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21. 发明专利

TW200918692A 用以形成一含鎘奈米晶體之方法 METHOD OF FORMING A CADMIUM CONTAINING NANOCRYSTAL 审中-公开
简体标题：用以形成一含镉奈米晶体之方法 METHOD OF FORMING A CADMIUM CONTAINING NANOCRYSTAL
公开(公告)号：TW200918692A
公开(公告)日：2009-05-01
申请号：TW097128734
申请日：2008-07-30
申请人：新加坡科技研究局 AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH
发明人：宗昀 ZONG YUN , 韓明勇 HAN MING YONG , 沃爾夫岡科諾 WOLFGANG KNOLL
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B29/60 , C30B7/00 , C30B29/48 , C30B29/50
摘要：本發明提供一種用以形成具有組成CdA的奈米晶體之方法,其中A為S或Se。該方法包括在一合適的溶劑中形成鎘,或其化合物的溶液,或適合產生奈米晶體之形式。該溶劑包括選自醚和胺之化合物。該方法更包括將該溶液調到選自從約20℃至約200℃範圍內的溫度。該方法也包括在選自從約20℃至約200℃範圍內的溫度下添加適合於產生奈米晶體的形式之元素A。藉此,促成具有組成CdA的奈米晶體之形成。
简体摘要：本发明提供一种用以形成具有组成CdA的奈米晶体之方法,其中A为S或Se。该方法包括在一合适的溶剂中形成镉,或其化合物的溶液,或适合产生奈米晶体之形式。该溶剂包括选自醚和胺之化合物。该方法更包括将该溶液调到选自从约20℃至约200℃范围内的温度。该方法也包括在选自从约20℃至约200℃范围内的温度下添加适合于产生奈米晶体的形式之元素A。借此,促成具有组成CdA的奈米晶体之形成。

22. 发明专利

TW200915392A 藉由金屬有機化學氣相沈積(MOCVD)於多孔性氮化鎵(GaN)模板上氮化銦鎵(InGaN)之生長 GROWTH OF INDIUM GALLIUM NITRIDE (InGaN) ON POROUS GALLIUM NITRIDE (GaN) TEMPLATE BY METAL-ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (MOCVD) 失效
简体标题：借由金属有机化学气相沉积(MOCVD)于多孔性氮化镓(GaN)模板上氮化铟镓(InGaN)之生长 GROWTH OF INDIUM GALLIUM NITRIDE (InGaN) ON POROUS GALLIUM NITRIDE (GaN) TEMPLATE BY METAL-ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (MOCVD)
公开(公告)号：TW200915392A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：TW097124371
申请日：2008-06-27
申请人：國立新加坡大學 NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE , 新加坡科技研究局 AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH
发明人：蔡樹仁 CHUA SOO JIN , 哈約諾哈托諾 HARYONO HARTONO , 蘇周明 SOH CHEW BENG
IPC分类号： H01L , C30B
CPC分类号： H01L21/02658 , C30B25/02 , C30B29/403 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/0075 , H01L33/16 , H01L33/32
摘要：本發明係關於藉由UV增强Pt輔助電化學蝕刻製造摻雜Si之多孔性GaN,並且利用低溫生長之緩衝層作為供InGaN生長用的模板。GaN中的多孔性網狀結構顯現形成於表面上的奈米結構。InGaN的隨後生長顯示由於其上發生生長的面積相當小,因而其於此等奈米結構上鬆弛。應變鬆弛有利於較高的銦加入。除此之外,此多孔性網狀結構產生相當粗糙的GaN表面,而改變表面能量,其可增進衝擊銦原子的晶核生成,因而提高銦加入。對於本發明之生長技術在相同的生長條件下,其使發光自以習知方式生長之InGaN結構的445奈米位移至575奈米,並且使强度增加超過兩倍。亦存在自480奈米延伸至720奈米之輸出的光譜加寬。
简体摘要：本发明系关于借由UV增强Pt辅助电化学蚀刻制造掺杂Si之多孔性GaN,并且利用低温生长之缓冲层作为供InGaN生长用的模板。GaN中的多孔性网状结构显现形成于表面上的奈米结构。InGaN的随后生长显示由于其上发生生长的面积相当小,因而其于此等奈米结构上松弛。应变松弛有利于较高的铟加入。除此之外,此多孔性网状结构产生相当粗糙的GaN表面,而改变表面能量,其可增进冲击铟原子的晶核生成,因而提高铟加入。对于本发明之生长技术在相同的生长条件下,其使发光自以习知方式生长之InGaN结构的445奈米位移至575奈米,并且使强度增加超过两倍。亦存在自480奈米延伸至720奈米之输出的光谱加宽。

23. 发明专利

TW200914626A 磁通透性液態鍛造物件 MAGNETICALLY PERMEABLE LIQUID FORGED ARTICLES 审中-公开
简体标题：磁通透性液态锻造对象 MAGNETICALLY PERMEABLE LIQUID FORGED ARTICLES
公开(公告)号：TW200914626A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：TW097100798
申请日：2008-01-09
申请人：新加坡科技研究局 AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH
发明人：穆拉里莎朗格帕尼 MURALI, SARANGAPANI , 楊明憲 YONG, MING SHYAN, JOHN
IPC分类号： C22C , H01F , B22D
CPC分类号： B22D18/02 , B22D19/14 , C22C21/00 , H01F1/14708
摘要：本發明係與磁通透性合金與藉著此等合金之液態鍛造作用所形成的物件有關。更明確地說,本發明係與一可液態鍛造之磁通透性的Al合金有關,其具有至少一選自於包含有:Fe、Ni和Co的群組之合金元素。本發明也與一種形成具有申請專利範圍第1-4項中之任何一項的合金之物件的方法有關,該方法包含有以下步驟:(a)將熔融形態之合金傾倒至一模製空腔內;並且(b)在該合金的凝固期間以一衝壓機來對該熔融合金施壓。
简体摘要：本发明系与磁通透性合金与借着此等合金之液态锻造作用所形成的对象有关。更明确地说,本发明系与一可液态锻造之磁通透性的Al合金有关,其具有至少一选自于包含有:Fe、Ni和Co的群组之合金元素。本发明也与一种形成具有申请专利范围第1-4项中之任何一项的合金之对象的方法有关,该方法包含有以下步骤:(a)将熔融形态之合金倾倒至一模制空腔内;并且(b)在该合金的凝固期间以一冲压机来对该熔融合金施压。

24. 发明专利

TW200831275A 基材之表面濕潤性質的改良技術 MODIFICATION OF SURFACE WETTING PROPERTIES OF A SUBSTRATE 审中-公开
简体标题：基材之表面湿润性质的改良技术 MODIFICATION OF SURFACE WETTING PROPERTIES OF A SUBSTRATE
公开(公告)号：TW200831275A
公开(公告)日：2008-08-01
申请号：TW096139235
申请日：2007-10-19
申请人：新加坡科技研究局 AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH
发明人：劉弘宇 LOW, HONG YEE , 張鳳翔 ZHANG, FENGXIANG
IPC分类号： B29C , B05D
CPC分类号： B29C59/022 , B05D3/12 , B05D5/00 , B05D5/08 , B05D7/04 , B29C59/02 , B29C2059/023 , Y10T428/24479
摘要：一種改良基材之表面的濕潤性質之方法,此方法包含對該基材施用具有印痕形成表面的第一模具,以致在該基材上形成第一印痕,該印痕形成表面被選擇來改良該基材的表面濕潤性質。
简体摘要：一种改良基材之表面的湿润性质之方法,此方法包含对该基材施用具有印痕形成表面的第一模具,以致在该基材上形成第一印痕,该印痕形成表面被选择来改良该基材的表面湿润性质。

25. 发明专利

TW200813512A 可變焦距式變焦透鏡 VARIABLE FOCUS ZOOM LENSES 审中-公开
简体标题：可变焦距式变焦透镜 VARIABLE FOCUS ZOOM LENSES
公开(公告)号：TW200813512A
公开(公告)日：2008-03-16
申请号：TW096128029
申请日：2007-07-31
申请人：新加坡科技研究局 AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH
发明人：達馬提拉凱沙曼 DHARMATILLEKE, SAMAN
IPC分类号： G02B , G03B
CPC分类号： G02B3/14 , G02B7/04
摘要：本發明提供一可變焦距式半固體變焦透鏡,製備及使用可變焦距式透鏡以及包含該可變焦距式半固體透鏡的光學裝置之方法。藉由改變半固體透鏡之形狀、大小、尺寸、幾何形狀、外徑或表面曲率而可控制焦距。藉由使用一與半固體透鏡耦合的一壓力控制構件而達到焦距之改變。半固體透鏡亦能夠固定於一外殼中。
简体摘要：本发明提供一可变焦距式半固体变焦透镜,制备及使用可变焦距式透镜以及包含该可变焦距式半固体透镜的光学设备之方法。借由改变半固体透镜之形状、大小、尺寸、几何形状、外径或表面曲率而可控制焦距。借由使用一与半固体透镜耦合的一压力控制构件而达到焦距之改变。半固体透镜亦能够固定于一外壳中。

26. 发明专利

TW200812590A 用於癌症治療和幹細胞調制之方法 METHODS FOR CANCER THERAPY AND STEM CELL MODULATION 审中-公开
简体标题：用于癌症治疗和干细胞调制之方法 METHODS FOR CANCER THERAPY AND STEM CELL MODULATION
公开(公告)号：TW200812590A
公开(公告)日：2008-03-16
申请号：TW096106615
申请日：2007-02-27
申请人：新加坡科技研究局 AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH
发明人：游慶 YU QIANG , 丁俊 TAN JING , 顏秀俊 YANG XIAO JING
IPC分类号： A61K , A61P
CPC分类号： A61K31/519 , A61K31/52
摘要：本發明係關於一種誘導腫瘤細胞凋亡以及調制幹/祖細胞的多能性及/或自我更生特性之方法,該方法包括投予個別的細胞一種通式(I)化合物:
096106615P01.bmp
其中於式(I)中,A為碳(C)或氮(N);R^1,R^4和R^5為,各自獨立地選自下列所組成的群組:氫(H)和脂族、環脂族、芳香族、芳基脂族與芳基環脂族烴基,彼等基包含0-3個選自N、氧(O)、硫(S)和矽(Si)的群組中之雜原子;R^4和R^5可視需要地聯結以定義一脂族烴橋聯;R^2係氫(H)或鹵素,諸如氟(F)或氯(Cl);R^3為H或一脂族或芳基脂族烴基,該基包含1-8個主鏈碳原子和0-3個為N、O、S、Si之雜原子,或鹵素諸如Cl或F;本發明也提供一種用於誘導腫瘤細胞凋亡及/或調制幹/祖細胞的多能性及/或自我更生特性之醫藥組成物,該醫藥組成物包含如上文所定義的化合物或其藥學上可接受的鹽和載劑或稀釋劑。
简体摘要：本发明系关于一种诱导肿瘤细胞凋亡以及调制干/祖细胞的多能性及/或自我更生特性之方法,该方法包括投予个别的细胞一种通式(I)化合物: 096106615P01.bmp 其中于式(I)中,A为碳(C)或氮(N);R^1,R^4和R^5为,各自独立地选自下列所组成的群组:氢(H)和脂族、环脂族、芳香族、芳基脂族与芳基环脂族烃基,彼等基包含0-3个选自N、氧(O)、硫(S)和硅(Si)的群组中之杂原子;R^4和R^5可视需要地联结以定义一脂族烃桥联;R^2系氢(H)或卤素,诸如氟(F)或氯(Cl);R^3为H或一脂族或芳基脂族烃基,该基包含1-8个主链碳原子和0-3个为N、O、S、Si之杂原子,或卤素诸如Cl或F;本发明也提供一种用于诱导肿瘤细胞凋亡及/或调制干/祖细胞的多能性及/或自我更生特性之医药组成物,该医药组成物包含如上文所定义的化合物或其药学上可接受的盐和载剂或稀释剂。

27. 发明专利

TWI292048B 可變焦距之微透鏡 VARIABLE FOCUS MICROLENS 失效
简体标题：可变焦距之微透镜 VARIABLE FOCUS MICROLENS
公开(公告)号：TWI292048B
公开(公告)日：2008-01-01
申请号：TW094124193
申请日：2005-07-15
申请人：新加坡科技研究局 AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH
发明人：依莎貝爾羅德貴之費南德茲 RODRIGUEZ FERNANDEZ, ISABEL , 彼得麥爾康莫倫 MORAN, PETER M , 許毅豪 KHAW, AIK HAU , 沙曼達馬提拉凱 DHARMATILLEKE, SAMAN
IPC分类号： G02B
CPC分类号： G02B3/14
摘要：一種微透鏡晶片，其包括一可變焦距之流體微透鏡及致動器。該致動器改變該微透鏡晶片中之一流體通道中的壓力，該流體通道耦接至一含有微透鏡之光圈開口(aperture opening)。施加一電場至該致動器產生了該流體通道中之流體壓力之變化，其接著改變該流體微透鏡之曲率半徑（意即，焦距）。
简体摘要：一种微透镜芯片，其包括一可变焦距之流体微透镜及致动器。该致动器改变该微透镜芯片中之一流体信道中的压力，该流体信道耦接至一含有微透镜之光圈开口(aperture opening)。施加一电场至该致动器产生了该流体信道中之流体压力之变化，其接着改变该流体微透镜之曲率半径（意即，焦距）。

28. 发明专利

TW200741185A 光學波前感測器 OPTICAL WAVEFRONT SENSOR 审中-公开
简体标题：光学波前传感器 OPTICAL WAVEFRONT SENSOR
公开(公告)号：TW200741185A
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：TW095146676
申请日：2006-12-13
申请人：新加坡科技研究局 AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH
发明人：李向 LI, XIANG , 趙麗萍 ZHAO, LIPING , 方仲平 FANG, ZHONG PING , 克夏那阿蘇迪安那德 ANAND, KRISHNA ASUNDI , 王仁生 ONG, LIN SENG , 赫拉旺李諾夫 RINOV, HERAWAN
IPC分类号： G01J , G02B
CPC分类号： G02B5/1876 , G01J9/00 , G02B5/1885 , G02B26/06
摘要：本發明揭示一種光學波前感測器,其包含一光操控裝置;一偵測器,其用於偵測已經受該光操控裝置之光信號;以及一控制器,其係耦合至該操控裝置,該控制器控制該操控裝置以用作一小透鏡陣列,該陣列之各小透鏡將一波前之一入射部分聚焦於該偵測器上。該控制器亦可控制該偵測器與該操控裝置間的距離。藉由以該操控裝置數位掃描該波前,可增加Shack-Hartmann感測器之空間解析度。藉由設定該操控裝置之參數,該波前感測可加以動態調適。
简体摘要：本发明揭示一种光学波前传感器,其包含一光操控设备;一侦测器,其用于侦测已经受该光操控设备之光信号;以及一控制器,其系耦合至该操控设备,该控制器控制该操控设备以用作一小透镜数组,该数组之各小透镜将一波前之一入射部分聚焦于该侦测器上。该控制器亦可控制该侦测器与该操控设备间的距离。借由以该操控设备数码扫描该波前,可增加Shack-Hartmann传感器之空间分辨率。借由设置该操控设备之参数,该波前传感可加以动态调适。

29. 发明专利

TW200715655A 應用於超寬頻之小型化天線 COMPACT ANTENNAS FOR ULTRA-WIDEBAND APPLICATIONS 审中-公开
简体标题：应用于超宽带之小型化天线 COMPACT ANTENNAS FOR ULTRA-WIDEBAND APPLICATIONS
公开(公告)号：TW200715655A
公开(公告)日：2007-04-16
申请号：TW095130354
申请日：2006-08-17
申请人：新加坡科技研究局 AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH
发明人：陳志寧 CHEN, ZHINING , 徐詩炳 SEE, SHIE PING TERENCE
IPC分类号： H01Q
CPC分类号： H01Q1/38 , H01Q5/371 , H01Q9/40
摘要：本發明揭露一種可在基板的至少一個第一表面上形成、做為超寬頻應用之天線。天線具一個傳送接收通訊信號的輻射元件。輻射元件包含一個第一部分,一個第二部分及一個切口。切口從輻射元件的一部分邊緣延伸到輻射元件內,做為實質上把輻射元件分成該第一和第二部分。輻射元件還包含一個互連部分,結構上把第一及第二部分連接起來。互連部分實質上在輻射元件該部分邊緣的遠側形成。此外,天線還包含一個第一臂狀物。第一臂狀物從輻射元件的第一部分向外延伸,做為修改天線的操作頻率範圍。
简体摘要：本发明揭露一种可在基板的至少一个第一表面上形成、做为超宽带应用之天线。天线具一个发送接收通信信号的辐射组件。辐射组件包含一个第一部分,一个第二部分及一个切口。切口从辐射组件的一部分边缘延伸到辐射组件内,做为实质上把辐射组件分成该第一和第二部分。辐射组件还包含一个互连部分,结构上把第一及第二部分连接起来。互连部分实质上在辐射组件该部分边缘的远侧形成。此外,天线还包含一个第一臂状物。第一臂状物从辐射组件的第一部分向外延伸,做为修改天线的操作频率范围。

30. 发明专利

TW200704745A 經溶液加工之有機金屬錯合物及彼等於電致發光裝置中之用途 SOLUTION PROCESSED ORGANOMETALLIC COMPLEXES AND THEIR USE IN ELECTROLUMINESCENT DEVICES 审中-公开
简体标题：经溶液加工之有机金属错合物及彼等于电致发光设备中之用途 SOLUTION PROCESSED ORGANOMETALLIC COMPLEXES AND THEIR USE IN ELECTROLUMINESCENT DEVICES
公开(公告)号：TW200704745A
公开(公告)日：2007-02-01
申请号：TW095106911
申请日：2006-03-01
申请人：新加坡科技研究局 AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH
发明人：陳志寬 CHEN, ZHIKUAN , 黃春 HUANG, CHUN , 甄常刮 ZHEN, CHANGGUA , 姚俊紅 YAO, JUNHONG
IPC分类号： C09K , C07F , H05B
CPC分类号： C09K11/06 , C07F15/0033 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , C09K2211/185 , H05B33/14
摘要：本發明提供新穎的磷光有機金屬錯合物。本發明之錯合物可製備成薄膜,該薄膜進一步包括可用作有機發光裝置中之發射層的載電荷主體材料。在一實施例中,該錯合物為包含2–苯基啶配位基之超分枝有機銥錯合物,其中苯環或啶環含有4個非氫取代基。在另一實施例中,該錯合物為包含經取代之2–苯基啶配位基的有機銥錯合物,其中至少一個取代基包含螺基。
095106911-p01.bmp
简体摘要：本发明提供新颖的磷光有机金属错合物。本发明之错合物可制备成薄膜,该薄膜进一步包括可用作有机发光设备中之发射层的载电荷主体材料。在一实施例中,该错合物为包含2–苯基啶配位基之超分枝有机铱错合物,其中苯环或啶环含有4个非氢取代基。在另一实施例中,该错合物为包含经取代之2–苯基啶配位基的有机铱错合物,其中至少一个取代基包含螺基。 095106911-p01.bmp

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