专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

11. 发明专利

TW200805718A 半導體發光元件及其分離方法 SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR SEPARATING SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICES 审中-公开
简体标题：半导体发光组件及其分离方法 SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR SEPARATING SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICES
公开(公告)号：TW200805718A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：TW096119474
申请日：2007-05-31
申请人：豊田合成股份有限公司 TOYODA GOSEI CO., LTD.
发明人：前田將 MAEDA, SUSUMU , 木隆一郎 SASAKI, RYUICHIRO
IPC分类号： H01L , B23K
CPC分类号： H01L33/0095 , B23K26/0057 , B23K26/0624 , B23K26/40 , B23K2203/50 , B28D5/0011 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
摘要：本發明提供一種用以分離形成於基板上之半導體發光元件的方法。於此方法中,將在基板內具有小於10ps之脈波寬度的脈衝雷射光束聚焦於基板上,因此在基板內產生多光子吸收。透過多光子吸收,利用脈衝雷射光束沿著在基板表面上所預定的分離線而形成凹槽,該凹槽在預定分離線之方向上實質上為連續。此外,於一預定分離面上,利用脈衝雷射光束在基板之預定深度處形成內部結構改質部,此內部結構改質部於預定分離線的方向上為不連續。接著,施加外力,藉以沿著此連續之凹槽及此不連續之內部結構改質部而形成分離面,藉此使半導體發光元件相互分離。
简体摘要：本发明提供一种用以分离形成于基板上之半导体发光组件的方法。于此方法中,将在基板内具有小于10ps之脉波宽度的脉冲激光光束聚焦于基板上,因此在基板内产生多光子吸收。透过多光子吸收,利用脉冲激光光束沿着在基板表面上所预定的分脱机而形成凹槽,该凹槽在预定分脱机之方向上实质上为连续。此外,于一预定分离面上,利用脉冲激光光束在基板之预定深度处形成内部结构改质部,此内部结构改质部于预定分脱机的方向上为不连续。接着,施加外力,借以沿着此连续之凹槽及此不连续之内部结构改质部而形成分离面,借此使半导体发光组件相互分离。

12. 发明专利

TW200733437A 發光元件及其製造方法 LIGHT EMITTING ELEMENT AND PRODUCTION METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：发光组件及其制造方法 LIGHT EMITTING ELEMENT AND PRODUCTION METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200733437A
公开(公告)日：2007-09-01
申请号：TW096106066
申请日：2007-02-16
申请人：豊田合成股份有限公司 TOYODA GOSEI CO., LTD.
发明人：池本由平 IKEMOTO, YUHEI , 平田宏治 HIRATA, KOJI , 伊藤和博 ITO, KAZUHIRO , 內田悠 UCHIDA, YU , 著本享 TSUKIMOTO, SUSUMU , 村上正紀 MURAKAMI, MASANORI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/007
摘要：一種具有由III族氮化物系化合物半導體形成之發光元件部及具有一發光層之發光元件。該發光元件部藉由於該基板上成長該發光元件部之後進行溼式蝕刻,再藉由剝離該基板而形成。該發光元件部具有一剝離表面,該剝離表面維持本質上完整無缺,如同該發光元件部成長於基板上時所形成之剝離表面。
简体摘要：一种具有由III族氮化物系化合物半导体形成之发光组件部及具有一发光层之发光组件。该发光组件部借由于该基板上成长该发光组件部之后进行湿式蚀刻,再借由剥离该基板而形成。该发光组件部具有一剥离表面,该剥离表面维持本质上完整无缺,如同该发光组件部成长于基板上时所形成之剥离表面。

13. 发明专利

TWI285965B 半導體發光元件有权
简体标题：半导体发光组件
公开(公告)号：TWI285965B
公开(公告)日：2007-08-21
申请号：TW092109311
申请日：2003-04-22
申请人：豊田合成股份有限公司 TOYODA GOSEI CO., LTD.
发明人：千田昌伸 MASANOBU SENDA , 井上光宏 MITSUHIRO INOUE , 伊藤潤 JUN ITO , 林稔真 TOSHIMASA HAYASHI , 西島和樹 KAZUKI NISHIJIMA , 柴田直樹 NAOKI SHIBATA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/40 , H01L33/145 , H01L33/44
摘要：本發明係在p型層106上形成由SiO2所構成的絕緣膜150，並在此絕緣膜150上面、與絕緣膜150大致中央部位處，經開設窗口而所裸露出p型層106的上面，形成利用金屬蒸鍍而所形成金屬膜的多層厚膜正電極120。絕緣膜150厚度係設定為發光波長的1/4。絕緣膜150厚度，一般而言係此媒介內發光波長的1/4之奇數倍。此時藉由干涉作用而提昇光軸方向放射光的指向性。
简体摘要：本发明系在p型层106上形成由SiO2所构成的绝缘膜150，并在此绝缘膜150上面、与绝缘膜150大致中央部位处，经开设窗口而所裸露出p型层106的上面，形成利用金属蒸镀而所形成金属膜的多层厚膜正电极120。绝缘膜150厚度系设置为发光波长的1/4。绝缘膜150厚度，一般而言系此媒介内发光波长的1/4之奇数倍。此时借由干涉作用而提升光轴方向放射光的指向性。

14. 发明专利

TWI270989B 第Ⅲ族氮化物系化合物半導體發光元件有权
简体标题：第Ⅲ族氮化物系化合物半导体发光组件
公开(公告)号：TWI270989B
公开(公告)日：2007-01-11
申请号：TW091108545
申请日：2002-04-25
申请人：豊田合成股份有限公司 TOYODA GOSEI CO., LTD.
发明人：淺見慎也 SHINYA ASAMI , 渡邊大志 WATANABE, HIROSHI , 伊藤潤 JUN ITO , 柴田直樹 NAOKI SHIBATA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L33/007 , H01L33/06 , Y10S257/918
摘要：第III族氧化物系化合物半導體發光元件，係具備包含有 InGaN井層和AlGaN勢壘層的量子井結構之多重層。控制成為井層的InGaN層的薄膜厚度、生長速率、生長溫度等，並控制成為勢壘層的AlGaN層的薄膜厚度，以圖該等的最佳化，進而提昇發光元件的輸出。
简体摘要：第III族氧化物系化合物半导体发光组件，系具备包含有 InGaN井层和AlGaN势垒层的量子井结构之多重层。控制成为井层的InGaN层的薄膜厚度、生长速率、生长温度等，并控制成为势垒层的AlGaN层的薄膜厚度，以图该等的最优化，进而提升发光组件的输出。

15. 发明专利

TWI240683B 車窗玻璃升降槽 GLASS RUN 失效
简体标题：车窗玻璃升降槽 GLASS RUN
公开(公告)号：TWI240683B
公开(公告)日：2005-10-01
申请号：TW093125961
申请日：2004-08-27
申请人：豊田合成股份有限公司 TOYODA GOSEI CO., LTD.
发明人：村瀨和宏 KAZUHIRO MURASE , 八田敦 ATSUSHI YATSUDA , 有竹祐則 MASANORI ARITAKE
IPC分类号： B60J
CPC分类号： B60J10/74 , B60J10/30
摘要：一種車窗玻璃升降槽，具有擠製部及模製部。擠製部與模製部均由TPO製成。車窗玻璃升降槽係被裝附至窗框 DS。由PP製成之嵌入構件均相對應於每一模製部的長側邊部位與上部側邊部位而個別地埋置於車窗玻璃升降槽之基座部中。當車窗玻璃升降槽被裝附時，自基座部突出之嵌入構件的突起，可結合或直立接近於窗框的邊緣部位，使得突起可被與窗框鎖定。因為在相當高溫大氣下，突起均比模製部更硬，即使當經由一車窗玻璃之開啟與關閉所導致之應力重複施加至突起時，突起均很難變形或斷裂。
简体摘要：一种车窗玻璃升降槽，具有挤制部及模制部。挤制部与模制部均由TPO制成。车窗玻璃升降槽系被装附至窗框 DS。由PP制成之嵌入构件均相对应于每一模制部的长侧边部位与上部侧边部位而个别地埋置于车窗玻璃升降槽之基座部中。当车窗玻璃升降槽被装附时，自基座部突出之嵌入构件的突起，可结合或直立接近于窗框的边缘部位，使得突起可被与窗框锁定。因为在相当高温大气下，突起均比模制部更硬，即使当经由一车窗玻璃之打开与关闭所导致之应力重复施加至突起时，突起均很难变形或断裂。

16. 发明专利

TW576893B 進氣管及其製造方法有权
简体标题：进气管及其制造方法
公开(公告)号：TW576893B
公开(公告)日：2004-02-21
申请号：TW090111818
申请日：2001-05-17
申请人：豊田合成股份有限公司 TOYODA GOSEI CO., LTD.
发明人：木野等 HITOSHI KINO , 小笠原豊 YUTAKA OGASAWARA , 伊藤伸二 SHINJI ITO , 廣瀨吉一 YOSHIKAZU HIROSE , 古森敬博 TAKAHIRO KOMORI , 川原直 TADASHI KAWAHARA
IPC分类号： F02M
CPC分类号： F02M35/10321 , B29C65/2015 , B29C66/112 , B29C66/1122 , B29C66/131 , B29C66/5346 , B29C66/71 , B29C66/727 , B29C66/73116 , B29C66/81821 , B29C66/83221 , B29C66/91421 , B29C66/91431 , B29C66/91641 , F02M35/10334 , F02M35/1034 , F02M35/10347 , F02M35/1036 , F02M35/1238 , F02M35/1272 , F02M35/1283 , F05C2225/08 , B29K2023/12 , B29K2023/065 , B29K2077/00
摘要：形成一伸長在一導管壁的縱向方向中之開口。全體開口係以不織布覆蓋，且開口之橫向寬度係被設定不短於導管壁之周圍長度的1/20。可選擇的，一多孔構件被高溫熔接至自一導管本體1的導管壁突出之小圓筒形部位的一開口之頭部，同時防止導管本體變形。在一用以製造進氣管的方法中，一高熔點模製件被攜至與一熱板接觸，以因而被加熱。一低熔點模製件被配設於離開熱板的一距離處，以使被來自熱板的輻射熱所加熱。
简体摘要：形成一伸长在一导管壁的纵向方向中之开口。全体开口系以不织布覆盖，且开口之横向宽度系被设置不短于导管壁之周围长度的1/20。可选择的，一多孔构件被高温熔接至自一导管本体1的导管壁突出之小圆筒形部位的一开口之头部，同时防止导管本体变形。在一用以制造进气管的方法中，一高熔点模制件被携至与一热板接触，以因而被加热。一低熔点模制件被配设于离开热板的一距离处，以使被来自热板的辐射热所加热。

17. 发明专利

TW575908B 半導體結晶之製造方法及發光元件有权
简体标题：半导体结晶之制造方法及发光组件
公开(公告)号：TW575908B
公开(公告)日：2004-02-11
申请号：TW091102216
申请日：2002-02-07
申请人：豊田合成股份有限公司 TOYODA GOSEI CO., LTD.
发明人：永井誠二 SEIJI NAGAI , 富田一義 KAZUYOSHI TOMITA
IPC分类号： C30B , H01L
摘要：本發明之課題在於獲得錯位較少的高品質半導體結晶。
本發明之解決手段係當在具多數突起部的基底基板上，成長由第Ⅲ族氮化物系化合物所構成的基板層(所需半導體結晶)的情況時，藉由突起部大小、配置間隔、結晶成長諸條件等的調整，便可在各突起部間形成未疊層半導體結晶的空洞。因此，若基板層厚度十分大於突起部高度的話，內部應力或外部應力便將輕易的集中作用於此突起部上。結果，特別係該等應力，便對突起部作用剪切應力等，當此應力增大時，突起部便斷裂。所以，若利用此應力的話，便可輕易的將基底基板與基板層予以分離，而獲得從基底基板獨立出的半導體結晶。空洞形成越大的話，上述應力越容易集中於突起部上，便可更確實的將基底基板與基板層予以分離。
简体摘要：本发明之课题在于获得错位较少的高品质半导体结晶。本发明之解决手段系当在具多数突起部的基底基板上，成长由第Ⅲ族氮化物系化合物所构成的基板层(所需半导体结晶)的情况时，借由突起部大小、配置间隔、结晶成长诸条件等的调整，便可在各突起部间形成未叠层半导体结晶的空洞。因此，若基板层厚度十分大于突起部高度的话，内部应力或外部应力便将轻易的集中作用于此突起部上。结果，特别系该等应力，便对突起部作用剪切应力等，当此应力增大时，突起部便断裂。所以，若利用此应力的话，便可轻易的将基底基板与基板层予以分离，而获得从基底基板独立出的半导体结晶。空洞形成越大的话，上述应力越容易集中于突起部上，便可更确实的将基底基板与基板层予以分离。

18. 发明专利

TW200306019A 第Ⅲ族氮化物系化合物半導體之製造方法、第Ⅲ族氮化物系化合物半導體元件及第Ⅲ族氮化物系化合物半導體基板之製造方法审中-公开
简体标题：第Ⅲ族氮化物系化合物半导体之制造方法、第Ⅲ族氮化物系化合物半导体组件及第Ⅲ族氮化物系化合物半导体基板之制造方法
公开(公告)号：TW200306019A
公开(公告)日：2003-11-01
申请号：TW092104188
申请日：2003-02-27
申请人：豊田合成股份有限公司 TOYODA GOSEI CO., LTD.
发明人：西島和樹 KAZUKI NISHIJIMA , 千田昌伸 MASANOBU SENDA , 千代敏明 TOSHIAKI CHIYO , 伊藤潤 JUN ITO , 柴田直樹 NAOKI SHIBATA , 林稔真 TOSHIMASA HAYASHI
IPC分类号： C30B , H01L
CPC分类号： C30B29/403 , C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/40 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L21/02639 , H01L21/02647
摘要：本發明之第Ⅲ族氮化物系化合物半導體之製造方法，具有於藍寶石基板上藉由乾式蝕刻而將藍寶石基板的至少一部分改質處理為點狀、條紋狀或是格子狀等的島狀的步驟；將A1N緩衝層形成於藍寶石基板上的步驟；及將形成於藍寶石基板未經改質處理的表面上的A1N緩衝層作為核心，以無保留空間而全部覆被形成於藍寶石基板經改質處理的表面上的A1N緩衝層的方式，使所需第Ⅲ族氮化物系化合物半導體進行縱及橫方向磊晶生長的步驟；其中A1N緩衝層的形成係將A1作為靶材，藉由在氮氣環境化之條件所進行的反應性濺鍍法所形成。
简体摘要：本发明之第Ⅲ族氮化物系化合物半导体之制造方法，具有于蓝宝石基板上借由干式蚀刻而将蓝宝石基板的至少一部分改质处理为点状、条纹状或是格子状等的岛状的步骤；将A1N缓冲层形成于蓝宝石基板上的步骤；及将形成于蓝宝石基板未经改质处理的表面上的A1N缓冲层作为内核，以无保留空间而全部覆被形成于蓝宝石基板经改质处理的表面上的A1N缓冲层的方式，使所需第Ⅲ族氮化物系化合物半导体进行纵及横方向磊晶生长的步骤；其中A1N缓冲层的形成系将A1作为靶材，借由在氮气环境化之条件所进行的反应性溅镀法所形成。

19. 发明专利

TWI287305B 電極形成方法有权
简体标题：电极形成方法
公开(公告)号：TWI287305B
公开(公告)日：2007-09-21
申请号：TW094130082
申请日：2005-09-02
申请人：豊田合成股份有限公司 TOYODA GOSEI CO., LTD.
发明人：吉田和廣 YOSHIDA KAZUHIRO , 長谷川恭孝 HASEGAWA YUKITAKA , 加賀廣持 KAGA KOJI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/42 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L31/1884 , H01L2224/02166 , H01L2224/05073 , H01L2224/05082 , H01L2224/05644 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/0102 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01052 , H01L2924/01056 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/12041 , Y02E10/50 , H01L2924/00014
摘要：本發明之目的在於提供透光性高、低電阻之透光性電極之製造方法。
本發明之解決手段為半導體發光元件100，其係具有於藍寶石基板上依序積層形成緩衝層102、未摻雜GaN層103、高載體濃度n+層104、n型層105、發光層106、p型層107、p型接觸層108，於至少氧存在之環境下，藉由電子束蒸鍍法或離子噴鍍法形成，之後進行燒成而形成之ITO所形成之透光性電極110。
简体摘要：本发明之目的在于提供透光性高、低电阻之透光性电极之制造方法。本发明之解决手段为半导体发光组件100，其系具有于蓝宝石基板上依序积层形成缓冲层102、未掺杂GaN层103、高载体浓度n+层104、n型层105、发光层106、p型层107、p型接触层108，于至少氧存在之环境下，借由电子束蒸镀法或离子喷镀法形成，之后进行烧成而形成之ITO所形成之透光性电极110。

20. 外观设计

TWD116381S 發光二極體 LIGHT EMITTING DIODE 失效
简体标题：发光二极管 LIGHT EMITTING DIODE
公开(公告)号：TWD116381S
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：TW095301275
申请日：2006-03-13
申请人：豊田合成股份有限公司 TOYODA GOSEI CO., LTD.
设计人：伊藤優輝 ITO, YUHKI , 木村曉子 KIMURA, AKIKO , 大森仁 OMORI, HITOSHI , 中野英幸 NAKANO, HIDEYUKI
摘要：【物品用途】
本創作係關於一種發光二極體，其結合一導光板使用，該導光板用以將本創作之發光二極體所發出之光變換成面狀光源，特別用來作為液晶顯示器之背光源。【創作特點】
如前視圖所示，本創作之正面中央部突出，且形成有上部成拱形之投光部，使本創作具有簡潔之外型。另外，於該投光部之內部深處包藏有發光元件，使光線從本創作正面中央之投光部投射而出，如具有透光性部份之參考前視圖所示之斜線部份，而給予本創作一種明亮的感覺。
简体摘要：【物品用途】本创作系关于一种发光二极管，其结合一导光板使用，该导光板用以将本创作之发光二极管所发出之光变换成面状光源，特别用来作为液晶显示器之背光源。【创作特点】如前视图所示，本创作之正面中央部突出，且形成有上部成拱形之投光部，使本创作具有简洁之外型。另外，于该投光部之内部深处包藏有发光组件，使光线从本创作正面中央之投光部投射而出，如具有透光性部份之参考前视图所示之斜线部份，而给予本创作一种明亮的感觉。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式