专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

21. 发明专利

TW201316846A 對稱電漿處理腔室审中-公开
简体标题：对称等离子处理腔室
公开(公告)号：TW201316846A
公开(公告)日：2013-04-16
申请号：TW101134512
申请日：2012-09-20
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：卡度希詹姆士D , CARDUCCI, JAMES D. , 塔法梭利哈米德 , TAVASSOLI, HAMID , 波拉克里斯那阿吉特 , BALAKRISHNA, AJIT , 陳誌剛 , CHEN, ZHIGANG , 蓋葉安德魯恩 , NGUYEN, ANDREW , 布希博格二世道格拉斯A , BUCHBERGER JR., DOUGLAS A. , 拉馬斯瓦米卡提克 , RAMANSWAMY, KARTIK , 羅夫沙西德 , RAUF, SHAHID , 柯林斯肯尼士S , COLLINS, KENNETH S.
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/67
CPC分类号： H01J37/3244 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/32495 , H01J37/32541 , H01J37/32568 , H01J37/32724 , H01J37/32733 , H01J37/32743 , H01J37/32834 , H01J2237/3321 , H01J2237/3323 , H01J2237/3344 , H05H1/46
摘要：本發明提供一種對稱電漿處理腔室。本發明實施例提供允許極其對稱的電、熱和氣體傳導通過腔室的腔室設計。藉由提供這種對稱，形成在腔室內的電漿自然地在設置在腔室的處理區域中的基板的表面上具有改進的均勻性。此外，其他腔室的附加情況(諸如提供操縱上下電極之間以及在氣體入口和被處理的基板之間的間隙的能力)相較於習知的系統允許對電漿處理和均勻性更好的控制。
简体摘要：本发明提供一种对称等离子处理腔室。本发明实施例提供允许极其对称的电、热和气体传导通过腔室的腔室设计。借由提供这种对称，形成在腔室内的等离子自然地在设置在腔室的处理区域中的基板的表面上具有改进的均匀性。此外，其他腔室的附加情况(诸如提供操纵上下电极之间以及在气体入口和被处理的基板之间的间隙的能力)相较于习知的系统允许对等离子处理和均匀性更好的控制。

22. 发明专利

TW201210413A 具有主動均勻性控制的對稱式超高頻電漿功率耦合器 SYMMETRIC VHF PLASMA POWER COUPLER WITH ACTIVE UNIFORMITY STEERING 审中-公开
简体标题：具有主动均匀性控制的对称式超高频等离子功率耦合器 SYMMETRIC VHF PLASMA POWER COUPLER WITH ACTIVE UNIFORMITY STEERING
公开(公告)号：TW201210413A
公开(公告)日：2012-03-01
申请号：TW100127258
申请日：2011-08-01
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：柯林斯肯尼士S , 陳誌剛 , 拉馬斯瓦米卡提克 , 卡度希詹姆士D , 羅夫沙西德 , 蓋葉安德魯恩
IPC分类号： H05H , H01L
CPC分类号： H01J37/32091 , H01J37/32577 , H05H1/46 , H05H2001/4622
摘要：本發明係關於一種同軸VHF功率耦合器,該同軸VHF功率耦合器包含導電元件,該導電元件係位於功率耦合器之空心圓柱外導體的內側並環繞功率耦合器之空心圓柱內導體的軸向區域。接觸空心圓柱外導體之複數個馬達驅動器各者係連接至可移動導電元件的各個位置。
简体摘要：本发明系关于一种同轴VHF功率耦合器,该同轴VHF功率耦合器包含导电组件,该导电组件系位于功率耦合器之空心圆柱外导体的内侧并环绕功率耦合器之空心圆柱内导体的轴向区域。接触空心圆柱外导体之复数个马达驱动器各者系连接至可移动导电组件的各个位置。

23. 发明专利

TW201205639A 用於調整電偏斜的電漿處理裝置與襯管組件 PLASMA PROCESSING APPARATUS AND LINER ASSEMBLY FOR TUNING ELECTRICAL SKEWS 审中-公开
简体标题：用于调整电偏斜的等离子处理设备与衬管组件 PLASMA PROCESSING APPARATUS AND LINER ASSEMBLY FOR TUNING ELECTRICAL SKEWS
公开(公告)号：TW201205639A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：TW100122473
申请日：2011-06-27
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：卡杜祺詹姆斯D , 陳誌剛 , 羅夫沙西德 , 柯林斯肯尼士S
IPC分类号： H01J
CPC分类号： H01J37/32623 , H01J37/32082 , H01J37/32458 , H01J37/32495 , H01L21/67069 , Y10T428/13
摘要：本發明揭示一種電漿處理裝置,該電漿處理裝置包含腔室蓋、腔室主體及支撐組件。該腔室主體界定處理容積,該處理容積用於含有電漿,該腔室主體用於支撐該腔室蓋。該腔室主體由腔室側壁、底壁及襯管組件組成。該腔室側壁及該底壁界定處理容積,該處理容積用於含有電漿。該襯管組件設置在該處理容積內部,該襯管組件包含兩個或兩個以上狹槽,該等狹槽在襯管組件上形成,該等狹槽用於提供軸向對稱的射頻電流路徑。該支撐組件支撐基板,以在該腔室主體內部進行處理。本發明使用具有若干對稱狹槽的襯管組件,可防止該襯管組件的電磁場產生方位角不對稱現象。
简体摘要：本发明揭示一种等离子处理设备,该等离子处理设备包含腔室盖、腔室主体及支撑组件。该腔室主体界定处理容积,该处理容积用于含有等离子,该腔室主体用于支撑该腔室盖。该腔室主体由腔室侧壁、底壁及衬管组件组成。该腔室侧壁及该底壁界定处理容积,该处理容积用于含有等离子。该衬管组件设置在该处理容积内部,该衬管组件包含两个或两个以上狭槽,该等狭槽在衬管组件上形成,该等狭槽用于提供轴向对称的射频电流路径。该支撑组件支撑基板,以在该腔室主体内部进行处理。本发明使用具有若干对称狭槽的衬管组件,可防止该衬管组件的电磁场产生方位角不对称现象。

24. 发明专利

TW201127226A 用於電漿處理的RF饋電結構 RF FEED STRUCTURE FOR PLASMA PROCESSING 审中-公开
简体标题：用于等离子处理的RF馈电结构 RF FEED STRUCTURE FOR PLASMA PROCESSING
公开(公告)号：TW201127226A
公开(公告)日：2011-08-01
申请号：TW099124951
申请日：2010-07-28
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：陳誌剛 , 羅夫沙西德 , 柯林肯尼S , 薩理納斯馬丁傑夫 , 巴那沙莫 , 托多羅法倫帝N
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32174
摘要：本發明提供用於電漿處理的裝置。在一些實施例中，RF饋電結構包括將RF功率耦合到多個對稱佈置的堆疊的第一RF線圈元件的第一RF饋電器；圍繞所述第一RF饋電器同軸地設置且與該第一RF饋電器電氣絕緣的第二RF饋電器，該第二RF饋電器將RF功率耦合到多個對稱佈置的堆疊的第二RF線圈元件，其中該第二RF線圈元件相對於該第一RF線圈元件同軸地設置。在一些實施例中，電漿處理裝置包括第一RF線圈；相對於該第一RF線圈同軸地設置的第二RF線圈；耦合到該第一RF線圈以提供RF功率到其上的第一RF饋電器；以及相對於該第一RF饋電器同軸地設置且與該第一RF饋電器電氣絕緣的第二RF饋電器，該第二RF饋電器耦合到該第二RF線圈以提供RF功率到其上。
简体摘要：本发明提供用于等离子处理的设备。在一些实施例中，RF馈电结构包括将RF功率耦合到多个对称布置的堆栈的第一RF线圈组件的第一RF馈电器；围绕所述第一RF馈电器同轴地设置且与该第一RF馈电器电气绝缘的第二RF馈电器，该第二RF馈电器将RF功率耦合到多个对称布置的堆栈的第二RF线圈组件，其中该第二RF线圈组件相对于该第一RF线圈组件同轴地设置。在一些实施例中，等离子处理设备包括第一RF线圈；相对于该第一RF线圈同轴地设置的第二RF线圈；耦合到该第一RF线圈以提供RF功率到其上的第一RF馈电器；以及相对于该第一RF馈电器同轴地设置且与该第一RF馈电器电气绝缘的第二RF馈电器，该第二RF馈电器耦合到该第二RF线圈以提供RF功率到其上。

25. 发明专利

TW201017810A 半導體設備中射頻電力傳輸系統 RF POWER DELIVERY SYSTEM IN A SEMICONDUCTOR APPARATUS 失效
简体标题：半导体设备中射频电力传输系统 RF POWER DELIVERY SYSTEM IN A SEMICONDUCTOR APPARATUS
公开(公告)号：TW201017810A
公开(公告)日：2010-05-01
申请号：TW098119954
申请日：2009-06-15
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：陳誌剛 , 羅夫沙西德 , 拉馬斯瓦米卡帝克
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32706 , H01J37/32091
摘要：本發明之實施例係提供一種設備，該設備係提供在製程腔室內的良好RF均一性。在一實施例中，該設備包括一基板支撐組件、一終端及一介電絕緣體。基板支撐組件具有一中央通道，而中央通道係沿著一中心軸形成。提供有一RF傳輸線，而該RF傳輸線具有一實質垂直部分以及一實質水平部分。其中終端係耦接至RF傳輸線的實質水平部分。介電絕緣體係環繞RF傳輸線的實質水平部分。介電絕緣體具有一第一開口，而終端係通過第一開口。
简体摘要：本发明之实施例系提供一种设备，该设备系提供在制程腔室内的良好RF均一性。在一实施例中，该设备包括一基板支撑组件、一终端及一介电绝缘体。基板支撑组件具有一中央信道，而中央信道系沿着一中心轴形成。提供有一RF传输线，而该RF传输线具有一实质垂直部分以及一实质水平部分。其中终端系耦接至RF传输线的实质水平部分。介电绝缘体系环绕RF传输线的实质水平部分。介电绝缘体具有一第一开口，而终端系通过第一开口。

26. 发明专利

TW201216789A 用於電漿反應器之對稱性極高頻電源 SYMMETRIC VHF SOURCE FOR A PLASMA REACTOR 审中-公开
简体标题：用于等离子反应器之对称性极高频电源 SYMMETRIC VHF SOURCE FOR A PLASMA REACTOR
公开(公告)号：TW201216789A
公开(公告)日：2012-04-16
申请号：TW100127766
申请日：2011-08-04
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：拉馬斯瓦米卡提克 , 馬可夫斯基伊戈爾 , 陳誌剛 , 卡度希詹姆士D , 柯林斯肯尼士S , 羅夫沙西德 , 米斯拉尼龐 , 朵夫雷歐尼德 , 葉政約翰
IPC分类号： H05H , H01P
CPC分类号： H01J37/32091 , H01J37/32018 , H01J37/32082 , H01J37/32183 , H01J37/32541 , H01J37/32568 , H01J37/32577 , H01J37/32587 , H01J37/32596 , H01J37/3266 , H01J37/32715 , H01J37/32834
摘要：本發明係關於電容耦合的電漿源,於該電容耦合的電漿源中經由具有摺疊結構和對稱性功率分布之阻抗匹配同軸共振器而施加VHF功率。
简体摘要：本发明系关于电容耦合的等离子源,于该电容耦合的等离子源中经由具有折叠结构和对称性功率分布之阻抗匹配同轴共振器而施加VHF功率。

27. 发明专利

TW201130031A 具有可調相位線圈組件的雙模式感應耦合電漿反應器 DUAL MODE INDUCTIVELY COUPLED PLASMA REACTOR WITH ADJUSTABLE PHASE COIL ASSEMBLY 审中-公开
简体标题：具有可调相位线圈组件的双模式感应耦合等离子反应器 DUAL MODE INDUCTIVELY COUPLED PLASMA REACTOR WITH ADJUSTABLE PHASE COIL ASSEMBLY
公开(公告)号：TW201130031A
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：TW099121526
申请日：2010-06-30
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：巴那沙莫 , 托多羅法倫帝N , 柯林肯尼S , 蓋葉安德魯恩 , 薩理納斯馬丁傑夫 , 陳誌剛 , 安格維恩卡 , 包爾阿尼魯德哈 , 王策強 , 羅夫沙西德
IPC分类号： H01L , H05H
CPC分类号： H01J37/32165 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32174
摘要：本發明提供雙模式感應耦合電漿反應器及其使用方法。在一些實施例中，雙模式感應耦合電漿處理系統可包括處理腔室，該處理腔室具有介電質蓋及設置在該介電質蓋上方的電漿源組件。該電漿源組件包括多個線圈，該等線圈配置為將RF能量感應耦合至處理腔室，以在其中形成並維持電漿；相位控制器，其用於調整施加給該多個線圈中每個線圈的RF電流的相對相位；以及RF產生器，其耦合至該相位控制器及該多個線圈。
简体摘要：本发明提供双模式感应耦合等离子反应器及其使用方法。在一些实施例中，双模式感应耦合等离子处理系统可包括处理腔室，该处理腔室具有介电质盖及设置在该介电质盖上方的等离子源组件。该等离子源组件包括多个线圈，该等线圈配置为将RF能量感应耦合至处理腔室，以在其中形成并维持等离子；相位控制器，其用于调整施加给该多个线圈中每个线圈的RF电流的相对相位；以及RF产生器，其耦合至该相位控制器及该多个线圈。

28. 发明专利

TW201127225A 感應耦合電漿裝置 INDUCTIVELY COUPLED PLASMA APPARATUS 审中-公开
简体标题：感应耦合等离子设备 INDUCTIVELY COUPLED PLASMA APPARATUS
公开(公告)号：TW201127225A
公开(公告)日：2011-08-01
申请号：TW099121079
申请日：2010-06-28
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：托多羅法倫帝N , 巴那沙莫 , 安格維恩卡 , 陳誌剛 , 王協蔣 , 蓋葉安德魯恩 , 薩理納斯馬丁傑夫 , 羅夫沙西德
IPC分类号： H05H , H01L
CPC分类号： H01J37/321 , B44C1/227 , C23C16/505 , H01J37/32165 , H01J37/3244
摘要：本發明提供用於電漿處理的裝置及方法。在一些實施例中，電漿處理裝置包括具有內處理空間的處理腔室；設置於接近該處理腔室的第一RF線圈，以將RF能量耦合至該處理空間；以及設置於接近該處理腔室的第二RF線圈，以將RF能量耦合至該處理空間，該第二RF線圈相對於該第一RF線圈被設置為同軸，其中該第一及第二RF線圈被配置為使得流經該第一RF線圈的RF電流與流經該第二RF線圈的RF電流為不同相位。
简体摘要：本发明提供用于等离子处理的设备及方法。在一些实施例中，等离子处理设备包括具有内处理空间的处理腔室；设置于接近该处理腔室的第一RF线圈，以将RF能量耦合至该处理空间；以及设置于接近该处理腔室的第二RF线圈，以将RF能量耦合至该处理空间，该第二RF线圈相对于该第一RF线圈被设置为同轴，其中该第一及第二RF线圈被配置为使得流经该第一RF线圈的RF电流与流经该第二RF线圈的RF电流为不同相位。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式