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11. 发明专利

TWI611034B 成膜裝置及成膜基板製造方法有权
简体标题：成膜设备及成膜基板制造方法
公开(公告)号：TWI611034B
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：TW104131974
申请日：2015-09-30
申请人：芝浦機械電子裝置股份有限公司 , SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION
发明人：川又由雄 , KAWAMATA, YOSHIO
IPC分类号： C23C14/34 , H01J37/34 , C23C14/54

12. 发明专利

TWI598928B 電漿處理裝置有权
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TWI598928B
公开(公告)日：2017-09-11
申请号：TW104131200
申请日：2015-09-22
申请人：芝浦機械電子裝置股份有限公司 , SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION
发明人：川又由雄 , KAWAMATA, YOSHIO
IPC分类号： H01J37/32

13. 发明专利

TW201725603A 電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW201725603A
公开(公告)日：2017-07-16
申请号：TW106113326
申请日：2015-09-22
申请人：芝浦機械電子裝置股份有限公司 , SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION
发明人：川又由雄 , KAWAMATA,YOSHIO
IPC分类号： H01J37/32
摘要：本發明的課題在於減少電漿的洩漏，且使蝕刻速率提高。電漿處理裝置包括筒形電極（10），所述筒形電極（10）在一端設有開口部（11），且內部被導入製程氣體。筒形電極（10）與施加高頻電壓的高頻電源連接。電漿處理裝置包括旋轉台（3）作為搬送部，旋轉台（3）使工件（W）通過筒形電極（10）的開口部（11）的正下方。電漿處理裝置還包括磁性構件（17），所述磁性構件（17）在開口部（11）的附近，形成包含與工件（W）的搬送方向大致平行的磁力線的磁場（B）。
简体摘要：本发明的课题在于减少等离子的泄漏，且使蚀刻速率提高。等离子处理设备包括筒形电极（10），所述筒形电极（10）在一端设有开口部（11），且内部被导入制程气体。筒形电极（10）与施加高频电压的高频电源连接。等离子处理设备包括旋转台（3）作为搬送部，旋转台（3）使工件（W）通过筒形电极（10）的开口部（11）的正下方。等离子处理设备还包括磁性构件（17），所述磁性构件（17）在开口部（11）的附近，形成包含与工件（W）的搬送方向大致平行的磁力线的磁场（B）。

14. 发明专利

TW201339341A 成膜方法及濺鍍裝置审中-公开
简体标题：成膜方法及溅镀设备
公开(公告)号：TW201339341A
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW101109374
申请日：2012-03-19
申请人：芝浦機械電子裝置股份有限公司 , SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION
发明人：川又由雄 , KAWAMATA, YOSHIO , 宇都宮信明 , UTSUNOMIYA, NOBUAKI , 伊藤昭彥 , ITO, AKIHIKO
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/54 , C23C14/56
摘要：本發明係利用濺鍍法而形成非連續覆膜。本發明之成膜方法係於真空槽內使基板與靶材相對向且利用濺鍍法而於上述基板上進行成膜處理者，且以上述靶材之表面溫度達到高於常溫之特定溫度之方式進行控制，與不使上述靶材之表面溫度達到特定溫度之情形相比，可將高電阻之覆膜形成於上述基板上。
简体摘要：本发明系利用溅镀法而形成非连续覆膜。本发明之成膜方法系于真空槽内使基板与靶材相对向且利用溅镀法而于上述基板上进行成膜处理者，且以上述靶材之表面温度达到高于常温之特定温度之方式进行控制，与不使上述靶材之表面温度达到特定温度之情形相比，可将高电阻之覆膜形成于上述基板上。

15. 发明专利

TW201043714A 濺鍍成膜裝置审中-公开
简体标题：溅镀成膜设备
公开(公告)号：TW201043714A
公开(公告)日：2010-12-16
申请号：TW099108227
申请日：2010-03-19
申请人：芝浦機械電子裝置股份有限公司
发明人：川又由雄
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C14/50 , C23C14/0036 , H01J37/32541 , H01J37/3408
摘要：本發明之濺鍍成膜裝置具備:具有導電性之靶材座、及對向於上述靶材座而設置之具有導電性之基板座;且,將靶材保持於上述靶材座,將基板保持於上述基板座,對上述靶材座與上述基板座兩者施加電壓而進行上述靶材之濺鍍,並於上述基板形成包含上述靶材之構成元素之絕緣膜;又,上述基板座具有朝放電空間形成開口之間隙,且上述間隙具有在對上述基板之濺鍍成膜中,不使成為上述絕緣膜之絕緣物粒子到達之間隙尺寸,而於上述間隙之內壁確保相對於上述放電空間開放之導電面。
简体摘要：本发明之溅镀成膜设备具备:具有导电性之靶材座、及对向于上述靶材座而设置之具有导电性之基板座;且,将靶材保持于上述靶材座,将基板保持于上述基板座,对上述靶材座与上述基板座两者施加电压而进行上述靶材之溅镀,并于上述基板形成包含上述靶材之构成元素之绝缘膜;又,上述基板座具有朝放电空间形成开口之间隙,且上述间隙具有在对上述基板之溅镀成膜中,不使成为上述绝缘膜之绝缘物粒子到达之间隙尺寸,而于上述间隙之内壁确保相对于上述放电空间开放之导电面。

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