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11. 发明专利

TW201503775A 電路板及其製造方法审中-公开
简体标题：电路板及其制造方法
公开(公告)号：TW201503775A
公开(公告)日：2015-01-16
申请号：TW102124353
申请日：2013-07-08
申请人：先豐通訊股份有限公司 , BOARDTEK ELECTRONICS CORPORATION
发明人：李建成 , LEE, CHIEN CHENG
IPC分类号： H05K1/11 , H05K3/40
CPC分类号： H05K1/115 , H05K1/0251 , H05K1/0293 , H05K3/0094 , H05K3/429 , H05K2201/0959 , H05K2201/09645 , H05K2201/09845 , H05K2203/175 , Y10T29/49165
摘要：一種電路板，其包括電路基板以及導通管。電路基板具有第一表面以及第二表面，電路基板包括多層電路層以及多層絕緣層，而這些絕緣層交替地配置於這些電路層之間。導通管貫穿電路基板，導通管包括第一開孔部以及第二開孔部，第一開孔部包括第一金屬層，第一金屬層配置於第一開孔部的孔壁，第一開孔部透過第一金屬層與其中至少一電路層電性連接，第二開孔部包括第二金屬層，第二金屬層配置於第二開孔部的孔壁，第二開孔部透過第二金屬層與其中至少一電路層電性連接，其中第一開孔部與第二開孔部彼此電性絕緣，而第二開孔部的外徑大於第一開孔部的外徑。
简体摘要：一种电路板，其包括电路基板以及导通管。电路基板具有第一表面以及第二表面，电路基板包括多层电路层以及多层绝缘层，而这些绝缘层交替地配置于这些电路层之间。导通管贯穿电路基板，导通管包括第一开孔部以及第二开孔部，第一开孔部包括第一金属层，第一金属层配置于第一开孔部的孔壁，第一开孔部透过第一金属层与其中至少一电路层电性连接，第二开孔部包括第二金属层，第二金属层配置于第二开孔部的孔壁，第二开孔部透过第二金属层与其中至少一电路层电性连接，其中第一开孔部与第二开孔部彼此电性绝缘，而第二开孔部的外径大于第一开孔部的外径。

12. 实用新型

TWM484280U 電路板有权
简体标题：电路板
公开(公告)号：TWM484280U
公开(公告)日：2014-08-11
申请号：TW102216910
申请日：2013-09-09
申请人：先豐通訊股份有限公司
发明人：李建成
IPC分类号： H05K1/03

13. 发明专利

TW201415977A 一種電路板製作方法审中-公开
简体标题：一种电路板制作方法
公开(公告)号：TW201415977A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：TW101137784
申请日：2012-10-12
申请人：先豐通訊股份有限公司
发明人：李建成 , LEE, CHIEN CHENG
IPC分类号： H05K3/42 , H05K3/46
摘要：本發明主要提供一種可於電路板基材上製作至少一隱藏於板體內部之大截面積電路的電路板製作方法。所述電路板製作方法，基本上係一具有銅箔電路層的第一電路板基材上，加工形成至少能使另一邊之銅箔電路層在凹槽底部顯露的電路凹槽，之後於電路凹槽中以電鍍銅方式填入厚銅直到凸出第一電路板基材板面至預定高度，而成為依循電路凹槽分佈的大截面積電路，再於大截面積電路所外露之第一電路板基材板面覆蓋至少一半固化膠層，且經熱熔壓合方式令半固化膠層將大截面積電路覆蓋，並維持表面之平整，即可獲致一可於同一第一電路板基材上製作至少一薄電路及至少一大截面積電路電路的電路板。俾達到節省材料成本、避免浪費高價金屬，以及降低污染源之目的。
简体摘要：本发明主要提供一种可于电路板基材上制作至少一隐藏于板体内部之大截面积电路的电路板制作方法。所述电路板制作方法，基本上系一具有铜箔电路层的第一电路板基材上，加工形成至少能使另一边之铜箔电路层在凹槽底部显露的电路凹槽，之后于电路凹槽中以电镀铜方式填入厚铜直到凸出第一电路板基材板面至预定高度，而成为依循电路凹槽分布的大截面积电路，再于大截面积电路所外露之第一电路板基材板面覆盖至少一半固化胶层，且经热熔压合方式令半固化胶层将大截面积电路覆盖，并维持表面之平整，即可获致一可于同一第一电路板基材上制作至少一薄电路及至少一大截面积电路电路的电路板。俾达到节省材料成本、避免浪费高价金属，以及降低污染源之目的。

14. 发明专利

TW201406232A 具有內埋元件之電路板审中-公开
简体标题：具有内埋组件之电路板
公开(公告)号：TW201406232A
公开(公告)日：2014-02-01
申请号：TW101126000
申请日：2012-07-19
申请人：先豐通訊股份有限公司
发明人：李建成 , LEE, CHIEN CHENG
IPC分类号： H05K1/14 , H05K3/46
摘要：本發明之電路板內設有至少一內埋元件，該電路板內並嵌入有至少一墊高結構體，該墊高結構體設有至少一導電通孔，可連接該電路板之接點，以解決習有因內埋元件所造成接點之距離較遠，導致導通之困難，而本發明並可縮小接點面積，有利於高密度以及細線路之製作。
简体摘要：本发明之电路板内设有至少一内埋组件，该电路板内并嵌入有至少一垫高结构体，该垫高结构体设有至少一导电通孔，可连接该电路板之接点，以解决习有因内埋组件所造成接点之距离较远，导致导通之困难，而本发明并可缩小接点面积，有利于高密度以及细线路之制作。

15. 实用新型

TWM461474U 自動逆洗裝置有权
简体标题：自动逆洗设备
公开(公告)号：TWM461474U
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：TW102209606
申请日：2013-05-23
申请人：先豐通訊股份有限公司
发明人：鄭文鋒 , CHENG, WEN FENG , 孫尚培 , SHUN, SHANG PEI , 許吉昌 , HSU, CHI CHANG , 莊豐瑋 , CHUANG, FENG WEI
IPC分类号： B01D61/02

16. 发明专利

TW201322900A 散熱電路板之製造方法审中-公开
简体标题：散热电路板之制造方法
公开(公告)号：TW201322900A
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW100142033
申请日：2011-11-17
申请人：先豐通訊股份有限公司
发明人：李建成 , LEE, CHIEN CHENG
IPC分类号： H05K7/20
摘要：本發明之製造方法中可提供一基板，該基板其中一表面設有線路層，並於該基板形成至少一穿槽，並提供一金屬散熱結構，該金屬散熱結構設有一金屬載板以及複數突出設置於該金屬載板上之金屬散熱體，利用熱壓方式將該金屬散熱體壓合固定於該穿槽中，使該金屬散熱結構之金屬載板固定於該基板另一表面，再進行後續表面平整以及導電孔成型等步驟，以完成散熱電路板，製程簡便以降低成本，該金屬散熱結構不僅可做為底層線路之一部分，更可作為散熱之用。
简体摘要：本发明之制造方法中可提供一基板，该基板其中一表面设有线路层，并于该基板形成至少一穿槽，并提供一金属散热结构，该金属散热结构设有一金属载板以及复数突出设置于该金属载板上之金属散热体，利用热压方式将该金属散热体压合固定于该穿槽中，使该金属散热结构之金属载板固定于该基板另一表面，再进行后续表面平整以及导电孔成型等步骤，以完成散热电路板，制程简便以降低成本，该金属散热结构不仅可做为底层线路之一部分，更可作为散热之用。

17. 实用新型

TWM405569U 液體濃度檢測裝置有权
简体标题：液体浓度检测设备
公开(公告)号：TWM405569U
公开(公告)日：2011-06-11
申请号：TW099221905
申请日：2010-11-12
申请人：先豐通訊股份有限公司
发明人：鄭文鋒 , 許吉昌 , 池桓壯
IPC分类号： G01N
摘要：本創作主要提供一種可快速偵測液體所含微粒或金屬離子濃度的液體濃度檢測裝置。所述之液體濃度檢測裝置係利用光束通過液體之前，先行觸發一第一光電元件使其產生一第一啟動訊號，並在光束通過液體之後觸發一第二光電元件使其產生一第二啟動訊號；再由一訊號處理器依照其接收到第二啟動訊號及第一啟動訊號之時間差，計算出光束通過受測液體的時間，並與內建的數據換算比對，即可快速取得用以表示液體濃度狀態之數值。
简体摘要：本创作主要提供一种可快速侦测液体所含微粒或金属离子浓度的液体浓度检测设备。所述之液体浓度检测设备系利用光束通过液体之前，先行触发一第一光电组件使其产生一第一启动信号，并在光束通过液体之后触发一第二光电组件使其产生一第二启动信号；再由一信号处理器依照其接收到第二启动信号及第一启动信号之时间差，计算出光束通过受测液体的时间，并与内置的数据换算比对，即可快速取得用以表示液体浓度状态之数值。

18. 发明专利

TW200844259A 蝕刻廢液之回收技術及其裝置审中-公开
简体标题：蚀刻废液之回收技术及其设备
公开(公告)号：TW200844259A
公开(公告)日：2008-11-16
申请号：TW096116988
申请日：2007-05-14
申请人：先豐通訊股份有限公司 BOARDTEK ELECTRONICS CORPORATION
发明人：鄭文鋒 CHENG, WEN FENG , 熊祖德 HSIUNG, JOE TE , 孫尚培 SHUN, SHANG PEI
IPC分类号： C23F , C25D , B01D
摘要：本發明主要係利用薄膜電極沉積法(Membrane Electrodeposition)處理含有銅離子之氯化鐵之蝕刻廢液。將氯化鐵蝕刻廢液置於陰極室中,其中之氯化鐵完全轉化為氯化亞鐵後,銅離子於陰極上沉積為銅,以機械力將陰極上之銅屑刮下,銅屑隨氯化亞鐵溶液經過濾機將銅屑濾出。俟銅離子完全於陰極沉積除盡後,將所濾出之氯化亞鐵溶液導入陽極室中。其氯化亞鐵之亞鐵離子於陽極室形成氯化鐵,可再回收使用為蝕刻液。
简体摘要：本发明主要系利用薄膜电极沉积法(Membrane Electrodeposition)处理含有铜离子之氯化铁之蚀刻废液。将氯化铁蚀刻废液置于阴极室中,其中之氯化铁完全转化为氯化亚铁后,铜离子于阴极上沉积为铜,以机械力将阴极上之铜屑刮下,铜屑随氯化亚铁溶液经过滤机将铜屑滤出。俟铜离子完全于阴极沉积除尽后,将所滤出之氯化亚铁溶液导入阳极室中。其氯化亚铁之亚铁离子于阳极室形成氯化铁,可再回收使用为蚀刻液。

19. 发明专利

TWI282594B 晶片封裝結構及其製程有权
简体标题：芯片封装结构及其制程
公开(公告)号：TWI282594B
公开(公告)日：2007-06-11
申请号：TW094116478
申请日：2005-05-20
申请人：先豐通訊股份有限公司
发明人：鄭文鋒 CHENG, WEN FENG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/97 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要：本發明提出一種晶片封裝結構及其製程，係以一載板作為支撐元件，並在封裝完成晶片封裝結構後，將載板移除，使得整體封裝結構的平整性較高、結構較穩固，且提高封裝過程中的可靠度，並具多用途，且可大幅降低整體封裝高度。
简体摘要：本发明提出一种芯片封装结构及其制程，系以一载板作为支撑组件，并在封装完成芯片封装结构后，将载板移除，使得整体封装结构的平整性较高、结构较稳固，且提高封装过程中的可靠度，并具多用途，且可大幅降低整体封装高度。

20. 发明专利

TW200615502A 高散熱接合結構 A THERMAL CONNECTION STRUCTURE 审中-公开
简体标题：高散热接合结构 A THERMAL CONNECTION STRUCTURE
公开(公告)号：TW200615502A
公开(公告)日：2006-05-16
申请号：TW093134305
申请日：2004-11-10
申请人：先豐通訊股份有限公司 CHIPSTRATE TECHNOLOGY, INC.
发明人：鄭文鋒 CHENG, JOSEPH , 李建成 LEE, JASON , 許吉昌 HSU, CHICHA , 李泓澔 LI, HUNGHAO
IPC分类号： F28F , H05K
摘要：一種高散熱接合結構，應用於接合電路板與散熱片。此接合結構係以錫膏混入金屬顆粒或表面電鍍金屬膜之顆粒所構成，藉以增加錫膏層的厚度及均勻鍍。上述金屬及金屬膜的材質需是焊錫性的金屬，包含金、銀、銅、錫及其合金。而錫膏層混入金屬顆粒或表面電鍍金屬膜之顆粒的比例以不超過95％較佳。
简体摘要：一种高散热接合结构，应用于接合电路板与散热片。此接合结构系以锡膏混入金属颗粒或表面电镀金属膜之颗粒所构成，借以增加锡膏层的厚度及均匀镀。上述金属及金属膜的材质需是焊锡性的金属，包含金、银、铜、锡及其合金。而锡膏层混入金属颗粒或表面电镀金属膜之颗粒的比例以不超过95％较佳。

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