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11. 发明专利

TW201715077A 氧化物蝕刻選擇性系統审中-公开
简体标题：氧化物蚀刻选择性系统
公开(公告)号：TW201715077A
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW105124964
申请日：2016-08-05
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：徐霖 , XU, LIN , 陳智君 , CHEN, ZHIJUN , 王安川 , WANG, ANCHUAN , 蓋葉頌T , NGUYEN, SON T.
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/50 , H01J37/32 , H01L21/302 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213
CPC分类号： H01J37/3244 , C23C16/45565 , C23C16/50 , H01J37/32009 , H01J37/32082 , H01J37/32357 , H01J37/32715 , H01J37/32899 , H01J2237/334 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/32135 , H01L21/32136 , H01L21/32137 , H01L21/67069
摘要：本技術的實施方式可以包括一種對基板進行蝕刻的方法。該方法可以包括引燃電漿區域中的電漿放電。該方法亦可包括使含氟的前驅物流入該電漿區域中，以便形成電漿流出物。該電漿流出物可流入混合區域中。該方法可進一步包括將含氫和氧的化合物引入該混合區域中，而不首先使該含氫和氧的化合物進入該電漿區域中。另外，該方法可以包括使該含氫和氧的化合物與該電漿流出物在該混合區域中反應，以便形成反應產物。該等反應產物可以經由隔板中的複數個開口流到基板處理區域。該方法亦可包括在該基板處理區域中利用該等反應產物蝕刻該基板。
简体摘要：本技术的实施方式可以包括一种对基板进行蚀刻的方法。该方法可以包括引燃等离子区域中的等离子放电。该方法亦可包括使含氟的前驱物流入该等离子区域中，以便形成等离子流出物。该等离子流出物可流入混合区域中。该方法可进一步包括将含氢和氧的化合物引入该混合区域中，而不首先使该含氢和氧的化合物进入该等离子区域中。另外，该方法可以包括使该含氢和氧的化合物与该等离子流出物在该混合区域中反应，以便形成反应产物。该等反应产物可以经由隔板中的复数个开口流到基板处理区域。该方法亦可包括在该基板处理区域中利用该等反应产物蚀刻该基板。

12. 发明专利

TW201430946A 選擇性氮化鈦蝕刻审中-公开
简体标题：选择性氮化钛蚀刻
公开(公告)号：TW201430946A
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW102146153
申请日：2013-12-13
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：劉杰 , LIU, JIE , 張景春 , ZHANG, JINGCHUN , 王安川 , WANG, ANCHUAN , 英格爾尼汀K , INGLE, NITIN K. , 朴勝浩 , PARK, SEUNG HO , 陳智君 , CHEN, ZHIJUN , 徐菁鎂 , HSU, CHING MEI
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/32136 , H01J37/32357
摘要：茲描述在圖案化異質結構上相對於其他材料蝕刻曝露的氮化鈦的方法，而且該方法可以包括從含氟前驅物形成的遠端電漿蝕刻。使包括來自遠端電漿的電漿流出物的前驅物組合流入基板處理區域，以在各種的操作條件下以高的氮化鈦選擇率蝕刻該圖案化結構。該方法可被用於以比各種金屬、氮化物及氧化物化合物更快的速率去除氮化鈦。
简体摘要：兹描述在图案化异质结构上相对于其他材料蚀刻曝露的氮化钛的方法，而且该方法可以包括从含氟前驱物形成的远程等离子蚀刻。使包括来自远程等离子的等离子流出物的前驱物组合流入基板处理区域，以在各种的操作条件下以高的氮化钛选择率蚀刻该图案化结构。该方法可被用于以比各种金属、氮化物及氧化物化合物更快的速率去除氮化钛。

13. 发明专利

TW201419402A 自由基成分的氧化物蝕刻审中-公开
简体标题：自由基成分的氧化物蚀刻
公开(公告)号：TW201419402A
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：TW102132456
申请日：2013-09-09
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：陳智君 , CHEN, ZHIJUN , 張景春 , ZHANG, JINGCHUN , 徐菁鎂 , HSU, CHING MEI , 朴勝浩 , PARK, SEUNG HO , 王安川 , WANG, ANCHUAN , 英格爾尼汀K , INGLE, NITIN K.
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/31116 , H01J37/32357
摘要：描述一種在圖案化異質結構上蝕刻暴露的氧化矽之方法，且該方法包括從含氟前驅物所形成的遠端電漿蝕刻。來自該遠端電漿的電漿流出物係流進基材處理區域，在該基材處理區域中該電漿流出物與含氮和氫前驅物組合。在該基材於相較於典型的SiconiTM製程為高溫時，從而產生的反應物以高氧化矽選擇性蝕刻該圖案化異質結構。該蝕刻進行不會在該基材表面上產生殘餘物。該方法可用以在移除極少量或不移除矽、多晶矽、氮化矽或氮化鈦的同時移除氧化矽。
简体摘要：描述一种在图案化异质结构上蚀刻暴露的氧化硅之方法，且该方法包括从含氟前驱物所形成的远程等离子蚀刻。来自该远程等离子的等离子流出物系流进基材处理区域，在该基材处理区域中该等离子流出物与含氮和氢前驱物组合。在该基材于相较于典型的SiconiTM制程为高温时，从而产生的反应物以高氧化硅选择性蚀刻该图案化异质结构。该蚀刻进行不会在该基材表面上产生残余物。该方法可用以在移除极少量或不移除硅、多晶硅、氮化硅或氮化钛的同时移除氧化硅。

14. 发明专利

TWI676205B 用於鹵化物驅氣的處理系統及方法有权
简体标题：用于卤化物驱气的处理系统及方法
公开(公告)号：TWI676205B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：TW107104260
申请日：2014-03-13
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：王安川 , WANG,ANCHUAN , 陳興隆 , CHEN,XINGLONG , 李資慧 , LI,ZIHUI , 浜名宏 , HAMANA,HIROSHI , 陳智君 , CHEN,ZHIJUN , 徐菁鎂 , HSU,CHING-MEI , 黃嘉瑩 , HUANG,JIAYIN , 英格爾尼汀K , INGLE,NITIN K. , 路柏曼斯基迪米奇 , LUBOMIRSKY,DIMITRY , 凡卡塔拉曼尚卡爾 , VENKATARAMAN,SHANKAR , 薩庫瑞希爾 , THAKUR,RANDHIR
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67 , H01J37/32

15. 发明专利

TW201903835A 無水的蝕刻方法审中-公开
简体标题：无水的蚀刻方法
公开(公告)号：TW201903835A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107117859
申请日：2018-05-25
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：陳智君 , CHEN, ZHIJUN , 徐霖 , XU, LIN , 王安川 , WANG, ANCHUAN , 茵可尼汀 , INGLE, NITIN
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/311
摘要：示例性清潔或蝕刻方法可包括使含氟前驅物流入半導體處理腔室的遠端電漿區域中。方法可包括在遠端電漿區域內形成電漿，以產生含氟前驅物的電漿流出物。方法還可包括使電漿流出物流入半導體處理腔室的處理區域中。基板可位於處理區域內，且基板可包括曝露氧化物的區域和曝露金屬的區域。方法還可包括向處理區域提供含氫前驅物。方法可進一步包括移除曝露氧化物的至少一部分。
简体摘要：示例性清洁或蚀刻方法可包括使含氟前驱物流入半导体处理腔室的远程等离子区域中。方法可包括在远程等离子区域内形成等离子，以产生含氟前驱物的等离子流出物。方法还可包括使等离子流出物流入半导体处理腔室的处理区域中。基板可位于处理区域内，且基板可包括曝露氧化物的区域和曝露金属的区域。方法还可包括向处理区域提供含氢前驱物。方法可进一步包括移除曝露氧化物的至少一部分。

16. 发明专利

TW201826386A 用於高深寬比結構之移除方法审中-公开
简体标题：用于高深宽比结构之移除方法
公开(公告)号：TW201826386A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106138881
申请日：2017-11-10
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：徐霖 , XU, LIN , 陳智君 , CHEN, ZHIJUN , 黃嘉瑩 , HUANG, JIAYIN , 王安川 , WANG, ANCHUAN
IPC分类号： H01L21/3065
摘要：多種示範性清潔或蝕刻方法可包括，使含氟前驅物流進半導體處理腔室的遠端電漿區域。方法可包括，在該遠端電漿區域內形成電漿，以生成該含氟前驅物的電漿流出物。該等方法亦可包括，使該等電漿流出物流進該半導體處理腔室的處理區域。基板可定位在該處理區域內，且該基板可包括暴露氧化物之區域。方法亦可包括，提供含氫前驅物至該處理區域。該等方法可進一步包括，移除至少一部分的該暴露氧化物，同時將該處理區域內的相對溼度維持在低於約50%。在移除之後，該等方法可包括，將該處理區域內的該相對溼度增加至大於50%或約50%。該等方法可進一步包括，移除額外量的該暴露氧化物。
简体摘要：多种示范性清洁或蚀刻方法可包括，使含氟前驱物流进半导体处理腔室的远程等离子区域。方法可包括，在该远程等离子区域内形成等离子，以生成该含氟前驱物的等离子流出物。该等方法亦可包括，使该等等离子流出物流进该半导体处理腔室的处理区域。基板可定位在该处理区域内，且该基板可包括暴露氧化物之区域。方法亦可包括，提供含氢前驱物至该处理区域。该等方法可进一步包括，移除至少一部分的该暴露氧化物，同时将该处理区域内的相对湿度维持在低于约50%。在移除之后，该等方法可包括，将该处理区域内的该相对湿度增加至大于50%或约50%。该等方法可进一步包括，移除额外量的该暴露氧化物。

17. 发明专利

TWI618139B 矽－碳－氮化物之選擇性蝕刻有权
简体标题：硅－碳－氮化物之选择性蚀刻
公开(公告)号：TWI618139B
公开(公告)日：2018-03-11
申请号：TW102131730
申请日：2013-09-03
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：陳智君 , CHEN, ZHIJUN , 張景春 , ZHANG, JINGCHUN , 王安川 , WANG, ANCHUAN , 英格爾尼汀K , INGLE, NITIN K.
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/31116 , H01J37/32357 , H01L21/76802

18. 实用新型

TWM544519U 氧化物蝕刻選擇性系統有权
简体标题：氧化物蚀刻选择性系统
公开(公告)号：TWM544519U
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105211878
申请日：2016-08-05
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：徐霖 , XU, LIN , 陳智君 , CHEN, ZHIJUN , 王安川 , WANG, ANCHUAN , 蓋葉頌T , NGUYEN, SON T.
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/50 , H01L21/302 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/3244 , C23C16/45565 , C23C16/50 , H01J37/32009 , H01J37/32082 , H01J37/32357 , H01J37/32715 , H01J37/32899 , H01J2237/334 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/32135 , H01L21/32136 , H01L21/32137 , H01L21/67069

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