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21. 发明专利

TW200407285A 氨基烷基磺酸之製造方法及其鹽之鹽交換方法 METHOD FOR PRODUCING AMINOALKYLSULFONIC ACID AND EXCHANGING ITS SALT 审中-公开
简体标题：氨基烷基磺酸之制造方法及其盐之盐交换方法 METHOD FOR PRODUCING AMINOALKYLSULFONIC ACID AND EXCHANGING ITS SALT
公开(公告)号：TW200407285A
公开(公告)日：2004-05-16
申请号：TW092124298
申请日：2003-09-03
申请人：和光純藥工業股份有限公司 WAKO PURE CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：木村卓博 TAKUHIRO KIMURA , 谷力 TSUTOMU TANI , 宮原令二 MIYAHARA, REIJI
IPC分类号： C07C
CPC分类号： C07C303/22 , C07C303/32 , C07C309/14
摘要：本發明為關於工業規模有效率製造氨基烷基磺酸之方法，係提供「一種式(2)所示氨基烷基磺酸之製造方法：其特徵為使式〔1〕所示之氨基烷基磺酸鹽或其水溶液092124298p01.bmp(式中，R^1及R^2各自獨立，表氫原子、烷基、芳基或芳烷基；R^3及R^4各自獨立，表氫原子或烷基；M表鹼金屬原子、有機銨離子或銨離子。)，或該等之任一者溶於選自碳原子數1至3之醇、碳原子數2至12之羧酸及二甲基甲醯胺之水溶性有機溶劑者，與有機酸反應，而製造式〔2〕所示之氨基烷基磺酸：092124298p02.bmp(式中，R^1至R^4為與前述相同者。)以及一種氨基烷基磺酸鹽之鹽交換方法，其特徵為使上述式〔2〕所示之氨基烷基磺酸於醇或水中，與式〔6〕所示之氫氧化物反應：M’OH〔6〕(式中，M’表鹼金屬原子、有機銨離子或銨離子。)，而生成式〔1’〕所示之氨基烷基磺酸鹽者：092124298p03.bmp(式中，R^1至R^4及M’為與前述相同者。)」。
简体摘要：本发明为关于工业规模有效率制造氨基烷基磺酸之方法，系提供“一种式(2)所示氨基烷基磺酸之制造方法：其特征为使式〔1〕所示之氨基烷基磺酸盐或其水溶液092124298p01.bmp(式中，R^1及R^2各自独立，表氢原子、烷基、芳基或芳烷基；R^3及R^4各自独立，表氢原子或烷基；M表碱金属原子、有机铵离子或铵离子。)，或该等之任一者溶于选自碳原子数1至3之醇、碳原子数2至12之羧酸及二甲基甲酰胺之水溶性有机溶剂者，与有机酸反应，而制造式〔2〕所示之氨基烷基磺酸：092124298p02.bmp(式中，R^1至R^4为与前述相同者。)以及一种氨基烷基磺酸盐之盐交换方法，其特征为使上述式〔2〕所示之氨基烷基磺酸于醇或水中，与式〔6〕所示之氢氧化物反应：M’OH〔6〕(式中，M’表碱金属原子、有机铵离子或铵离子。)，而生成式〔1’〕所示之氨基烷基磺酸盐者：092124298p03.bmp(式中，R^1至R^4及M’为与前述相同者。)”。

22. 发明专利

TW200825207A 無電解鍍覆用組成物及使用該組成物之金屬保護膜之形成方法 COMPOSITION FOR NONELECTROLYTIC PLATING AND METHOD OF FORMING METALLIC PROTECTION FILM USING THE SAME 审中-公开
简体标题：无电解镀覆用组成物及使用该组成物之金属保护膜之形成方法 COMPOSITION FOR NONELECTROLYTIC PLATING AND METHOD OF FORMING METALLIC PROTECTION FILM USING THE SAME
公开(公告)号：TW200825207A
公开(公告)日：2008-06-16
申请号：TW096135305
申请日：2007-09-21
申请人：和光純藥工業股份有限公司 WAKO PURE CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：梅北謙一 UMEKITA, KENICHI
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C18/31
摘要：本發明之目的為提供一種無電解鍍覆用組成物及金屬保護膜之形成方法,該無電解鍍覆用組成物可在半導體基板上所形成之銅等金屬配線施加平坦之金屬保護膜,更詳細言之,其目的係提供一種無電解鍍覆用組成物及使用該鍍覆用組成物之金屬保護膜之形成方法,其係抑制銅配線之腐蝕或溶出而能形成平坦之金屬保護膜,特別是可有效地形成多層配線;本發明係一種無電解鍍覆用組成物及使用該組成物之金屬保護膜之形成方法之發明,其中,該無電解鍍覆用組成物含有:鍍覆金屬離子、還原劑、可與鍍覆金屬離子形成錯合物之化合物、以及通式(1)所示之化合物
096135305P01.bmp
(式中,R^1及R^2係分別獨立地表示碳數1至3之烷基,R^3表示可具有氧原子之碳數1至6之2價脂肪族烴基)。
简体摘要：本发明之目的为提供一种无电解镀覆用组成物及金属保护膜之形成方法,该无电解镀覆用组成物可在半导体基板上所形成之铜等金属配线施加平坦之金属保护膜,更详细言之,其目的系提供一种无电解镀覆用组成物及使用该镀覆用组成物之金属保护膜之形成方法,其系抑制铜配线之腐蚀或溶出而能形成平坦之金属保护膜,特别是可有效地形成多层配线;本发明系一种无电解镀覆用组成物及使用该组成物之金属保护膜之形成方法之发明,其中,该无电解镀覆用组成物含有:镀覆金属离子、还原剂、可与镀覆金属离子形成错合物之化合物、以及通式(1)所示之化合物 096135305P01.bmp (式中,R^1及R^2系分别独立地表示碳数1至3之烷基,R^3表示可具有氧原子之碳数1至6之2价脂肪族烃基)。

23. 发明专利

TW200812945A 磺酸酯之製造法 METHOD FOR MAKING SULFONIC ACID ESTER 审中-公开
简体标题：磺酸酯之制造法 METHOD FOR MAKING SULFONIC ACID ESTER
公开(公告)号：TW200812945A
公开(公告)日：2008-03-16
申请号：TW096114947
申请日：2007-04-27
申请人：和光純藥工業股份有限公司 WAKO PURE CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：岡本訓明 OKAMOTO, KUNIAKI , 綿引勉 WATAHIKI, TSUTOMU , 角野元重 SUMINO, MOTOSHIGE , 柴崎貴雄 SHIBASAKI, TAKAO
IPC分类号： C07C
CPC分类号： C07C303/26 , C07D327/00 , C07C309/65 , C07C309/66 , C07C309/73 , C07C309/76 , C07C309/67
摘要：本發明之課題係提供有效且高收率的磺酸酯之製造方法。本發明為磺酸酯化合物的製造方法,其特徵為:使(a)具有磺酸基(-SO3H)的化合物與(b)具有以通式【【1】】表示之基的化合物-OR^1 【【1】】【【式中,R^1為以通式【【2】】表示的磺醯基(式中,R^2表示鹵素原子、鹵烷基、烷氧基或亦可具有取代基的烷基或芳基)-SO2-R^2 【【2】】或以通式【【3】】表示的醯基(式中,R^3為亦可具有取代基的烷基或芳基)】】
096114947P01.bmp
,於可與該磺酸基形成鹽的有機鹼之共存下進行反應。
简体摘要：本发明之课题系提供有效且高收率的磺酸酯之制造方法。本发明为磺酸酯化合物的制造方法,其特征为:使(a)具有磺酸基(-SO3H)的化合物与(b)具有以通式【【1】】表示之基的化合物-OR^1 【【1】】【【式中,R^1为以通式【【2】】表示的磺酰基(式中,R^2表示卤素原子、卤烷基、烷氧基或亦可具有取代基的烷基或芳基)-SO2-R^2 【【2】】或以通式【【3】】表示的酰基(式中,R^3为亦可具有取代基的烷基或芳基)】】 096114947P01.bmp ,于可与该磺酸基形成盐的有机碱之共存下进行反应。

24. 发明专利

TW200631897A 重氫氣之製造方法,及使用由該方法製得之重氫氣之接觸重氫化方法 METHOD FOR MAKING HEAVY HYDROGEN GAS AND A CONTACT DEUTERATION/TRITIATION METHOD USING THE HEAVY HYDROGEN GAS BOTAINED BY SUCH METHOD FOR MAKING HEAVY HYDROGEN GAS 审中-公开
简体标题：重氢气之制造方法,及使用由该方法制得之重氢气之接触重氢化方法 METHOD FOR MAKING HEAVY HYDROGEN GAS AND A CONTACT DEUTERATION/TRITIATION METHOD USING THE HEAVY HYDROGEN GAS BOTAINED BY SUCH METHOD FOR MAKING HEAVY HYDROGEN GAS
公开(公告)号：TW200631897A
公开(公告)日：2006-09-16
申请号：TW095102209
申请日：2006-01-20
申请人：和光純藥工業股份有限公司 WAKO PURE CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：廣田耕作 HIROTA, KOSAKU , 佐治木弘尚 SAJIKI, HIRONAO , 伊藤伸浩 ITO, NOBUHIRO
IPC分类号： C01B , C07B , C07C
CPC分类号： C07C209/36 , B01J21/18 , B01J23/42 , B01J23/44 , B01J23/46 , B01J23/75 , B01J23/755 , C01B4/00 , C07B59/00 , C07B2200/05 , C07C57/30 , C07C209/48 , C07C211/46 , C07C211/48
摘要：本發明係提供對反應基質之經重氫化溶劑，可有效率地生成重氫氣的重氫氣之製造法。本發明的解決手段係：(1)重氫氣之製造方法，其特徵為：在選擇自鈀觸媒、白金觸媒、鎳觸媒、鈷觸媒及銥觸媒、及未具配位基之銠觸媒及釕觸媒中的觸媒共存下，使經重氫化溶劑在加壓下，與氫氣進行接觸；以及(2)具還原性官能基之化合物的接觸重氫化方法，其特徵為：將依上述(1)所獲得重氫氣，在接觸還原觸媒共存下，與具還原性官能基之化合物進行接觸。
简体摘要：本发明系提供对反应基质之经重氢化溶剂，可有效率地生成重氢气的重氢气之制造法。本发明的解决手段系：(1)重氢气之制造方法，其特征为：在选择自钯触媒、白金触媒、镍触媒、钴触媒及铱触媒、及未具配位基之铑触媒及钌触媒中的触媒共存下，使经重氢化溶剂在加压下，与氢气进行接触；以及(2)具还原性官能基之化合物的接触重氢化方法，其特征为：将依上述(1)所获得重氢气，在接触还原触媒共存下，与具还原性官能基之化合物进行接触。

25. 发明专利

TW200613332A 鹵丙烯酸或其鹽之重氫化方法 METHOD FOR DEUTERATING HALO-ACRYLIC ACID AND SALT THEREOF 审中-公开
简体标题：卤丙烯酸或其盐之重氢化方法 METHOD FOR DEUTERATING HALO-ACRYLIC ACID AND SALT THEREOF
公开(公告)号：TW200613332A
公开(公告)日：2006-05-01
申请号：TW094120543
申请日：2005-06-21
申请人：和光純藥工業股份有限公司 WAKO PURE CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：前澤典明 MAESAWA, TSUNEAKI , 伊藤伸浩 ITO, NOBUHIRO , 廣田耕作 HIROTA, KOSAKU , 佐治木弘尚 SAJIKI, HIRONAO
IPC分类号： C08F , C07C , B01J
CPC分类号： C07B59/001 , C07B2200/05 , C07C51/347 , C07C57/54
摘要：本發明之目的在提供有效率且工業化之重氫化鹵丙烯酸或其鹽之方法，本發明係有關下列一般式〔1〕所示化合物之重氫化方法，094120543-p01.bmp(式中，R^1及R^2為各自獨立地表示輕氫原子或重氫原子，且R^1及R^2之至少一方為輕氫原子，R^3表示輕氫原子、重氫原子、鹼金屬原子或鹼土金屬原子，X表示鹵素原子，n表示1或2)，其特徵為在未施予活化處理之選自鈀觸媒、鉑觸媒、銠觸媒、釕觸媒、鎳觸媒及鈷觸媒之觸媒共存在下，和重氫源反應，以及下列一般式〔2〕所示之重氫化合物：094120543-p02.bmp(式中，R^4及R^5各自獨立地為輕氫原子或重氫原子，且R^4及R^5之至少一方為重氫原子，R^3表示輕氫原子、重氫原子、鹼金屬原子或鹼土金屬原子，X表示鹵素原子，n表示1或2)。094120543-p01.bmp
简体摘要：本发明之目的在提供有效率且工业化之重氢化卤丙烯酸或其盐之方法，本发明系有关下列一般式〔1〕所示化合物之重氢化方法，094120543-p01.bmp(式中，R^1及R^2为各自独立地表示轻氢原子或重氢原子，且R^1及R^2之至少一方为轻氢原子，R^3表示轻氢原子、重氢原子、碱金属原子或碱土金属原子，X表示卤素原子，n表示1或2)，其特征为在未施予活化处理之选自钯触媒、铂触媒、铑触媒、钌触媒、镍触媒及钴触媒之触媒共存在下，和重氢源反应，以及下列一般式〔2〕所示之重氢化合物：094120543-p02.bmp(式中，R^4及R^5各自独立地为轻氢原子或重氢原子，且R^4及R^5之至少一方为重氢原子，R^3表示轻氢原子、重氢原子、碱金属原子或碱土金属原子，X表示卤素原子，n表示1或2)。094120543-p01.bmp

26. 发明专利

TW200418977A 洗淨液及使用該洗淨液之洗淨方法审中-公开
简体标题：洗净液及使用该洗净液之洗净方法
公开(公告)号：TW200418977A
公开(公告)日：2004-10-01
申请号：TW092131362
申请日：2003-11-10
申请人：和光純藥工業股份有限公司 WAKO PURE CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：林田一良 ICHIRO HAYASHIDA , 水田浩德 HIRONORI MIZUTA , 加藤岳久 TAKEHISA KATO
IPC分类号： C11D
CPC分类号： H01L21/02052 , C11D7/36 , C11D11/0047 , H01L21/02068
摘要：本發明係關於一種洗淨液及使用該洗淨液之洗淨方法；也就是說，本發明係關於一種含有藉由下列通式(1)092131362-p01.bmp(式中之Y^1及Y^2係表示低級亞烷基，n係表示0～4之整數，R^1～R^4和n個R^5內之至少4個係表示具有磺酸基之烷基，同時，殘留者係表示烷基。)所示之螯合劑或其鹽、鹼化合物及純水之各種成分並且pH值成為8～13而且可以施加金屬配線之半導體基板用洗淨液及使用該洗淨液之洗淨方法；係提供一種即使是使用在採用鹼性研磨劑或鹼性蝕刻液之作業後、也不會使得基板表面上之微粒進行凝膠化而困難除去或者是在半導體基板表面容易發生面粗糙等之問題、可以效率良好地除去半導體基板表面上之微細粒子(微粒)或者是由於各種金屬所造成之不純物之洗淨液及使用該洗淨液之半導體基板之洗淨方法。
简体摘要：本发明系关于一种洗净液及使用该洗净液之洗净方法；也就是说，本发明系关于一种含有借由下列通式(1)092131362-p01.bmp(式中之Y^1及Y^2系表示低级亚烷基，n系表示0～4之整数，R^1～R^4和n个R^5内之至少4个系表示具有磺酸基之烷基，同时，残留者系表示烷基。)所示之螯合剂或其盐、碱化合物及纯水之各种成分并且pH值成为8～13而且可以施加金属配线之半导体基板用洗净液及使用该洗净液之洗净方法；系提供一种即使是使用在采用碱性研磨剂或碱性蚀刻液之作业后、也不会使得基板表面上之微粒进行凝胶化而困难除去或者是在半导体基板表面容易发生面粗糙等之问题、可以效率良好地除去半导体基板表面上之微细粒子(微粒)或者是由于各种金属所造成之不纯物之洗净液及使用该洗净液之半导体基板之洗净方法。

27. 发明专利

TW200413273A 雜環之重氫化方法 HEAVY HYDROGENATION MATHOD OF HETEROCYCLIC RINGS 审中-公开
简体标题：杂环之重氢化方法 HEAVY HYDROGENATION MATHOD OF HETEROCYCLIC RINGS
公开(公告)号：TW200413273A
公开(公告)日：2004-08-01
申请号：TW092130731
申请日：2003-11-04
申请人：和光純藥工業股份有限公司 WAKO PURE CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：伊藤伸浩 ITO, NOBUHIRO , 前澤典明 MAESAWA, TSUNEAKI , 無藤和重 MUTO, KAZUSHIGE , 廣田耕作 HIROTA, KOSAKU , 佐治木弘尚 SAJIKI, HIRONAO
IPC分类号： C07B
CPC分类号： C07D213/16 , C07B59/002 , C07D209/20 , C07D231/12 , C07D233/54 , C07D233/56 , C07D235/06 , C07D239/54 , C07D471/04 , C07D473/30 , C07H19/067 , C07H19/167 , Y02P20/544
摘要：本發明提供在重氫化溶劑中，藉選擇自經活化之鈀觸媒、鉑觸媒、銠觸媒、釕觸媒、鎳觸媒和鈷觸媒中之觸媒存在下，將具有雜環之化合物放置密封迴流下實施重氫化反應為其特徵之方法。依據本發明方法，可以把重氫化反應溫度保持在高於溶劑之沸點溫度，所以能將具有雜環之化合物在雜環上之氫原子非常有效率地加以重氫化。又，本發明之重氫化方法，可以廣泛地應用在超臨界條件或酸性條件下分解之具有各種雜環之化合物之重氫化反應，成為具有雜環之化合物有效率且工業製造之重氫化方法。
简体摘要：本发明提供在重氢化溶剂中，藉选择自经活化之钯触媒、铂触媒、铑触媒、钌触媒、镍触媒和钴触媒中之触媒存在下，将具有杂环之化合物放置密封回流下实施重氢化反应为其特征之方法。依据本发明方法，可以把重氢化反应温度保持在高于溶剂之沸点温度，所以能将具有杂环之化合物在杂环上之氢原子非常有效率地加以重氢化。又，本发明之重氢化方法，可以广泛地应用在超临界条件或酸性条件下分解之具有各种杂环之化合物之重氢化反应，成为具有杂环之化合物有效率且工业制造之重氢化方法。

28. 发明专利

TW200919086A 負型感光性樹脂組成物、間隔件及液晶顯示裝置 NEGATIVE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, SPACER AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE 审中-公开
简体标题：负型感光性树脂组成物、间隔件及液晶显示设备 NEGATIVE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, SPACER AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE
公开(公告)号：TW200919086A
公开(公告)日：2009-05-01
申请号：TW097129493
申请日：2008-08-04
申请人：和光純藥工業股份有限公司 WAKO PURE CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：保幸宏 HOSAKA, YOSHIHIRO , 前澤典明 MAESAWA, TSUNEAKI
IPC分类号： G03F , G02F
CPC分类号： G03F7/033 , G02F1/13394 , G03F7/0007
摘要：本發明之目的在於提供一種以適宜作為間隔件用之感光性材料的負型感光性樹脂組成物,更詳而言之,提供可製作具有高收縮率與高彈性恢復率之間隔件的顯像性優異之負型感光性樹脂組成物,使用此組成物所製作之間隔件及液晶顯示裝置。本發明之負型感光性樹脂組成物,其特徵在於:含有【【A】】(a)由源自不飽和羧酸之單體單元與源自自由基聚合性不飽和化合物之單體單元所成之鹼可溶性樹脂及(b)由源自不飽和羧酸之單體單元與源自含有環氧基之自由基聚合性不飽和化合物的單體單元所成之鹼可溶性樹脂、【【B】】多官能性(甲基)丙烯酸酯、以及【【C】】光聚合起始劑;由該組成物所製作之間隔件;進一步係其特徵在於具備該間隔件之液晶顯示裝置。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种以适宜作为间隔件用之感光性材料的负型感光性树脂组成物,更详而言之,提供可制作具有高收缩率与高弹性恢复率之间隔件的显像性优异之负型感光性树脂组成物,使用此组成物所制作之间隔件及液晶显示设备。本发明之负型感光性树脂组成物,其特征在于:含有【【A】】(a)由源自不饱和羧酸之单体单元与源自自由基聚合性不饱和化合物之单体单元所成之碱可溶性树脂及(b)由源自不饱和羧酸之单体单元与源自含有环氧基之自由基聚合性不饱和化合物的单体单元所成之碱可溶性树脂、【【B】】多官能性(甲基)丙烯酸酯、以及【【C】】光聚合起始剂;由该组成物所制作之间隔件;进一步系其特征在于具备该间隔件之液晶显示设备。

29. 发明专利

TW200815389A 環狀二磺酸酯之製造方法 METHOD FOR PREPARATION OF CYCLIC DISULFONATE ESTER 失效
简体标题：环状二磺酸酯之制造方法 METHOD FOR PREPARATION OF CYCLIC DISULFONATE ESTER
公开(公告)号：TW200815389A
公开(公告)日：2008-04-01
申请号：TW096119071
申请日：2007-05-29
申请人：和光純藥工業股份有限公司 WAKO PURE CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：岡本訓明 OKAMOTO, KUNIAKI , 綿引勉 WATAHIKI, TSUTOMU , 角野元重 SUMINO, MOTOSHIGE
IPC分类号： C07D
CPC分类号： C07D327/00 , C07D327/06
摘要：本發明之目的係提供收率高且有利工業化生產之環狀二磺酸酯之製造方法,本發明係一種通式(3)所示之環狀二磺酸酯之製造方法,其特徵為:在非極性溶劑中,使通式(1)所示之烷烴二磺酸銀(silver alkanedisulfonate)與通式(2)所示之二鹵化烷烴進行反應
096119071P01.bmp
(式中,X1及X2係各自獨立地表示氯原子、溴原子或碘原子,Y及Z係各自獨立地表示可在鏈中具有雜原子且有取代或無取代之伸烷基鏈)。
简体摘要：本发明之目的系提供收率高且有利工业化生产之环状二磺酸酯之制造方法,本发明系一种通式(3)所示之环状二磺酸酯之制造方法,其特征为:在非极性溶剂中,使通式(1)所示之烷烃二磺酸银(silver alkanedisulfonate)与通式(2)所示之二卤化烷烃进行反应 096119071P01.bmp (式中,X1及X2系各自独立地表示氯原子、溴原子或碘原子,Y及Z系各自独立地表示可在链中具有杂原子且有取代或无取代之伸烷基链)。

30. 发明专利

TWI284509B 抗原生生物製劑 ANTI-PROTISTA PREPARATION 失效
简体标题：抗原生生物制剂 ANTI-PROTISTA PREPARATION
公开(公告)号：TWI284509B
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：TW090109747
申请日：2001-04-24
申请人：和光純藥工業股份有限公司 WAKO PURE CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：加藤博之 HIROYUKI KATO , 矢崎忠芳 TADAYOSHI YAZAKI , 丸山時彥 TOKIHIKO MARUYAMA
IPC分类号： A01N
CPC分类号： C02F1/50 , A01N25/10 , A01N25/34 , A01N33/12 , A01N43/40 , A01N2300/00
摘要：本發明提供一種新穎之緩釋性抗原生生物製劑，可以更簡便且長期性地預防、排除在冰箱、冰櫃等之排水管部份等水道中細菌、黴菌、藻類等原生生物繁殖造成之不良影響。
亦即一種利用水不溶性或難溶性之在常溫下為固體之水濕潤性高分子化合物為緩釋性基劑之緩釋性抗原生生物製劑及其製造方法，以及一種消滅水道中原生生物或防止其繁殖之方法，其特徵為將該緩釋性抗原生生物製劑放置於水道中。
简体摘要：本发明提供一种新颖之缓释性抗原生生物制剂，可以更简便且长期性地预防、排除在冰箱、冰柜等之排水管部份等水道中细菌、霉菌、藻类等原生生物繁殖造成之不良影响。亦即一种利用水不溶性或难溶性之在常温下为固体之水湿润性高分子化合物为缓释性基剂之缓释性抗原生生物制剂及其制造方法，以及一种消灭水道中原生生物或防止其繁殖之方法，其特征为将该缓释性抗原生生物制剂放置于水道中。

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