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21. 发明专利

TWI416618B 處理氣體供給機構及處理氣體供給方法以及氣體處理裝置有权
简体标题：处理气体供给机构及处理气体供给方法以及气体处理设备
公开(公告)号：TWI416618B
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：TW096136749
申请日：2007-10-01
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：佐藤亮 , SATO, RYO , 齊藤均 , SAITO, HITOSHI
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/02 , H01L21/205 , C23C16/448

22. 发明专利

TWI555444B 感應耦合電漿處理裝置之蓋板固定具及蓋板固定裝置有权
简体标题：感应耦合等离子处理设备之盖板固定具及盖板固定设备
公开(公告)号：TWI555444B
公开(公告)日：2016-10-21
申请号：TW099108619
申请日：2010-03-24
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：佐藤亮 , SATO, RYO , 齊藤均 , SAITO, HITOSHI , 天野健次 , AMANO, KENJI
IPC分类号： H05H1/46

23. 发明专利

TWI551196B 感應耦合電漿用天線單元、以及感應耦合電漿處理裝置有权
简体标题：感应耦合等离子用天线单元、以及感应耦合等离子处理设备
公开(公告)号：TWI551196B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：TW101120288
申请日：2012-06-06
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：佐藤亮 , SATO, RYO , 齊藤均 , SAITO, HITOSHI
IPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32

24. 发明专利

TWI508633B 電感耦合電漿處理裝置、電漿處理方法及記憶媒體有权
简体标题：电感耦合等离子处理设备、等离子处理方法及记忆媒体
公开(公告)号：TWI508633B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：TW098135948
申请日：2009-10-23
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：佐佐木和男 , SASAKI, KAZUO , 齊藤均 , SAITO, HITOSHI , 佐藤亮 , SATO, RYO
IPC分类号： H05H1/46

25. 发明专利

TW201440113A 感應耦合電漿處理裝置审中-公开
简体标题：感应耦合等离子处理设备
公开(公告)号：TW201440113A
公开(公告)日：2014-10-16
申请号：TW102140490
申请日：2013-11-07
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：佐佐木和男 , SASAKI, KAZUO , 里吉務 , SATOYOSHI, TSUTOMU , 山澤陽平 , YAMAZAWA, YOHEI , 古屋敦城 , FURUYA, ATSUKI , 齊藤均 , SAITO, HITOSHI
IPC分类号： H01J37/32
摘要：〔課題〕提供一種可對大型化之被處理基板，使用金屬窗進行均勻之電漿處理的感應耦合電漿處理裝置。〔解決手段〕一種對矩形狀之基板施予感應耦合電漿處理之感應耦合電漿處理裝置，係具備：處理室，收容基板；高頻天線，用於在配置有處理室內之基板的區域產生感應耦合電漿；及金屬窗，呈矩形狀，被配置於產生有感應耦合電漿之電漿產生區域與高頻天線之間，並對應於基板而設，金屬窗(2)係以電性絕緣的方式分割為包含長邊(2a)之第1區域(201)與包含短邊(2b)之第2區域(202)，且第2區域(202)之徑向的寬度a與第1區域(201)之徑向的寬度b之比a/b係分割為在0.8以上1.2以下的範圍。
简体摘要：〔课题〕提供一种可对大型化之被处理基板，使用金属窗进行均匀之等离子处理的感应耦合等离子处理设备。〔解决手段〕一种对矩形状之基板施予感应耦合等离子处理之感应耦合等离子处理设备，系具备：处理室，收容基板；高频天线，用于在配置有处理室内之基板的区域产生感应耦合等离子；及金属窗，呈矩形状，被配置于产生有感应耦合等离子之等离子产生区域与高频天线之间，并对应于基板而设，金属窗(2)系以电性绝缘的方式分割为包含长边(2a)之第1区域(201)与包含短边(2b)之第2区域(202)，且第2区域(202)之径向的宽度a与第1区域(201)之径向的宽度b之比a/b系分割为在0.8以上1.2以下的范围。

26. 发明专利

TW201349943A 感應耦合電漿處理方法及感應耦合電漿處理裝置审中-公开
简体标题：感应耦合等离子处理方法及感应耦合等离子处理设备
公开(公告)号：TW201349943A
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW102103126
申请日：2013-01-28
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：佐藤亮 , SATO, RYO , 齊藤均 , SAITO, HITOSHI
IPC分类号： H05H1/34 , H05H1/46 , H01J37/32
摘要：本發明的課題是以所望的處理分布來進行感應耦合電漿處理。其解決手段是藉由具備高頻天線的感應耦合電漿處理裝置，使時間不同來實施第1處理及第2處理，在處理終了時間點可對基板取得所望的處理分布，該高頻天線是具有：外側天線，其係被供給高頻電力，而構成形成外側感應電場的漩渦狀；及內側天線，其係於外側天線的內側設成同心狀，被供給高頻電力，而構成形成內側感應電場的漩渦狀，該第1處理是藉由在內側天線流動相對大的電流值的電流而在對應於內側天線的部分所形成的內側感應電場來產生局部性的電漿而進行處理；該第2處理是藉由在外側天線流動相對大的電流值的電流而在對應於前述外側天線的部分所形成的外側感應電場來生成局部性的電漿而進行處理。
简体摘要：本发明的课题是以所望的处理分布来进行感应耦合等离子处理。其解决手段是借由具备高频天线的感应耦合等离子处理设备，使时间不同来实施第1处理及第2处理，在处理终了时间点可对基板取得所望的处理分布，该高频天线是具有：外侧天线，其系被供给高频电力，而构成形成外侧感应电场的漩涡状；及内侧天线，其系于外侧天线的内侧设成同心状，被供给高频电力，而构成形成内侧感应电场的漩涡状，该第1处理是借由在内侧天线流动相对大的电流值的电流而在对应于内侧天线的部分所形成的内侧感应电场来产生局部性的等离子而进行处理；该第2处理是借由在外侧天线流动相对大的电流值的电流而在对应于前述外侧天线的部分所形成的外侧感应电场来生成局部性的等离子而进行处理。

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