专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

21. 发明专利

TW201409733A 太陽能電池及其製作方法审中-公开
简体标题：太阳能电池及其制作方法
公开(公告)号：TW201409733A
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW101137749
申请日：2012-10-12
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：陳宗保 , CHEN, TSUNGPAO , 楊士賢 , YANG, SHIHHSIEN , 陳鈺君 , CHEN, YUCHUN , 邱銘暉 , CHIU, MINGHUI , 林宜宣 , LIN, YIHSUAN , 胡雁程 , HU, YENCHENG , 陳人杰 , CHEN, JENCHIEH , 吳振誠 , WU, ZHENCHENG
IPC分类号： H01L31/052 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/035281 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：一種太陽能電池，包含基板，基板具有受光面與相對於受光面之背面，基板更包含設置於背面的多個溝槽，太陽能電池包含多個n型擴散區與多個p型擴散區，交錯地設置於基板之背面與溝槽之表面。藉由深入基板之溝槽，可以減少電子-電洞對在移動的過程中再結合的情形。一種太陽能電池的製作方法亦在此揭露。
简体摘要：一种太阳能电池，包含基板，基板具有受光面与相对于受光面之背面，基板更包含设置于背面的多个沟槽，太阳能电池包含多个n型扩散区与多个p型扩散区，交错地设置于基板之背面与沟槽之表面。借由深入基板之沟槽，可以减少电子-电洞对在移动的过程中再结合的情形。一种太阳能电池的制作方法亦在此揭露。

22. 发明专利

TWI424582B 太陽能電池的製造方法有权
简体标题：太阳能电池的制造方法
公开(公告)号：TWI424582B
公开(公告)日：2014-01-21
申请号：TW100113232
申请日：2011-04-15
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORPORATION
发明人：邱銘暉 , CHIU, MING HUI , 楊士賢 , YANG, SHIH HSIEN , 胡雁程 , HU, YEN CHENG , 陳鈺君 , CHEN, YU CHUN , 陳宗保 , CHEN, TSUNG PAO , 王冠程 , WANG, KUAN CHEN , 陳人杰 , CHEN, JEN CHIEH , 吳振誠 , WU, ZHEN CHENG
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/042
CPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0288 , H01L31/02963 , H01L31/0323 , H01L31/068 , H01L31/1804 , H01L31/1828 , Y02E10/541 , Y02E10/543 , Y02E10/547 , Y02P70/521

23. 发明专利

TW201227995A 太陽能電池 SOLAR CELL 审中-公开
简体标题：太阳能电池 SOLAR CELL
公开(公告)号：TW201227995A
公开(公告)日：2012-07-01
申请号：TW099147236
申请日：2010-12-31
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：李欣峯 , 胡雁程 , 陳宗保 , 陳人杰 , 吳振誠
IPC分类号： H01L
CPC分类号： Y02E10/50
摘要：一種太陽能電池,其包括第一導電型基板、第二導電型半導體層、鈍化層、第一電極層以及第二電極層。第二導電型半導體層位於第一導電型基板上。鈍化層位於第二導電型半導體層上。第一電極層位於鈍化層上,其中第一電極層包括至少一條連接部、多組延伸部以及多個邊緣部。連接部之邊緣為非直線邊緣。多組延伸部與連接部連接,並從連接部往連接部的兩側延伸至第一導電型基板的邊緣。邊緣部將延伸至第一導電型基板邊緣的每一組延伸部中的延伸部連接在一起。第二電極層對應第一電極層設置。
简体摘要：一种太阳能电池,其包括第一导电型基板、第二导电型半导体层、钝化层、第一电极层以及第二电极层。第二导电型半导体层位于第一导电型基板上。钝化层位于第二导电型半导体层上。第一电极层位于钝化层上,其中第一电极层包括至少一条连接部、多组延伸部以及多个边缘部。连接部之边缘为非直线边缘。多组延伸部与连接部连接,并从连接部往连接部的两侧延伸至第一导电型基板的边缘。边缘部将延伸至第一导电型基板边缘的每一组延伸部中的延伸部连接在一起。第二电极层对应第一电极层设置。

24. 发明专利

TW201225325A 太陽能電池及其製造方法 SOLAR CELL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：太阳能电池及其制造方法 SOLAR CELL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201225325A
公开(公告)日：2012-06-16
申请号：TW099141947
申请日：2010-12-02
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：郭政彰 , 胡雁程 , 李欣峯 , 陳宗保 , 陳人杰 , 吳振誠
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/1864 , H01L31/022441 , H01L31/02363 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , H01L31/1868 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：一種太陽能電池及其製造方法,其中採用雷射摻雜製程來形成正型摻雜區與負型摻雜區,以提高製作摻雜區時的準確度。接點材料可直接利用雷射形成開孔,因此不會有金屬接點之階梯覆蓋率不佳的問題。此外,太陽能電池採用梳狀的第一電極以及片狀的第二電極,搭配相應的第一型摻雜區以及第二型摻雜區,以充分利用半導體基板的空間,提供良好的光電轉換效率。由於第二電極為片狀並且可由鋁等高反射物質製作,因此有助於提高太陽能電池的光利用率。此太陽能電池的製程簡單,具有高製程良率。
简体摘要：一种太阳能电池及其制造方法,其中采用激光掺杂制程来形成正型掺杂区与负型掺杂区,以提高制作掺杂区时的准确度。接点材料可直接利用激光形成开孔,因此不会有金属接点之阶梯覆盖率不佳的问题。此外,太阳能电池采用梳状的第一电极以及片状的第二电极,搭配相应的第一型掺杂区以及第二型掺杂区,以充分利用半导体基板的空间,提供良好的光电转换效率。由于第二电极为片状并且可由铝等高反射物质制作,因此有助于提高太阳能电池的光利用率。此太阳能电池的制程简单,具有高制程良率。

25. 发明专利

TW201218390A 太陽能電池及其製作方法 SOLAR CELL AND METHOD OF MAKING THE SAME 审中-公开
简体标题：太阳能电池及其制作方法 SOLAR CELL AND METHOD OF MAKING THE SAME
公开(公告)号：TW201218390A
公开(公告)日：2012-05-01
申请号：TW099136520
申请日：2010-10-26
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：劉致為 , 何偉碩 , 陳彥瑜 , 古峻源 , 吳振誠 , 梁碩瑋 , 陳人杰 , 賴忠威 , 陳宗保
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L31/068 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：一種太陽能電池,包括一結晶半導體基底、一第一結晶半導體層、一非晶半導體層、一第一金屬電極層以及一第二金屬電極層。結晶半導體基底具有一第一表面與一第二表面,且結晶半導體基底具有一第一摻雜型式。第一結晶半導體層係設置於結晶半導體基底之第一表面,其中第一結晶半導體層具有一第二摻雜型式,且第二摻雜型式相反於第一摻雜型式。非晶半導體層係設置於第一結晶半導體層上,且非晶半導體層具有第二摻雜型式。第一金屬電極層係設置於非晶半導體層上。第二金屬電極層係設置於結晶半導體基底之第二表面。
简体摘要：一种太阳能电池,包括一结晶半导体基底、一第一结晶半导体层、一非晶半导体层、一第一金属电极层以及一第二金属电极层。结晶半导体基底具有一第一表面与一第二表面,且结晶半导体基底具有一第一掺杂型式。第一结晶半导体层系设置于结晶半导体基底之第一表面,其中第一结晶半导体层具有一第二掺杂型式,且第二掺杂型式相反于第一掺杂型式。非晶半导体层系设置于第一结晶半导体层上,且非晶半导体层具有第二掺杂型式。第一金属电极层系设置于非晶半导体层上。第二金属电极层系设置于结晶半导体基底之第二表面。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式