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    • 11. 发明专利
    • 半導體污泥減量方法
    • 半导体污泥减量方法
    • TW201827353A
    • 2018-08-01
    • TW106103250
    • 2017-01-26
    • 廖明智
    • 廖明智
    • C02F1/52C02F1/66C02F1/28C02F1/58H01L21/00
    • 一種半導體污泥減量方法,係於一化混沉澱槽中注入一具有陰離子有害物質的廢水,並於該化混沉澱槽中置入低於理論值20%的混凝劑量,再於該化混沉澱槽中調整其酸鹼值後,使該廢水中部份的陰離子有害物質與該混凝劑反應以生成一污泥沉澱,而其餘無法與該混凝劑反應之陰離子有害物質,則隨該廢水排出至一陰離子吸附裝置,以由該陰離子吸附裝置進行吸附該廢水中剩餘的陰離子有害物質,使排出後的廢水符合排放規定,且藉由減少混凝劑的添加,而達到減低半導體污泥之目的。
    • 一种半导体污泥减量方法,系于一化混沉淀槽中注入一具有阴离子有害物质的废水,并于该化混沉淀槽中置入低于理论值20%的混凝剂量,再于该化混沉淀槽中调整其酸碱值后,使该废水中部份的阴离子有害物质与该混凝剂反应以生成一污泥沉淀,而其余无法与该混凝剂反应之阴离子有害物质,则随该废水排出至一阴离子吸附设备,以由该阴离子吸附设备进行吸附该废水中剩余的阴离子有害物质,使排出后的废水符合排放规定,且借由减少混凝剂的添加,而达到减低半导体污泥之目的。