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11. 发明专利

TW201115717A 具低容值之靜電放電保護元件製造方法审中-公开
简体标题：具低容值之静电放电保护组件制造方法
公开(公告)号：TW201115717A
公开(公告)日：2011-05-01
申请号：TW098135791
申请日：2009-10-22
申请人：禾伸堂企業股份有限公司
发明人：孫思隆 , 劉文隆
IPC分类号： H01L , H02H , H01B
摘要：本發明為有關一種具低容値之靜電放電保護元件製造方法,其製造之步驟流程係包括,基板上設有下電極,且基板上設有覆蓋至下電極上表面之金屬膜,金屬膜進行化成處理(Chemical Conversion)加工形成障壁絕緣層,基板上設有覆蓋至金屬膜與障壁絕緣層所形成之金屬化成絕緣膜上表面,並與下電極呈上下層疊之上電極,由於製造步驟少而可加快製造速度、產量增加,更可容易控制障壁絕緣層之厚度來達到厚度薄、電容値低及觸發電壓低之特性。
简体摘要：本发明为有关一种具低容値之静电放电保护组件制造方法,其制造之步骤流程系包括,基板上设有下电极,且基板上设有覆盖至下电极上表面之金属膜,金属膜进行化成处理(Chemical Conversion)加工形成障壁绝缘层,基板上设有覆盖至金属膜与障壁绝缘层所形成之金属化成绝缘膜上表面,并与下电极呈上下层叠之上电极,由于制造步骤少而可加快制造速度、产量增加,更可容易控制障壁绝缘层之厚度来达到厚度薄、电容値低及触发电压低之特性。

12. 发明专利

TW201225760A 過電壓保護元件及其製造方法审中-公开
简体标题：过电压保护组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201225760A
公开(公告)日：2012-06-16
申请号：TW099141928
申请日：2010-12-02
申请人：禾伸堂企業股份有限公司
发明人：唐錦榮 , 林文新 , 孫思隆
IPC分类号： H05K , H01C
摘要：本發明為有關一種過電壓保護元件及其製造方法,係包括有基板及過電壓保護元件基材,而基板表面上利用機械加工方式縱向開設有一個或一個以上呈貫通狀之嵌置孔,即可將過電壓保護元件基材原料調製成膏狀,並填充、注入於基板之嵌置孔內加熱固化成型,再於基板二側表面上利用導電金屬予以金屬化形成有披覆至過電壓保護元件基材上、下二側處之電極導體,便完成過電壓保護元件內埋式基板成品,當過電壓保護元件二端電極導體所承受的電壓為大於崩潰電壓時,其阻抗値將瞬間極小化以抑制暫態或突波電壓,而具有過電壓保護的功能。
简体摘要：本发明为有关一种过电压保护组件及其制造方法,系包括有基板及过电压保护组件基材,而基板表面上利用机械加工方式纵向开设有一个或一个以上呈贯通状之嵌置孔,即可将过电压保护组件基材原料调制成膏状,并填充、注入于基板之嵌置孔内加热固化成型,再于基板二侧表面上利用导电金属予以金属化形成有披覆至过电压保护组件基材上、下二侧处之电极导体,便完成过电压保护组件内埋式基板成品,当过电压保护组件二端电极导体所承受的电压为大于崩溃电压时,其阻抗値将瞬间极小化以抑制暂态或突波电压,而具有过电压保护的功能。

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