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11. 发明专利

TW201702740A 化合物、樹脂、微影用下層膜形成材料、微影用下層膜形成用組成物、微影用下層膜、阻劑圖型形成方法、電路圖型形成方法以及化合物或樹脂之純化方法审中-公开
简体标题：化合物、树脂、微影用下层膜形成材料、微影用下层膜形成用组成物、微影用下层膜、阻剂图型形成方法、电路图型形成方法以及化合物或树脂之纯化方法
公开(公告)号：TW201702740A
公开(公告)日：2017-01-16
申请号：TW105104300
申请日：2016-02-15
申请人：三菱瓦斯化學股份有限公司 , MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
发明人：樋田匠 , TOIDA, TAKUMI , 越後雅敏 , ECHIGO, MASATOSHI , 佐藤 , SATO, TAKASHI , 牧野嶋高史 , MAKINOSHIMA, TAKASHI
IPC分类号： G03F7/022 , C08F214/18 , G03F7/004
CPC分类号： C07C43/275 , C07C41/38 , C07C43/205 , C07C43/235 , C08G8/00 , C08G8/10 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/26 , G03F7/30
摘要：本發明係一種下述式(1)所示之化合物。 (式(1)中，R1為碳數1~30的2n價之基、R2~R5各自獨立地為碳數1~10的烷基、碳數6~10之芳基、碳數2~10的烯基、碳數1~30的烷氧基、硫醇基或羥基，惟，R4之至少1個及/或R5之至少1個為碳數1~30的烷氧基、m2及m3各自獨立地為0~8的整數、m4及m5各自獨立地為0~9的整數，惟，m4與m5不同時為0、n為1~4的整數、p2~p5各自獨立地為0~2的整數)。
简体摘要：本发明系一种下述式(1)所示之化合物。 (式(1)中，R1为碳数1~30的2n价之基、R2~R5各自独立地为碳数1~10的烷基、碳数6~10之芳基、碳数2~10的烯基、碳数1~30的烷氧基、硫醇基或羟基，惟，R4之至少1个及/或R5之至少1个为碳数1~30的烷氧基、m2及m3各自独立地为0~8的整数、m4及m5各自独立地为0~9的整数，惟，m4与m5不同时为0、n为1~4的整数、p2~p5各自独立地为0~2的整数)。

12. 发明专利

TW201629031A 化合物、樹脂、微影蝕刻用底層膜形成材料、微影蝕刻用底層膜、圖型形成方法及精製方法审中-公开
简体标题：化合物、树脂、微影蚀刻用底层膜形成材料、微影蚀刻用底层膜、图型形成方法及精制方法
公开(公告)号：TW201629031A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：TW104143626
申请日：2015-12-24
申请人：三菱瓦斯化學股份有限公司 , MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
发明人：樋田匠 , TOIDA, TAKUMI , 越後雅敏 , ECHIGO, MASATOSHI , 佐藤 , SATO, TAKASHI , 牧野嶋高史 , MAKINOSHIMA, TAKASHI
IPC分类号： C07D311/78 , C08G16/00 , G03F7/11 , H01L21/027 , B01D11/04
CPC分类号： C07D311/78 , C08G8/04 , C08G8/08 , C08G18/30 , C09D161/06 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/26 , G03F7/30
摘要：一種下述式(1)所表示之化合物。 (式(1)中，X表示各自獨立之氧原子或硫原子，或無交聯者，R1為單鍵或碳數1~30之2n價之基，該基可具有脂環式烴基、雙鍵、雜原子或碳數6~30之芳基，R2為各自獨立之碳數1~10之直鏈狀、分支狀或環狀之烷基、碳數6~10之芳基、碳數2~10之烯基、碳數1~30之烷氧基、碳數6~30之芳氧基或羥基，其中，R2中至少1個為碳數1~30之烷氧基或碳數6~30之芳氧基，m為各自獨立之1~6之整數，p為各自獨立之0或1，n為1~4之整數)。
简体摘要：一种下述式(1)所表示之化合物。 (式(1)中，X表示各自独立之氧原子或硫原子，或无交联者，R1为单键或碳数1~30之2n价之基，该基可具有脂环式烃基、双键、杂原子或碳数6~30之芳基，R2为各自独立之碳数1~10之直链状、分支状或环状之烷基、碳数6~10之芳基、碳数2~10之烯基、碳数1~30之烷氧基、碳数6~30之芳氧基或羟基，其中，R2中至少1个为碳数1~30之烷氧基或碳数6~30之芳氧基，m为各自独立之1~6之整数，p为各自独立之0或1，n为1~4之整数)。

13. 发明专利

TW201543150A 化合物以及包含其之光阻組成物审中-公开
简体标题：化合物以及包含其之光阻组成物
公开(公告)号：TW201543150A
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：TW104106322
申请日：2015-02-26
申请人：三菱瓦斯化學股份有限公司 , MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
发明人：樋田匠 , TOIDA, TAKUMI , 高須賀大晃 , TAKASUKA, MASAAKI , 佐藤 , SATO, TAKASHI , 越後雅敏 , ECHIGO, MASATOSHI
IPC分类号： G03F7/004 , C07C69/712 , H01L21/027
CPC分类号： C07C43/23 , C07C39/15 , C07C69/712 , C07C69/96 , G03F7/0392
摘要：本發明之化合物係選自由以特定之式(1-1)以及(1-2)表示之化合物構成之群。由於具有該構造，故本發明之化合物具有高的耐熱性及高的溶解性，且使用作為阻劑材料之原料時可減低阻劑圖型之粗糙度。本發明之化合物可較好地利用於半導體用光阻等之感光性材料之基底化合物等。
简体摘要：本发明之化合物系选自由以特定之式(1-1)以及(1-2)表示之化合物构成之群。由于具有该构造，故本发明之化合物具有高的耐热性及高的溶解性，且使用作为阻剂材料之原料时可减低阻剂图型之粗糙度。本发明之化合物可较好地利用于半导体用光阻等之感光性材料之基底化合物等。

14. 发明专利

TWI494343B 表面保護層用熱硬化性樹脂組成物有权
简体标题：表面保护层用热硬化性树脂组成物
公开(公告)号：TWI494343B
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW099126454
申请日：2010-08-09
申请人：三菱瓦斯化學股份有限公司 , MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
发明人：佐藤隆 , SATO, TAKASHI , 上野修一 , UENO, SHUICHI
IPC分类号： C08G59/42 , C08L63/00 , B32B27/00 , C09D163/00
CPC分类号： C08G59/4215 , C08L63/00 , C09D163/00

15. 发明专利

TW201902909A 化合物、包含化合物之阻劑組成物及使用其之圖型形成方法审中-公开
简体标题：化合物、包含化合物之阻剂组成物及使用其之图型形成方法
公开(公告)号：TW201902909A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107111388
申请日：2018-03-30
申请人：學校法人關西大學 , THE SCHOOL CORPORATION KANSAI UNIVERSITY , 日商三菱瓦斯化學股份有限公司 , MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
发明人：工藤宏人 , KUDO, HIROTO , 佐藤 , SATO, TAKASHI , 越後雅敏 , ECHIGO, MASATOSHI
IPC分类号： C07H13/08 , C08G8/20 , G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/20 , H01L21/027
摘要：一種阻劑組成物，其包含選自由於構造中含有至少一個交聯性反應基之單寧及其衍生物，以及將此等作為單體而得之樹脂所成群組中之單寧化合物的1種以上。
简体摘要：一种阻剂组成物，其包含选自由于构造中含有至少一个交联性反应基之单宁及其衍生物，以及将此等作为单体而得之树脂所成群组中之单宁化合物的1种以上。

16. 发明专利

TW201708952A 感放射線性組成物及阻劑圖型形成方法审中-公开
简体标题：感放射线性组成物及阻剂图型形成方法
公开(公告)号：TW201708952A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105110094
申请日：2016-03-30
申请人：三菱瓦斯化學股份有限公司 , MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
发明人：越後雅敏 , ECHIGO, MASATOSHI , 樋田匠 , TOIDA, TAKUMI , 佐藤 , SATO, TAKASHI
IPC分类号： G03F7/022 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0226 , G03F7/022 , G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/30
摘要：一種含有(A)阻劑基材與(B)重氮萘醌光活性化合物與(C)溶劑之感放射線性組成物，前述感放射線性組成物中之固形成分的含量為1~80質量%，溶劑的含量為20~99質量%，前述(A)阻劑基材為以下述式(1)表示之化合物。 (式(1)中，R0各自獨立為氫原子、羥基、氰基、硝基、雜環基、鹵素原子、取代或者無取代的碳數1~20之直鏈狀脂肪族烴基、取代或者無取代的碳數3~20的分枝狀脂肪族烴基、取代或者無取代的碳數3~20的環狀脂肪族烴基、取代或者無取代的碳數6~20的芳基、取代或者無取代的碳數7~30的芳烷基、取代或者無取代的碳數1~20的烷氧基、取代或者無取代的碳數0~20的胺基、取代或者無取代的碳數1~20的烯基、取代或者無取代的碳數1~20的醯基、取代或者無取代的碳數2~20的烷氧基羰基、取代或者無取代的碳數1~20的烷醯基氧基、取代或者無取代的碳數7~30的芳醯基氧基、取代或者無取代的碳數1~20的烷基矽烷基、或此等基與二價基鍵結而成的基，在此，前述二價基為選自取代或無取代的伸烷基、取代或無取代的伸芳基及醚基所構成的群之基。)
简体摘要：一种含有(A)阻剂基材与(B)重氮萘醌光活性化合物与(C)溶剂之感放射线性组成物，前述感放射线性组成物中之固形成分的含量为1~80质量%，溶剂的含量为20~99质量%，前述(A)阻剂基材为以下述式(1)表示之化合物。 (式(1)中，R0各自独立为氢原子、羟基、氰基、硝基、杂环基、卤素原子、取代或者无取代的碳数1~20之直链状脂肪族烃基、取代或者无取代的碳数3~20的分枝状脂肪族烃基、取代或者无取代的碳数3~20的环状脂肪族烃基、取代或者无取代的碳数6~20的芳基、取代或者无取代的碳数7~30的芳烷基、取代或者无取代的碳数1~20的烷氧基、取代或者无取代的碳数0~20的胺基、取代或者无取代的碳数1~20的烯基、取代或者无取代的碳数1~20的酰基、取代或者无取代的碳数2~20的烷氧基羰基、取代或者无取代的碳数1~20的烷酰基氧基、取代或者无取代的碳数7~30的芳酰基氧基、取代或者无取代的碳数1~20的烷基硅烷基、或此等基与二价基键结而成的基，在此，前述二价基为选自取代或无取代的伸烷基、取代或无取代的伸芳基及醚基所构成的群之基。)

17. 发明专利

TW201708322A 高分子化合物、感放射線性組成物及圖型形成方法审中-公开
简体标题：高分子化合物、感放射线性组成物及图型形成方法
公开(公告)号：TW201708322A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW104137168
申请日：2015-11-11
申请人：學校法人關西大學 , A SCHOOL CORPORATION KANSAI UNIVERSITY , 三菱瓦斯化學股份有限公司 , MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
发明人：工藤宏人 , KUDO, HIROTO , 越後雅敏 , ECHIGO, MASATOSHI , 樋田匠 , TOIDA, TAKUMI , 佐藤 , SATO, TAKASHI
IPC分类号： C08G83/00 , G03F7/004 , H01L21/027
摘要：本發明之課題在於提供一高感度且可得微細圖型之高分子化合物、含該化合物之光阻劑材料、感放射線性組成物與光阻劑圖型形成方法。本發明之解決手段為一種高分子化合物，其係含以下述一般式(1)所示之單位構造。 m1,m2=1~8、n1,n2=0~7、m1+n1,m2+n2=4~8、y為0~2、R1為羥基、取代或無取代之直鏈狀、分支狀或環狀之烷基、取代或無取代之芳基或鹵素原子、R3為氫原子、取代或無取代之直鏈狀、分支狀或環狀之烷基或取代或無取代之芳基、R2為說明書中以一般式(2)所示之任一構造。至少一個R2具有酸解離性部位。R5為羥基、-O-R2-O-＊、-O-R2-O-R55。R6為羥基或-O-R2-O-＊。
简体摘要：本发明之课题在于提供一高感度且可得微细图型之高分子化合物、含该化合物之光阻剂材料、感放射线性组成物与光阻剂图型形成方法。本发明之解决手段为一种高分子化合物，其系含以下述一般式(1)所示之单位构造。 m1,m2=1~8、n1,n2=0~7、m1+n1,m2+n2=4~8、y为0~2、R1为羟基、取代或无取代之直链状、分支状或环状之烷基、取代或无取代之芳基或卤素原子、R3为氢原子、取代或无取代之直链状、分支状或环状之烷基或取代或无取代之芳基、R2为说明书中以一般式(2)所示之任一构造。至少一个R2具有酸解离性部位。R5为羟基、-O-R2-O-＊、-O-R2-O-R55。R6为羟基或-O-R2-O-＊。

18. 发明专利

TW201708321A 高分子化合物、感放射線性組成物及圖型形成方法审中-公开
简体标题：高分子化合物、感放射线性组成物及图型形成方法
公开(公告)号：TW201708321A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW104137167
申请日：2015-11-11
申请人：學校法人關西大學 , A SCHOOL CORPORATION KANSAI UNIVERSITY , 三菱瓦斯化學股份有限公司 , MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
发明人：工藤宏人 , KUDO, HIROTO , 越後雅敏 , ECHIGO, MASATOSHI , 樋田匠 , TOIDA, TAKUMI , 佐藤 , SATO, TAKASHI
IPC分类号： C08G83/00 , G03F7/004 , H01L21/027
摘要：本發明之課題在於提供一高感度且可得微細圖型之高分子化合物、含該化合物之光阻劑材料、感放射線性組成物與光阻劑圖型形成方法。本發明之解決手段為一種高分子化合物，其係含以下述一般式(1)所示之單位構造。 m1=1~8、n1=0~7、m1+n1=4~8、m2=1~8、n2=0~7、m2+n2=4~8、m1=m2；R1為羥基、取代或無取代之直鏈狀、分支狀或環狀之烷基、取代或無取代之芳基、或、鹵素原子；R3為氫原子、取代或無取代之直鏈狀、分支狀或環狀之烷基、或取代或無取代之芳基；R2各自獨立地為說明書中以一般式(2)所示之任一構造。惟，至少一個R2具有酸解離性部位。R5為羥基或-O-R2-O-＊。
简体摘要：本发明之课题在于提供一高感度且可得微细图型之高分子化合物、含该化合物之光阻剂材料、感放射线性组成物与光阻剂图型形成方法。本发明之解决手段为一种高分子化合物，其系含以下述一般式(1)所示之单位构造。 m1=1~8、n1=0~7、m1+n1=4~8、m2=1~8、n2=0~7、m2+n2=4~8、m1=m2；R1为羟基、取代或无取代之直链状、分支状或环状之烷基、取代或无取代之芳基、或、卤素原子；R3为氢原子、取代或无取代之直链状、分支状或环状之烷基、或取代或无取代之芳基；R2各自独立地为说明书中以一般式(2)所示之任一构造。惟，至少一个R2具有酸解离性部位。R5为羟基或-O-R2-O-＊。

19. 发明专利

TW201708289A 感放射線性組成物审中-公开
简体标题：感放射线性组成物
公开(公告)号：TW201708289A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105107774
申请日：2016-03-14
申请人：三菱瓦斯化學股份有限公司 , MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
发明人：越後雅敏 , ECHIGO, MASATOSHI , 樋田匠 , TOIDA, TAKUMI , 佐藤 , SATO, TAKASHI
IPC分类号： C08G8/04 , G03F7/022
CPC分类号： C08G8/04 , G03F7/022
摘要：本發明之目的，在於提供賦予粗糙度小的良好阻劑圖型之包含阻劑基材、光活性化合物及溶劑之感放射線性組成物，及使用該組成物之阻劑圖型形成方法。本發明係含有(A)阻劑基材、(B)重氮萘醌光活性化合物及(C)溶劑之感放射線性組成物，該組成物中，固形成分的含量為1~80質量%之範圍，溶劑的含量為20~99質量%之範圍，該(A)阻劑基材係以特定式所示之化合物。
简体摘要：本发明之目的，在于提供赋予粗糙度小的良好阻剂图型之包含阻剂基材、光活性化合物及溶剂之感放射线性组成物，及使用该组成物之阻剂图型形成方法。本发明系含有(A)阻剂基材、(B)重氮萘醌光活性化合物及(C)溶剂之感放射线性组成物，该组成物中，固形成分的含量为1~80质量%之范围，溶剂的含量为20~99质量%之范围，该(A)阻剂基材系以特定式所示之化合物。

20. 发明专利

TW201600504A 抗蝕組成物及抗蝕圖型形成方法审中-公开
简体标题：抗蚀组成物及抗蚀图型形成方法
公开(公告)号：TW201600504A
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW104108135
申请日：2015-03-13
申请人：三菱瓦斯化學股份有限公司 , MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
发明人：佐藤 , SATO, TAKASHI , 越後雅敏 , ECHIGO, MASATOSHI
IPC分类号： C07C39/17 , C07C39/21 , G03F7/004 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0382 , C07C39/15 , G03F7/0045 , G03F7/162 , G03F7/168 , G03F7/2037 , G03F7/327 , G03F7/40
摘要：本發明係關於一種含有特定式所示化合物的抗蝕組成物。上述化合物即使為低分子量，具有比該高芳香族性骨架更高之耐熱性，在高溫烘烤條件下亦可使用。因構成如上所述，故有關本發明之抗蝕組成物為可賦予耐熱性優良，對安全溶劑之溶解性高，高感度且良好抗蝕圖型形狀者。即，有關本發明之抗蝕組成物可作為酸增幅型非高分子系抗蝕材料使用。
简体摘要：本发明系关于一种含有特定式所示化合物的抗蚀组成物。上述化合物即使为低分子量，具有比该高芳香族性骨架更高之耐热性，在高温烘烤条件下亦可使用。因构成如上所述，故有关本发明之抗蚀组成物为可赋予耐热性优良，对安全溶剂之溶解性高，高感度且良好抗蚀图型形状者。即，有关本发明之抗蚀组成物可作为酸增幅型非高分子系抗蚀材料使用。

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