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    • 29. 发明专利
    • 圖案形成方法、電子元件的製造方法及積層體
    • 图案形成方法、电子组件的制造方法及积层体
    • TW201712445A
    • 2017-04-01
    • TW105129191
    • 2016-09-09
    • 富士軟片股份有限公司FUJIFILM CORPORATION
    • 二橋亘NIHASHI, WATARU椿英明TSUBAKI, HIDEAKI土橋徹TSUCHIHASHI, TORU山本慶YAMAMOTO, KEI
    • G03F7/26G03F7/20
    • G03F7/11G03F7/038G03F7/039G03F7/20G03F7/32G03F7/38
    • 本發明提供一種尤其在形成極微細的殘留圖案時膜減損較少且能夠得到高解析力之圖案形成方法、包含上述圖案形成方法之電子元件的製造方法及用於形成上述圖案之積層體。作為圖案形成方法,包含如下製程:(a)由感光化射線性或感放射線性組成物形成感光化射線性或感放射線性膜之製程;(b)在感光化射線性或感放射線性膜上由上層膜形成用組成物形成上層膜之製程;(c)對形成有上層膜之感光化射線性或感放射線性膜進行曝光之製程;及(d)利用顯影液對經曝光之感光化射線性或感放射線性膜進行顯影之製程,上層膜形成用組成物含有交聯劑。電子元件的製造方法包含上述圖案形成方法。積層體具有感光化射線性或感放射線性膜及含有交聯劑之上層膜。
    • 本发明提供一种尤其在形成极微细的残留图案时膜减损较少且能够得到高解析力之图案形成方法、包含上述图案形成方法之电子组件的制造方法及用于形成上述图案之积层体。作为图案形成方法,包含如下制程:(a)由感光化射线性或感放射线性组成物形成感光化射线性或感放射线性膜之制程;(b)在感光化射线性或感放射线性膜上由上层膜形成用组成物形成上层膜之制程;(c)对形成有上层膜之感光化射线性或感放射线性膜进行曝光之制程;及(d)利用显影液对经曝光之感光化射线性或感放射线性膜进行显影之制程,上层膜形成用组成物含有交联剂。电子组件的制造方法包含上述图案形成方法。积层体具有感光化射线性或感放射线性膜及含有交联剂之上层膜。
    • 30. 发明专利
    • 圖案形成方法、電子器件的製造方法及層疊體
    • 图案形成方法、电子器件的制造方法及层叠体
    • TW201712432A
    • 2017-04-01
    • TW105128310
    • 2016-09-02
    • 富士軟片股份有限公司FUJIFILM CORPORATION
    • 椿英明TSUBAKI, HIDEAKI二橋亘NIHASHI, WATARU土橋徹TSUCHIHASHI, TORU山本慶YAMAMOTO, KEI
    • G03F7/038G03F7/11G03F7/20G03F7/32G03F7/40H01L21/027
    • G03F7/038G03F7/039G03F7/11G03F7/32H01L21/027
    • 本發明提供一種在形成極微細的殘留圖案時能夠得到高解析力之圖案形成方法及包含上述圖案形成方法之電子器件的製造方法。本發明的圖案形成方法包含如下製程:(a)由感光化射線性或感放射線性組成物形成感光化射線性或感放射線性膜之製程;(b)在上述感光化射線性或感放射線性膜上由上層膜形成用組成物形成上層膜之製程;(c)對形成有上述上層膜之上述感光化射線性或感放射線性膜進行曝光之製程;及(d)利用含有有機溶劑之顯影液對經曝光之上述感光化射線性或感放射線性膜進行顯影之製程,上述上層膜形成用組成物含有藉由光化射線或放射線產生酸之化合物、藉由熱產生酸之化合物及酸中之至少1種。電子器件的製造方法包含上述圖案形成方法。層疊體包含上述感活性或感放射性膜及上述上層膜。
    • 本发明提供一种在形成极微细的残留图案时能够得到高解析力之图案形成方法及包含上述图案形成方法之电子器件的制造方法。本发明的图案形成方法包含如下制程:(a)由感光化射线性或感放射线性组成物形成感光化射线性或感放射线性膜之制程;(b)在上述感光化射线性或感放射线性膜上由上层膜形成用组成物形成上层膜之制程;(c)对形成有上述上层膜之上述感光化射线性或感放射线性膜进行曝光之制程;及(d)利用含有有机溶剂之显影液对经曝光之上述感光化射线性或感放射线性膜进行显影之制程,上述上层膜形成用组成物含有借由光化射线或放射线产生酸之化合物、借由热产生酸之化合物及酸中之至少1种。电子器件的制造方法包含上述图案形成方法。层叠体包含上述感活性或感放射性膜及上述上层膜。