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11. 发明专利

TW201401351A 半導體結構製造方法审中-公开
简体标题：半导体结构制造方法
公开(公告)号：TW201401351A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW101121801
申请日：2012-06-18
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：陳信宇 , CHEN, HSIN YU , 蔡郁涵 , TSAI, YU HAN , 林君玲 , LIN, CHUN LING , 楊清利 , YANG, CHING LI , 鄭宏本 , CHENG, HOME BEEN
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/324
摘要：一種半導體結構之製造方法。製造方法包括：提供一基板，基板包括一矽層；蝕刻基板以形成一凹孔；填充一第一導體於部份之凹孔內；對第一導體進行一第一熱處理；填充一第二導體於凹孔內且填滿凹孔；以及對第一導體和第二導體進行一第二熱處理。
简体摘要：一种半导体结构之制造方法。制造方法包括：提供一基板，基板包括一硅层；蚀刻基板以形成一凹孔；填充一第一导体于部份之凹孔内；对第一导体进行一第一热处理；填充一第二导体于凹孔内且填满凹孔；以及对第一导体和第二导体进行一第二热处理。

12. 发明专利

TW201342526A 穿矽導通體結構及其製法审中-公开
简体标题：穿硅导通体结构及其制法
公开(公告)号：TW201342526A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：TW101113216
申请日：2012-04-13
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：陳信宇 , CHEN, HSIN YU , 蔡郁涵 , TSAI, YU HAN , 楊清利 , YANG, CHING LI , 鄭宏本 , CHENG, HOME BEEN
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/535
摘要：本發明有關一種穿矽導通體結構及其製法，其中，於形成層間介電層後，才進行導通孔的製作，並使導通孔穿透層間介電層，然後於導通孔中形成一介電襯層，此介電襯層延伸至層間介電層上。然後將導電材料填入導通孔中，進行一化學機械研磨製程，以將導電材料平坦化，並使用層間介電層上方的介電襯層做為化學機械研磨製程的停止層。
简体摘要：本发明有关一种穿硅导通体结构及其制法，其中，于形成层间介电层后，才进行导通孔的制作，并使导通孔穿透层间介电层，然后于导通孔中形成一介电衬层，此介电衬层延伸至层间介电层上。然后将导电材料填入导通孔中，进行一化学机械研磨制程，以将导电材料平坦化，并使用层间介电层上方的介电衬层做为化学机械研磨制程的停止层。

13. 发明专利

TW201342449A 晶圓切割方法及利於進行切割之晶圓結構审中-公开
简体标题：晶圆切割方法及利于进行切割之晶圆结构
公开(公告)号：TW201342449A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：TW101111850
申请日：2012-04-03
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：陳信宇 , CHEN, HSIN YU , 鄭宏本 , CHENG, HOME BEEN , 楊清利 , YANG, CHING LI
IPC分类号： H01L21/304
摘要：本案發明提供一種晶圓切割方法，包含下列步驟：提供晶圓，晶圓具有第一面及第二面；於晶圓之第一面進行積體電路製程而形成第一積體電路區域與外圍區域，外圍區域環繞於第一積體電路區域；積體電路製程包含有蝕刻製程，用以於外圍區域形成第一深渠溝，且第一深渠溝之深寬比大於10，且深度範圍為晶圓厚度之三分之一至三分之二；於第一面上配置黏性帶，至少涵蓋第一積體電路區域及外圍區域；以及於黏性帶施加擴張張力，使晶圓從第一深渠溝處斷裂。另外，本發明亦提供一種利於進行切割之晶圓結構。
简体摘要：本案发明提供一种晶圆切割方法，包含下列步骤：提供晶圆，晶圆具有第一面及第二面；于晶圆之第一面进行集成电路制程而形成第一集成电路区域与外围区域，外围区域环绕于第一集成电路区域；集成电路制程包含有蚀刻制程，用以于外围区域形成第一深渠沟，且第一深渠沟之深宽比大于10，且深度范围为晶圆厚度之三分之一至三分之二；于第一面上配置黏性带，至少涵盖第一集成电路区域及外围区域；以及于黏性带施加扩张张力，使晶圆从第一深渠沟处断裂。另外，本发明亦提供一种利于进行切割之晶圆结构。

14. 发明专利

TW201327762A 矽貫穿電極以及其形成方法审中-公开
简体标题：硅贯穿电极以及其形成方法
公开(公告)号：TW201327762A
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW100148338
申请日：2011-12-23
申请人：聯華電子股份有限公司 , UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：黃國雄 , HUANG, KUO HSIUNG , 邱春茂 , CHIOU, CHUN MAO , 陳信宇 , CHEN, HSIN YU , 蔡郁涵 , TSAI, YU HAN , 楊清利 , YANG, CHING LI , 鄭宏本 , CHENG, HOME BEEN
IPC分类号： H01L23/535 , H01L21/768
摘要：本發明揭露了一種矽貫穿電極。此矽貫穿電極設置於一基底中，此基底具有一通孔貫穿基底之一第一表面以及一第二表面。矽貫穿電極包含一絕緣層、一阻障層、一緩衝層以及一導電電極。絕緣層設置於通孔的表面。阻障層設置於絕緣層之表面。緩衝層設置於阻障層之表面。導電電極設置於緩衝層之表面並填滿通孔，其中緩衝層還覆蓋在導電電極位於第二表面一側之表面上。本發明還揭露一種形成矽貫穿電極的方法。
简体摘要：本发明揭露了一种硅贯穿电极。此硅贯穿电极设置于一基底中，此基底具有一通孔贯穿基底之一第一表面以及一第二表面。硅贯穿电极包含一绝缘层、一阻障层、一缓冲层以及一导电电极。绝缘层设置于通孔的表面。阻障层设置于绝缘层之表面。缓冲层设置于阻障层之表面。导电电极设置于缓冲层之表面并填满通孔，其中缓冲层还覆盖在导电电极位于第二表面一侧之表面上。本发明还揭露一种形成硅贯穿电极的方法。

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