅建明 , 陳福森 , 吉立希迪西悌 , 徐征 , 山卡廉阿斯雷亞 , 王偉D. , 亞斯霍克K 辛哈
IPC分类号： C23C , H01J
CPC分类号： H01L21/76844 , C23C14/046 , C23C14/165 , C23C14/185 , C23C14/225 , C23C14/35 , H01J37/3405 , H01J37/342 , H01J37/3423 , H01J37/3452 , H01J37/3455 , H01J37/3458 , H01L21/2855 , H01L21/76805 , H01L21/76843 , H01L21/76862 , H01L21/76865 , H01L21/76873 , H01L2221/1089
摘要：一電漿濺鍍反應器內之靶材及磁控管。該靶材具有一圓環狀拱形體，該拱形體則面對將被濺覆之晶圓。各種不銅形之磁裝置固定環繞該拱形體，以形成一磁場，用以將電漿維持在拱形體的大範圍面積上。該磁控管以包含圓環狀相反極性的磁鐵為佳，其中這些磁鐵位於兩拱形體側壁之後，而一小封閉、不均衡型相反極性之巢狀磁鐵組成的磁控管在拱形體頂部處掃動。利用本發明之反應器或其它反應器進行之整合型銅孔填充製程包含數個步驟，其中第一步驟是對銅進行高離子化濺鍍沉積，其可選擇性用以將孔洞底部之阻障層移除；第二步驟是對銅進行更多中性體的低能量濺鍍沉積，以完成晶種層的形成；而第三步驟則是將銅電鍍至孔洞中而完成金屬化製程，其中前兩步驟方可用於阻障金屬的形成上。
简体摘要：一等离子溅镀反应器内之靶材及磁控管。该靶材具有一圆环状拱形体，该拱形体则面对将被溅覆之晶圆。各种不铜形之磁设备固定环绕该拱形体，以形成一磁场，用以将等离子维持在拱形体的大范围面积上。该磁控管以包含圆环状相反极性的磁铁为佳，其中这些磁铁位于两拱形体侧壁之后，而一小封闭、不均衡型相反极性之嵌套磁铁组成的磁控管在拱形体顶部处扫动。利用本发明之反应器或其它反应器进行之集成型铜孔填充制程包含数个步骤，其中第一步骤是对铜进行高离子化溅镀沉积，其可选择性用以将孔洞底部之阻障层移除；第二步骤是对铜进行更多中性体的低能量溅镀沉积，以完成晶种层的形成；而第三步骤则是将铜电镀至孔洞中而完成金属化制程，其中前两步骤方可用于阻障金属的形成上。

26. 发明专利

TW504756B 沉積後之噴濺失效
简体标题：沉积后之喷溅
公开(公告)号：TW504756B
公开(公告)日：2002-10-01
申请号：TW090115749
申请日：2001-06-28
申请人：摩托羅拉公司
发明人：瓦利亞盧納查林 , 彼得 LG 溫滋克 , 夏伊德洛夫 , 丹 J 丹尼 , 贊吉米
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/76862 , H01L21/76843 , H01L21/76865 , H01L21/76873
摘要：本文描述一種用於改善諸如通孔(200)及溝渠等半導體特徵(200)之正形性以及針對段差覆蓋作最佳化的方法。藉由在沉積至少一部份金屬(250)於晶圓特徵上面之後，執行一額外的噴濺步驟，可以將靠近頂部及特徵(200)底部之太厚的金屬沉積減薄。藉由減薄通孔(200)等特徵(200)之頂部的突出，金屬粒子比較容易到達及沉積於側壁上。藉由減薄通孔(200)底部的沉積金屬，可使通孔(200)的電阻降低。該額外的噴濺步驟可在所有金屬皆已沉積之後一次進行。或者，可沉積少量的金屬，執行一次噴濺步驟，再沉積更多的金屬，再執行額外的噴濺步驟。
简体摘要：本文描述一种用于改善诸如通孔(200)及沟渠等半导体特征(200)之正形性以及针对段差覆盖作最优化的方法。借由在沉积至少一部份金属(250)于晶圆特征上面之后，运行一额外的喷溅步骤，可以将靠近顶部及特征(200)底部之太厚的金属沉积减薄。借由减薄通孔(200)等特征(200)之顶部的突出，金属粒子比较容易到达及沉积于侧壁上。借由减薄通孔(200)底部的沉积金属，可使通孔(200)的电阻降低。该额外的喷溅步骤可在所有金属皆已沉积之后一次进行。或者，可沉积少量的金属，运行一次喷溅步骤，再沉积更多的金属，再运行额外的喷溅步骤。

27. 发明专利

TWI604081B 改進小臨界尺寸特徵物中之鎢接觸電阻用之方法及設備有权
简体标题：改进小临界尺寸特征物中之钨接触电阻用之方法及设备
公开(公告)号：TWI604081B
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW102126976
申请日：2013-07-26
申请人：諾發系統有限公司 , NOVELLUS SYSTEMS, INC.
发明人：陳峰 , CHEN, FENG , 楊宗翰 , YANG, TSUNG HAN , 高舉文 , GAO, JUWEN , 丹納克麥可 , DANEK, MICHAL
IPC分类号： C23C16/02 , C23C16/44 , C23C16/52 , C23C16/06 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76877 , C23C16/0245 , C23C16/045 , C23C16/18 , C23C16/45536 , H01L21/28556 , H01L21/76843 , H01L21/76861 , H01L21/76862

29. 发明专利

TW201636459A 形成鈷或鎳互連件的方法审中-公开
简体标题：形成钴或镍互连件的方法
公开(公告)号：TW201636459A
公开(公告)日：2016-10-16
申请号：TW105111874
申请日：2016-04-15
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：夏維羅伊 , SHAVIV, ROEY , 林約翰W , LAM, JOHN W. , 博許曼提蒙西 , BOCHMAN, TIMOTHY , 蕭萌區 , TSENG, JENNIFER MENG CHU
IPC分类号： C25D5/00 , C25D3/12 , C25D5/50 , C25D7/12 , H01L23/52
CPC分类号： C21D1/26 , C21D9/0062 , C22F1/10 , C23C18/1653 , C25D3/12 , C25D3/38 , C25D5/10 , C25D5/34 , C25D5/50 , C25D7/123 , C25D17/005 , H01L21/2885 , H01L21/76861 , H01L21/76862 , H01L21/76873 , H01L21/76877 , H01L21/76882 , H01L21/76883 , H01L23/52 , H01L23/53209 , H01L23/53238
摘要：一種用於在工件上的特徵中沉積金屬的方法，該方法包括：在工件上的特徵中形成種晶層，其中種晶層包括選自由鈷和鎳組成的群組的金屬；在種晶層上電化學沉積第一金屬化層，其中電化學沉積金屬化層包括使用具有電鍍金屬離子和處於6至13範圍內的pH值的電鍍電解液；和在沉積第一金屬化層之後熱處理工件。
简体摘要：一种用于在工件上的特征中沉积金属的方法，该方法包括：在工件上的特征中形成种晶层，其中种晶层包括选自由钴和镍组成的群组的金属；在种晶层上电化学沉积第一金属化层，其中电化学沉积金属化层包括使用具有电镀金属离子和处于6至13范围内的pH值的电镀电解液；和在沉积第一金属化层之后热处理工件。

30. 发明专利

TWI530580B 於銅表面上之選擇性鈷沉積有权
简体标题：于铜表面上之选择性钴沉积
公开(公告)号：TWI530580B
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：TW103116576
申请日：2009-04-29
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：柳尚澔 , YU, SANG-HO , 摩拉斯凱文 , MORAES, KEVIN , 甘古利沙謝德利 , GANGULI, SESHADRI , 坤華 , CHUNG, HUA , 潘思瑛 , PHAN, SEE-ENG
IPC分类号： C23C16/16 , C23C16/44 , C23C16/513 , H01L21/314
CPC分类号： C23C16/16 , C23C16/0218 , C23C16/18 , H01L21/02068 , H01L21/02074 , H01L21/2855 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/324 , H01L21/76849 , H01L21/7685 , H01L21/76862 , H01L21/76883

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