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    • 11. 发明专利
    • 電子機器及電路基板
    • 电子机器及电路基板
    • TW201820583A
    • 2018-06-01
    • TW107104538
    • 2017-02-24
    • 日商東芝股份有限公司KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
    • 八甫谷明彥HAPPOYA, AKIHIKO
    • H01L25/00H01L21/02H01L23/48H01L23/52
    • 本發明係一種半導體裝置及其製造方法,其中,實施形態之半導體裝置係具備:導電部,和絕緣層,和分子接合層,和金屬電鍍層。前述絕緣層係具有使前述導電部之至少一部分露出之露出部。前述分子接合層係至少加以設置於前述絕緣層之表面。前述金屬電鍍層係經由前述分子接合層而加以接合於前述絕緣層之表面。前述分子接合層之至少一部分係與含於前述絕緣層之絕緣素材化學結合。前述分子接合層之至少一部分係與含於前述金屬電鍍層之金屬化學結合。前述金屬電鍍層係通過前述露出部而加以電性連接於前述導電部。
    • 本发明系一种半导体设备及其制造方法,其中,实施形态之半导体设备系具备:导电部,和绝缘层,和分子接合层,和金属电镀层。前述绝缘层系具有使前述导电部之至少一部分露出之露出部。前述分子接合层系至少加以设置于前述绝缘层之表面。前述金属电镀层系经由前述分子接合层而加以接合于前述绝缘层之表面。前述分子接合层之至少一部分系与含于前述绝缘层之绝缘素材化学结合。前述分子接合层之至少一部分系与含于前述金属电镀层之金属化学结合。前述金属电镀层系通过前述露出部而加以电性连接于前述导电部。