专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

21. 发明专利

TW201739002A 具有雙井區之金屬氧化物半導體元件及其製造方法审中-公开
简体标题：具有双井区之金属氧化物半导体组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201739002A
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW105109353
申请日：2016-03-25
申请人：立錡科技股份有限公司 , RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：黃宗義 , HUANG, TSUNG-YI
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/8238 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/1083 , H01L21/823493 , H01L29/66659 , H01L29/66689 , H01L29/7816 , H01L29/7835
摘要：本發明提出一種具有雙井區之金屬氧化物半導體(metal oxide semiconductor, MOS)元件及其製造方法。其中，具有雙井區之MOS元件包含：半導體基板、磊晶層、第一導電型井區、第一導電型本體區、第二導電型井區、閘極、第一導電型輕摻雜擴散區、第二導電型輕摻雜擴散區、第二導電型源極、以及第二導電型汲極。其中，第二導電型井區於一橫向上鄰接於第一導電型井區，且第二導電型井區與第一導電型井區形成PN接面。第一導電型輕摻雜擴散區，以自我對準製程步驟，形成於第一導電型井區上之磊晶層中。第二導電型輕摻雜擴散區，以自我對準製程步驟，形成於第二導電型井區上之磊晶層中。其中，PN接面位於第一導電型輕摻雜擴散區與第二導電型輕摻雜擴散區之間。
简体摘要：本发明提出一种具有双井区之金属氧化物半导体(metal oxide semiconductor, MOS)组件及其制造方法。其中，具有双井区之MOS组件包含：半导体基板、磊晶层、第一导电型井区、第一导电型本体区、第二导电型井区、闸极、第一导电型轻掺杂扩散区、第二导电型轻掺杂扩散区、第二导电型源极、以及第二导电型汲极。其中，第二导电型井区于一横向上邻接于第一导电型井区，且第二导电型井区与第一导电型井区形成pn结。第一导电型轻掺杂扩散区，以自我对准制程步骤，形成于第一导电型井区上之磊晶层中。第二导电型轻掺杂扩散区，以自我对准制程步骤，形成于第二导电型井区上之磊晶层中。其中，pn结位于第一导电型轻掺杂扩散区与第二导电型轻掺杂扩散区之间。

22. 发明专利

TWI599160B 返馳式電源供應器及其控制器與驅動器有权
简体标题：返驰式电源供应器及其控制器与驱动器
公开(公告)号：TWI599160B
公开(公告)日：2017-09-11
申请号：TW105113689
申请日：2016-05-03
申请人：立錡科技股份有限公司 , RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：陳裕昌 , CHEN, YU-CHANG , 羅立狄 , LUO, LI-DI , 林梓誠 , LIN, TZU-CHEN
IPC分类号： H02M3/156 , H02M1/36
CPC分类号： H02M3/33515 , H02M1/08 , H02M3/33592 , H02M2001/0006 , H02M2001/0009 , Y02B70/1475

23. 发明专利

TWI595735B 可降低電流漣波之電流調節電路及降低電流漣波的方法有权
简体标题：可降低电流涟波之电流调节电路及降低电流涟波的方法
公开(公告)号：TWI595735B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：TW105108299
申请日：2016-03-17
申请人：立錡科技股份有限公司 , RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：李一惟 , LEE, YI-WEI , 陳曜洲 , CHEN, ISAAC Y.
IPC分类号： H02M1/14
CPC分类号： H02M3/156 , H02M1/08 , H02M1/14 , H02M2001/0009 , H02M2001/0048 , H03K17/166 , H03K2217/0027 , H05B33/0815 , H05B33/0824 , Y02B20/347 , Y02B70/1491

24. 发明专利

TW201725837A 雙固定時間之升降壓切換式電源電路及其控制電路及其方法审中-公开
简体标题：双固定时间之升降压切换式电源电路及其控制电路及其方法
公开(公告)号：TW201725837A
公开(公告)日：2017-07-16
申请号：TW105100475
申请日：2016-01-08
申请人：立錡科技股份有限公司 , RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：鄭閎彧 , CHENG, HUNG-YU
IPC分类号： H02M1/08 , H02M3/156
CPC分类号： H02M3/1582 , H02M1/08 , H02M2001/0054 , Y02B70/1491
摘要：本發明提出一種雙固定時間之升降壓切換式電源電路、及其控制電路與方法。該雙固定時間升降壓切換式電源電路包含：一降壓電路，包含:一電感，具有第一端與第二端；一降壓電路之第一功率開關，其一端與該電感之第一端耦接，其另一端與一輸入電壓耦接；以及一降壓電路之功率元件，其一端與該電感之第一端耦接，其另一端接地；一升壓電路，包含:該電感；一升壓電路之第一功率開關，其一端與該電感之第二端耦接，其另一端接地。本發明所提出之控制方法包含：產生一第一固定時間(constant time)與一第二固定時間，該第一固定時間，控制該降壓電路，該第二固定時間，控制該升壓電路；其中該第一固定時間為一固定不導通時間(constant-off time)，使該降壓電路之第一功率開關在該固定不導通時間內為不導通，該第二固定時間為一固定導通時間(constant-on time)，使該升壓電路之第一功率開關在該固定導通時間內為導通。該控制方法更包含：產生一位移訊號，使得該雙固定時間升降壓切換式電源電路僅有降壓轉換模式或升壓轉換模式，且無需升降壓轉換模式。
简体摘要：本发明提出一种双固定时间之升降压切换式电源电路、及其控制电路与方法。该双固定时间升降压切换式电源电路包含：一降压电路，包含:一电感，具有第一端与第二端；一降压电路之第一功率开关，其一端与该电感之第一端耦接，其另一端与一输入电压耦接；以及一降压电路之功率组件，其一端与该电感之第一端耦接，其另一端接地；一升压电路，包含:该电感；一升压电路之第一功率开关，其一端与该电感之第二端耦接，其另一端接地。本发明所提出之控制方法包含：产生一第一固定时间(constant time)与一第二固定时间，该第一固定时间，控制该降压电路，该第二固定时间，控制该升压电路；其中该第一固定时间为一固定不导通时间(constant-off time)，使该降压电路之第一功率开关在该固定不导通时间内为不导通，该第二固定时间为一固定导通时间(constant-on time)，使该升压电路之第一功率开关在该固定导通时间内为导通。该控制方法更包含：产生一位移信号，使得该双固定时间升降压切换式电源电路仅有降压转换模式或升压转换模式，且无需升降压转换模式。

25. 发明专利

TWI587621B 可降低功率損耗的可程式電源轉換器及其中的降低功率損耗之電源傳輸電路有权
简体标题：可降低功率损耗的可进程电源转换器及其中的降低功率损耗之电源传输电路
公开(公告)号：TWI587621B
公开(公告)日：2017-06-11
申请号：TW105108000
申请日：2016-03-16
申请人：立錡科技股份有限公司 , RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：林梓誠 , LIN, TZU-CHEN , 陳昱凱 , CHEN, YU-KAI
IPC分类号： H02M3/34

26. 发明专利

TWI580168B 具有同步控制功能的電源轉換器及其控制方法有权
简体标题：具有同步控制功能的电源转换器及其控制方法
公开(公告)号：TWI580168B
公开(公告)日：2017-04-21
申请号：TW105109954
申请日：2016-03-30
申请人：立錡科技股份有限公司 , RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：羅立狄 , LUO, LI-DI , 陳昱凱 , CHEN, YU-KAI , 陳裕昌 , CHEN, YU-CHANG
IPC分类号： H02M7/12
CPC分类号： H02M3/33523 , H02M1/08 , H02M3/33592 , Y02B70/1475

27. 发明专利

TW201709505A 橫向雙擴散金屬氧化物半導體元件及其製造方法审中-公开
简体标题：横向双扩散金属氧化物半导体组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201709505A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW104126785
申请日：2015-08-18
申请人：立錡科技股份有限公司 , RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：黃宗義 , HUANG, TSUNG-YI
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7816 , H01L21/76202 , H01L21/76224 , H01L29/0649 , H01L29/0653 , H01L29/0882 , H01L29/1083 , H01L29/1095 , H01L29/36 , H01L29/4175 , H01L29/456 , H01L29/66659 , H01L29/66689 , H01L29/7835
摘要：本發明提出一種橫向雙擴散金屬氧化物半導體(lateral double diffused metal oxide semiconductor, LDMOS)元件及其製造方法。其中，LDMOS元件包含：P型基板、磊晶層、P型高壓井區、P型本體區、N型井區、隔絕氧化區、漂移氧化區、閘極、N型接點區、P型接點區、上源極、下源極、以及N型汲極。P型本體區於高度方向上，堆疊並連接於P型高壓井區與磊晶層表面之間。P型本體區具有尖峰濃度區，其於高度方向上，堆疊並連接於磊晶層表面下，並具有P型本體區中最高之P型雜質濃度。P型本體區中之P型雜質濃度，足以抑制橫向寄生電晶體導通。
简体摘要：本发明提出一种横向双扩散金属氧化物半导体(lateral double diffused metal oxide semiconductor, LDMOS)组件及其制造方法。其中，LDMOS组件包含：P型基板、磊晶层、P型高压井区、P型本体区、N型井区、隔绝氧化区、漂移氧化区、闸极、N型接点区、P型接点区、上源极、下源极、以及N型汲极。P型本体区于高度方向上，堆栈并连接于P型高压井区与磊晶层表面之间。P型本体区具有尖峰浓度区，其于高度方向上，堆栈并连接于磊晶层表面下，并具有P型本体区中最高之P型杂质浓度。P型本体区中之P型杂质浓度，足以抑制横向寄生晶体管导通。

28. 发明专利

TW201642569A 具有同步控制功能的電源轉換器及其控制方法审中-公开
简体标题：具有同步控制功能的电源转换器及其控制方法
公开(公告)号：TW201642569A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW105109954
申请日：2016-03-30
申请人：立錡科技股份有限公司 , RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：羅立狄 , LUO, LI-DI , 陳昱凱 , CHEN, YU-KAI , 陳裕昌 , CHEN, YU-CHANG
IPC分类号： H02M7/12
CPC分类号： H02M3/33523 , H02M1/08 , H02M3/33592 , Y02B70/1475
摘要：本發明提出一種具有同步控制功能的電源轉換器及其控制方法。具有同步控制功能的電源轉換器包含: 變壓器、功率開關、開關控制單元、訊號耦合電路、同步整流開關和二次側控制電路。開關控制單元根據反饋訊號產生操作訊號，並產生一與操作訊號相關之第一同步訊號。訊號耦合電路根據第一同步訊號，耦合產生第二同步訊號。同步整流開關根據同步整流開關訊號而導通或關閉，以進行同步整流。二次側控制電路根據二次側位準偵測訊號及第二同步訊號，產生同步整流開關訊號以控制同步整流開關。藉此，當功率開關導通，同步整流開關為關閉。
简体摘要：本发明提出一种具有同步控制功能的电源转换器及其控制方法。具有同步控制功能的电源转换器包含: 变压器、功率开关、开关控制单元、信号耦合电路、同步整流开关和二次侧控制电路。开关控制单元根据反馈信号产生操作信号，并产生一与操作信号相关之第一同步信号。信号耦合电路根据第一同步信号，耦合产生第二同步信号。同步整流开关根据同步整流开关信号而导通或关闭，以进行同步整流。二次侧控制电路根据二次侧位准侦测信号及第二同步信号，产生同步整流开关信号以控制同步整流开关。借此，当功率开关导通，同步整流开关为关闭。

29. 发明专利

TWI559666B 返馳式電源供應電路及其中之二次側控制電路與其控制方法有权
简体标题：返驰式电源供应电路及其中之二次侧控制电路与其控制方法
公开(公告)号：TWI559666B
公开(公告)日：2016-11-21
申请号：TW104136942
申请日：2015-11-10
申请人：立錡科技股份有限公司 , RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：黃俊獅 , HUANG, CHUN-SHIH , 吳昌諭 , WU, CHANG-YU , 陳培元 , CHEN, PEI-YUAN
IPC分类号： H02M3/28
CPC分类号： H02M3/33523 , H02M1/4258 , H02M2001/0009 , H02M2001/0025 , H02M2001/0032 , Y02B70/126 , Y02B70/16

30. 发明专利

TWI559278B 切換式電源供應器及其控制電路與控制方法有权
简体标题：切换式电源供应器及其控制电路与控制方法
公开(公告)号：TWI559278B
公开(公告)日：2016-11-21
申请号：TW104131985
申请日：2015-09-30
申请人：立錡科技股份有限公司 , RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：陳鴻鈞 , CHEN, HUNG-CHUN , 張芳龍 , CHANG, FANG-LUNG , 王德峻 , WANG, DER-JIUNN
IPC分类号： G09G3/20 , H02M1/32

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式