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11. 发明专利

TW201730134A 透明氧化鋁燒結體的製法审中-公开
简体标题：透明氧化铝烧结体的制法
公开(公告)号：TW201730134A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105131224
申请日：2016-09-29
申请人：日本碍子股份有限公司 , NGK INSULATORS, LTD.
发明人：渡邊守道 , 松島潔 , 佐藤圭 , 七瀧努
IPC分类号： C04B35/115
CPC分类号： C04B35/115 , G02B1/02
摘要：本發明的透明氧化鋁燒結體的製法，係包括：(a)將含有寬深比達3以上的板狀氧化鋁粉末、與平均粒徑較小於上述板狀氧化鋁粉末之微細氧化鋁粉末的氧化鋁原料粉末，將上述板狀氧化鋁粉末與上述微細氧化鋁粉末的混合比例依質量比設為T：(100-T)時，T係0.001以上且未滿1的方式調製，且該氧化鋁原料粉末中的F相對於Al的質量比R1係未滿15ppm的方式調製之步驟；(b)將含有上述氧化鋁原料粉末的成形用原料施行成形，而形成成形體的步驟；以及(c)藉由將上述成形體施行煅燒，而獲得透明氧化鋁燒結體的步驟。
简体摘要：本发明的透明氧化铝烧结体的制法，系包括：(a)将含有宽深比达3以上的板状氧化铝粉末、与平均粒径较小于上述板状氧化铝粉末之微细氧化铝粉末的氧化铝原料粉末，将上述板状氧化铝粉末与上述微细氧化铝粉末的混合比例依质量比设为T：(100-T)时，T系0.001以上且未满1的方式调制，且该氧化铝原料粉末中的F相对于Al的质量比R1系未满15ppm的方式调制之步骤；(b)将含有上述氧化铝原料粉末的成形用原料施行成形，而形成成形体的步骤；以及(c)借由将上述成形体施行煅烧，而获得透明氧化铝烧结体的步骤。

12. 发明专利

TW201710212A 礬土燒結體以及光學元件用底層基板审中-公开
简体标题：矾土烧结体以及光学组件用底层基板
公开(公告)号：TW201710212A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW105114676
申请日：2016-05-12
申请人：日本碍子股份有限公司 , NGK INSULATORS, LTD.
发明人：松島潔 , 渡邊守道 , 佐藤圭 , 七瀧努
IPC分类号： C04B35/115 , G02B1/02
CPC分类号： C01F7/02 , C01F7/442 , C01P2002/60 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/22 , C01P2004/54 , C01P2004/61 , C01P2006/14 , C01P2006/16 , C01P2006/60 , C01P2006/80 , C04B35/115 , G01N23/207 , G02B1/02
摘要：本發明的礬土燒結體，其具有以X射線照射時在2θ=20°~70°的範圍的X射線繞射輪廓，以勞特格法求得的c面配向度為5%以上的面，含有Mg、F，Mg/F的質量比為0.05~3500，Mg的含量為30~3500質量ppm，結晶粒徑為15~200μm，將縱1340.4μm×橫1607.0μm的視野以倍率500倍拍攝的照片，目視時直徑1μm以上的氣孔在50個以下。本發明的礬土燒結體，作成0.5mm厚時，在300~1000nm的直線穿透率為60%以上。總之，本發明的礬土燒結體，即使c面配向度為5%以上，直線穿透率高而透明性優良。
简体摘要：本发明的矾土烧结体，其具有以X射线照射时在2θ=20°~70°的范围的X射线绕射轮廓，以劳特格法求得的c面配向度为5%以上的面，含有Mg、F，Mg/F的质量比为0.05~3500，Mg的含量为30~3500质量ppm，结晶粒径为15~200μm，将纵1340.4μm×横1607.0μm的视野以倍率500倍拍摄的照片，目视时直径1μm以上的气孔在50个以下。本发明的矾土烧结体，作成0.5mm厚时，在300~1000nm的直线穿透率为60%以上。总之，本发明的矾土烧结体，即使c面配向度为5%以上，直线穿透率高而透明性优良。

13. 发明专利

TWI563133B 獨立式氮化鎵基板、發光元件及此等之製造方法有权
简体标题：独立式氮化镓基板、发光组件及此等之制造方法
公开(公告)号：TWI563133B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：TW104120459
申请日：2015-06-25
申请人：日本碍子股份有限公司 , NGK INSULATORS, LTD.
发明人：渡邊守道 , WATANABE, MORIMICHI , 吉川潤 , YOSHIKAWA, JUN , 七瀧努 , NANATAKI, TSUTOMU , 今井克宏 , IMAI, KATSUHIRO , 杉山智彥 , SUGIYAMA, TOMOHIKO , 吉野隆史 , YOSHINO, TAKASHI , 武內幸久 , TAKEUCHI, YUKIHISA , 佐藤圭 , SATO, KEI
IPC分类号： C30B29/38 , H01L33/16 , H01L33/32 , C30B19/02 , H01L21/208 , H01L51/56

14. 发明专利

TW201634427A 板狀氧化鋁粉末的製法及板狀氧化鋁粉末审中-公开
简体标题：板状氧化铝粉末的制法及板状氧化铝粉末
公开(公告)号：TW201634427A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW104138424
申请日：2015-11-20
申请人：日本碍子股份有限公司 , NGK INSULATORS, LTD.
发明人：渡邊守道 , 福井宏史 , 佐藤圭 , 七瀧努
IPC分类号： C04B35/626 , C04B35/10 , C01F7/02
CPC分类号： C01F7/30 , C01F7/441 , C01F7/442 , C01P2004/03 , C01P2004/20 , C01P2004/22 , C01P2004/50 , C01P2004/54 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/80 , C04B35/626 , C30B1/02 , C30B29/20 , C30B29/64
摘要：將γ-氧化鋁粉末96質量份、AlF3粉末4質量份、及作為種晶之α-氧化鋁粉末0.17質量份以球磨機進行混合。對於使用之各原料之純度進行評價，結果Al、O、F、H、C、S以外之各元素之質量比例為10ppm以下。將獲得之混合粉末300g放入純度99.9質量%之高純度氧化鋁製莢，蓋上純度99.9質量%之高純度氧化鋁製蓋，於電爐內在空氣流中於900℃進行3小時熱處理，獲得板狀氧化鋁粉末。AlF3質量除以莢之體積而得之值(AlF3質量/容器體積)為0.016g/cm3。獲得之板狀氧化鋁粒子為縱橫比11.5之α-氧化鋁粒子。
简体摘要：将γ-氧化铝粉末96质量份、AlF3粉末4质量份、及作为种晶之α-氧化铝粉末0.17质量份以球磨机进行混合。对于使用之各原料之纯度进行评价，结果Al、O、F、H、C、S以外之各元素之质量比例为10ppm以下。将获得之混合粉末300g放入纯度99.9质量%之高纯度氧化铝制荚，盖上纯度99.9质量%之高纯度氧化铝制盖，于电炉内在空气流中于900℃进行3小时热处理，获得板状氧化铝粉末。AlF3质量除以荚之体积而得之值(AlF3质量/容器体积)为0.016g/cm3。获得之板状氧化铝粒子为纵横比11.5之α-氧化铝粒子。

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