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11. 发明专利

TWI443876B 發光元件及其製作方法有权
简体标题：发光组件及其制作方法
公开(公告)号：TWI443876B
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW100141855
申请日：2011-11-16
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：顏璽軒 , YEN, HSI HSUAN , 林瑞映 , LIN, JUI YING , 吳明憲 , WU, MING HSIEN
IPC分类号： H01L33/48

12. 发明专利

TWI552410B 有機發光模組有权
简体标题：有机发光模块
公开(公告)号：TWI552410B
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW104120511
申请日：2015-06-25
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：葉文勇 , YEH, WEN YUNG , 顏璽軒 , YEN, HSI HSUAN , 陳振坤 , CHEN, CHEN KUN
IPC分类号： H01L51/50 , H01L51/52 , H01L51/56
CPC分类号： H01L51/5275 , H01L51/0096

13. 发明专利

TW201622198A 發光元件、電極結構與其製作方法审中-公开
简体标题：发光组件、电极结构与其制作方法
公开(公告)号：TW201622198A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：TW104120972
申请日：2015-06-29
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：陳長營 , CHEN, CHANG YING , 顏璽軒 , YEN, HSI HSUAN , 劉軍廷 , LIU, CHUN TING
IPC分类号： H01L51/50 , H01L51/52 , H01L51/56
摘要：本發明的發光元件包括一基板、一第一電極結構、一有機發光結構以及一第二電極結構。第一電極結構包括依序配置於基板上的一第一透明導電層、一圖案化導電層以及一第二透明導電層，使圖案化導電層在基板的一厚度方向上插置於第二透明導電層與第一透明導電層之間。有機發光結構與第二電極結構配置於基板上，且有機發光結構在基板的厚度方向上位於第一電極結構與第二電極結構之間。另揭露一種電極結構與其製作方法。
简体摘要：本发明的发光组件包括一基板、一第一电极结构、一有机发光结构以及一第二电极结构。第一电极结构包括依序配置于基板上的一第一透明导电层、一图案化导电层以及一第二透明导电层，使图案化导电层在基板的一厚度方向上插置于第二透明导电层与第一透明导电层之间。有机发光结构与第二电极结构配置于基板上，且有机发光结构在基板的厚度方向上位于第一电极结构与第二电极结构之间。另揭露一种电极结构与其制作方法。

14. 发明专利

TWI424251B 發光單元陣列、用以製造其之方法及成像裝置有权
简体标题：发光单元数组、用以制造其之方法及成像设备
公开(公告)号：TWI424251B
公开(公告)日：2014-01-21
申请号：TW099134105
申请日：2010-10-06
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：趙嘉信 , CHAO, CHIA HSIN , 賴俊峰 , LAI, CHUN FENG , 葉文勇 , YEH, WEN YUNG , 顏璽軒 , YEN, HIS HSUAN , 戴晟傑 , TAI, SHENG CHIEH , 戴光佑 , TAI, KUANG YU
IPC分类号： G03B21/14 , H01L27/15 , H01L21/70

15. 发明专利

TW201322494A 發光元件及其製作方法审中-公开
简体标题：发光组件及其制作方法
公开(公告)号：TW201322494A
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW100141855
申请日：2011-11-16
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：顏璽軒 , YEN, HSI HSUAN , 林瑞映 , LIN, JUI YING , 吳明憲 , WU, MING HSIEN
IPC分类号： H01L33/48
摘要：一種發光元件及其製作方法。發光元件包括一基板、一發光二極體晶粒陣列以及一準直柱體陣列，其中發光二極體晶粒陣列位於基板以及準直柱體陣列之間，其中發光二極體晶粒陣列具有多個發光二極體晶粒，而準直柱體陣列具有多個準直柱體，且每一準直柱體相對遠離基板的一頂面為一不平整的斷裂表面。
简体摘要：一种发光组件及其制作方法。发光组件包括一基板、一发光二极管晶粒数组以及一准直柱体数组，其中发光二极管晶粒数组位于基板以及准直柱体数组之间，其中发光二极管晶粒数组具有多个发光二极管晶粒，而准直柱体数组具有多个准直柱体，且每一准直柱体相对远离基板的一顶面为一不平整的断裂表面。

16. 发明专利

TWI384611B 發光模組以及其形成方法有权
简体标题：发光模块以及其形成方法
公开(公告)号：TWI384611B
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW097105189
申请日：2008-02-14
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：薛翰聰 , HSUEH, HAN TSUNG , 顏璽軒 , YEN, HSI HSUAN , 葉文勇 , YEH, WEN YUNG , 朱慕道 , CHU, MU TAO
IPC分类号： H01L25/075
CPC分类号： H01L27/15 , H01L27/153 , Y10S257/918

17. 发明专利

TW201044557A 發光裝置 LIGHT EMITTING DEVICE 审中-公开
简体标题：发光设备 LIGHT EMITTING DEVICE
公开(公告)号：TW201044557A
公开(公告)日：2010-12-16
申请号：TW099118621
申请日：2010-06-08
申请人：財團法人工業技術研究院 , 晶元光電股份有限公司
发明人：葉文勇 , 顏璽軒 , 陳澤澎
IPC分类号： H01L , H05B
CPC分类号： H01L27/156 , H01L23/60 , H01L25/167 , H01L33/62 , H01L2224/24 , H01L2924/12032 , H01L2924/19105 , H01L2924/00
摘要：一種發光裝置包含複數個微型二極體,其互相電連接以構成一橋式整流器電路。橋式整流器電路之每個分支包含單一微型二極體或複數個微型二極體。發光裝置係電連接至交流(AC)電源,其在兩個電流迴路中交替驅動發光裝置。因此,在橋式整流器電路之兩個電流迴路中之微型二極體輪流發光。
简体摘要：一种发光设备包含复数个微型二极管,其互相电连接以构成一桥式整流器电路。桥式整流器电路之每个分支包含单一微型二极管或复数个微型二极管。发光设备系电连接至交流(AC)电源,其在两个电流回路中交替驱动发光设备。因此,在桥式整流器电路之两个电流回路中之微型二极管轮流发光。

18. 发明专利

TWI318466B 具有三接點之AC_LED單一晶片 AC_LED SINGLE CHIP WITH THREE TERMINALS 有权
简体标题：具有三接点之AC_LED单一芯片 AC_LED SINGLE CHIP WITH THREE TERMINALS
公开(公告)号：TWI318466B
公开(公告)日：2009-12-11
申请号：TW095146116
申请日：2006-12-08
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：林明德 , 葉文勇 , 郭家彰 , 顏璽軒 , 黃勝邦
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H05B33/0803 , H05B33/0809 , H05B33/0821
摘要：將多組AC_LED串列製作於同一半導體基材上，製作出具有三接點之AC_LED單一晶片結構，適用於三相位電壓源；也可以製作出具有四接點之AC_LED單一晶片結構，適用四相位電壓源控制之AC_LED單一晶片。 An AC LED with three terminals is disclosed and driven with three-phase voltage sources. An AC LED with four terminals is also disclosed and driven with four-phase voltage sources. 【創作特點】本案技藝以AC_LED作為基本單元，將三組AC_LED串列於半導體製程中，製作導線串接，構成一個等效於三角型接線之結構，產生一個適用於三相位電壓源控制之AC_LED單一晶片。
本案技藝以AC_LED為基本單元，將三組AC_LED串列於半導體製程中，製作導線串接，構成一個等效於Y型接線之結構，產生一個適用於三相位電壓源、或是四相位電壓源控制之AC_LED單一晶片。
简体摘要：将多组AC_LED串行制作于同一半导体基材上，制作出具有三接点之AC_LED单一芯片结构，适用于三相位电压源；也可以制作出具有四接点之AC_LED单一芯片结构，适用四相位电压源控制之AC_LED单一芯片。 An AC LED with three terminals is disclosed and driven with three-phase voltage sources. An AC LED with four terminals is also disclosed and driven with four-phase voltage sources. 【创作特点】本案技艺以AC_LED作为基本单元，将三组AC_LED串行于半导体制程中，制作导线串接，构成一个等效于三角型接线之结构，产生一个适用于三相位电压源控制之AC_LED单一芯片。本案技艺以AC_LED为基本单元，将三组AC_LED串行于半导体制程中，制作导线串接，构成一个等效于Y型接线之结构，产生一个适用于三相位电压源、或是四相位电压源控制之AC_LED单一芯片。

19. 发明专利

TWI373153B 發光二極體及其封裝結構與製作方法 LIGHT EMITTING DIODE, AND PACKAGE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR 有权
简体标题：发光二极管及其封装结构与制作方法 LIGHT EMITTING DIODE, AND PACKAGE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
公开(公告)号：TWI373153B
公开(公告)日：2012-09-21
申请号：TW097136352
申请日：2008-09-22
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：蔡曜駿 , 許進恭 , 顏璽軒 , 胡鴻烈
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/14 , H01L33/38 , H01L33/382
摘要：一種發光二極體及其製作方法與封裝結構。發光二極體包括一基底、第一半導體層、主動層、第二半導體層、電流分佈調整圖案、第一電極與第二電極。第一半導體層配置於此基底上，主動層配置於第一半導體層上，第二半導體層配置於主動層上。主動層與第二半導體層構成一高原結構，並暴露出部分的第一半導體層。電流分佈調整圖案位於第二半導體層上，而第一電極配置於被高原結構所暴露的第一半導體層上，並電性連接至第一半導體層。第二電極配置於電流分佈調整圖案上，並電性連接至第二半導體層。此發光二極體具有較佳的發光效率。
简体摘要：一种发光二极管及其制作方法与封装结构。发光二极管包括一基底、第一半导体层、主动层、第二半导体层、电流分布调整图案、第一电极与第二电极。第一半导体层配置于此基底上，主动层配置于第一半导体层上，第二半导体层配置于主动层上。主动层与第二半导体层构成一高原结构，并暴露出部分的第一半导体层。电流分布调整图案位于第二半导体层上，而第一电极配置于被高原结构所暴露的第一半导体层上，并电性连接至第一半导体层。第二电极配置于电流分布调整图案上，并电性连接至第二半导体层。此发光二极管具有较佳的发光效率。

20. 发明专利

TWI363438B 微晶片矩陣式光源模組 MICROCHIP MATRIX LIGHT SOURCE MODULE 有权
简体标题：微芯片矩阵式光源模块 MICROCHIP MATRIX LIGHT SOURCE MODULE
公开(公告)号：TWI363438B
公开(公告)日：2012-05-01
申请号：TW097126801
申请日：2008-07-15
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：葉文勇 , 顏璽軒 , 薛翰聰
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/153 , H01L33/60 , Y10S362/80
摘要：一種光源模組，包含基板以及形成於基板表面上的發光二極體。光源模組包括光反射體(light reflector)，光反射體形成於發光二極體形成的表面上，且光反射體介於發光二極體之間並配置成可反射，因此，光反射體可將由發光二極體的側向所發出之光重新導向。光反射體包括內部主體。內部主體可部分地或全部地被諸如金屬層等的光反射層所覆蓋。內部主體包括一層，此層對應於發光二極體內部結構中的至少的一層。
简体摘要：一种光源模块，包含基板以及形成于基板表面上的发光二极管。光源模块包括光反射体(light reflector)，光反射体形成于发光二极管形成的表面上，且光反射体介于发光二极管之间并配置成可反射，因此，光反射体可将由发光二极管的侧向所发出之光重新导向。光反射体包括内部主体。内部主体可部分地或全部地被诸如金属层等的光反射层所覆盖。内部主体包括一层，此层对应于发光二极管内部结构中的至少的一层。

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