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11. 发明专利

TW202017912A 四羧酸二酐、聚醯亞胺前驅物樹脂、聚醯亞胺、聚醯亞胺前驅物樹脂溶液、聚醯亞胺溶液及聚醯亞胺薄膜审中-公开
简体标题：四羧酸二酐、聚酰亚胺前驱物树脂、聚酰亚胺、聚酰亚胺前驱物树脂溶液、聚酰亚胺溶液及聚酰亚胺薄膜
公开(公告)号：TW202017912A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW108127538
申请日：2019-08-02
申请人：日商JXTG能源股份有限公司 , JXTG NIPPON OIL & ENERGY CORPORATION
发明人：小松伸一 , KOMATSU, SHINICHI , 渡部大輔 , WATANABE, DAISUKE
IPC分类号： C07D307/93 , C08G73/10 , C08J5/18
摘要：本發明係一種四羧酸二酐，其係以下述通式(1)： [式(1)中，R1、R2、R3各自獨立表示氫原子等，n表示0~12之整數]。表示之化合物之立體異構物的混合物，相對於前述立體異構物的總量，特定之通式表示之異構物(A)之含量為40莫耳%~98莫耳%，相對於前述立體異構物的總量，以特定通式表示之異構物(B)之含量為2莫耳%~60莫耳%，且相對於前述立體異構物的總量，前述異構物(A)及(B)之合計量為42莫耳%以上。
简体摘要：本发明系一种四羧酸二酐，其系以下述通式(1)： [式(1)中，R1、R2、R3各自独立表示氢原子等，n表示0~12之整数]。表示之化合物之三維异构物的混合物，相对于前述三維异构物的总量，特定之通式表示之异构物(A)之含量为40莫耳%~98莫耳%，相对于前述三維异构物的总量，以特定通式表示之异构物(B)之含量为2莫耳%~60莫耳%，且相对于前述三維异构物的总量，前述异构物(A)及(B)之合计量为42莫耳%以上。

12. 发明专利

TW201907182A 防霧構件审中-公开
简体标题：防雾构件
公开(公告)号：TW201907182A
公开(公告)日：2019-02-16
申请号：TW107118736
申请日：2018-05-31
申请人：日商JXTG能源股份有限公司 , JXTG NIPPON OIL & ENERGY CORPORATION
发明人：竹下彩乃 , TAKESHITA, AYANO , 高野香織 , TAKANO, KAORI , 高橋麻登香 , TAKAHASHI, MADOKA , 關隆史 , SEKI, TAKASHI
IPC分类号： G02B1/10 , B32B3/30 , B05D5/00
摘要：本發明提供一種具有優異之防霧性，並且耐磨耗性較高，霧度(haze)較小，自斜向觀察時與自垂直方向觀察時之穿透率及色度之差較小，穿透率及色度不取決於方位角之防霧構件。防霧構件100具有由凸部60及凹部70劃分形成之凹凸表面80，藉由對上述凹凸表面80之觀察圖像實施二維高速傅立葉變換處理而獲得之傅立葉變換圖像呈以波數之絕對值為0μm-1之原點為大致中心之圓狀或圓環狀花樣，上述凸部及上述凹部俯視時於無規之方向延伸，上述凹凸表面80之凹凸之平均間距在50~250nm之範圍內，由構成上述凹凸表面80之材料構成之平滑表面中的水之接觸角為90度以下。
简体摘要：本发明提供一种具有优异之防雾性，并且耐磨耗性较高，雾度(haze)较小，自斜向观察时与自垂直方向观察时之穿透率及色度之差较小，穿透率及色度不取决于方位角之防雾构件。防雾构件100具有由凸部60及凹部70划分形成之凹凸表面80，借由对上述凹凸表面80之观察图像实施二维高速傅里叶变换处理而获得之傅里叶变换图像呈以波数之绝对值为0μm-1之原点为大致中心之圆状或圆环状花样，上述凸部及上述凹部俯视时于无规之方向延伸，上述凹凸表面80之凹凸之平均间距在50~250nm之范围内，由构成上述凹凸表面80之材料构成之平滑表面中的水之接触角为90度以下。

13. 发明专利

TW201835648A 光學相位差構件、偏光變換元件、模板及光學相位差構件的製造方法审中-公开
简体标题：光学相位差构件、偏光变换组件、模板及光学相位差构件的制造方法
公开(公告)号：TW201835648A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW107105987
申请日：2018-02-22
申请人：日商JXTG能源股份有限公司 , JXTG NIPPON OIL & ENERGY CORPORATION
发明人：須崎吾郎 , SUZAKI, GOROU , 田中大直 , TANAKA, HIRONAO , 後藤正直 , GOTO, MASANAO , 立花真林 , TACHIBANA, MAKI
IPC分类号： G02F1/13 , G02F1/1335 , G02B5/30
摘要：本發明提供一種低成本的光學相位差構件，其可容易地製造偏光變換元件。本發明的光學相位差構件10A包括：相位差部7A，其藉由在一方向上延伸存在的多個凸部以及鄰接的該凸部之間的凹部週期性地排列的凹凸結構來產生相位差；以及非相位差部9A，其不產生相位差；並且上述相位差部7A與上述非相位差部9A在同一面上交替配置。
简体摘要：本发明提供一种低成本的光学相位差构件，其可容易地制造偏光变换组件。本发明的光学相位差构件10A包括：相位差部7A，其借由在一方向上延伸存在的多个凸部以及邻接的该凸部之间的凹部周期性地排列的凹凸结构来产生相位差；以及非相位差部9A，其不产生相位差；并且上述相位差部7A与上述非相位差部9A在同一面上交替配置。

14. 发明专利

TW201827485A 聚醯亞胺、聚醯亞胺前驅物樹脂、該等之溶液、聚醯亞胺之製造方法及使用聚醯亞胺之薄膜审中-公开
简体标题：聚酰亚胺、聚酰亚胺前驱物树脂、该等之溶液、聚酰亚胺之制造方法及使用聚酰亚胺之薄膜
公开(公告)号：TW201827485A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：TW106134454
申请日：2017-10-06
申请人：日商JXTG能源股份有限公司 , JXTG NIPPON OIL & ENERGY CORPORATION
发明人：渡部大輔 , WATANABE, DAISUKE , 長谷川貴大 , HASEGAWA, TAKAHIRO , 藤代理恵子 , FUJISHIRO, RIEKO , 京武亜紗子 , KYOUBU, ASAKO
IPC分类号： C08G73/10 , C07D307/77 , C07C211/50 , C08J5/18
摘要：本發明係一含有特定的重複單位(A1)、特定的重複單位(B1)與特定的重複單位(C1)之聚醯亞胺。
简体摘要：本发明系一含有特定的重复单位(A1)、特定的重复单位(B1)与特定的重复单位(C1)之聚酰亚胺。

15. 发明专利

TW201819459A 全芳香族液晶聚酯樹脂、成形品及電氣電子零件审中-公开
简体标题：全芳香族液晶聚酯树脂、成形品及电气电子零件
公开(公告)号：TW201819459A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW106122369
申请日：2017-07-04
申请人： JXTG能源股份有限公司 , JXTG NIPPON OIL & ENERGY CORPORATION
发明人：鷲野豪介 , WASHINO, GOSUKE
IPC分类号： C08G63/60 , H01B17/56 , H01B3/42
摘要：本發明提供一種具有極低之介電損耗正切、並且耐熱性優異之全芳香族液晶聚酯樹脂。本發明之全芳香族液晶聚酯樹脂之特徵在於包含如下結構單元而成：源自6-羥基-2-萘甲酸之結構單元(I)、源自芳香族二醇化合物之結構單元(II)、及源自芳香族二羧酸化合物之結構單元(III)，且結構單元(III)包含源自對苯二甲酸之結構單元(IIIA)，且包含源自2,6-萘二甲酸之結構單元(IIIB)及源自間苯二甲酸之結構單元(IIIC)之至少1種；上述結構單元之組成比(莫耳%)滿足下述條件： 40莫耳%≦結構單元(I)≦80莫耳% 10莫耳%≦結構單元(II)≦30莫耳% 3莫耳%≦結構單元(IIIA)≦28莫耳% 0莫耳%≦結構單元(IIIB)≦9莫耳% 0莫耳%≦結構單元(IIIC)＜5莫耳% (但，並無結構單元(IIIB)及結構單元(IIIC)兩者均為0莫耳%之情況)。
简体摘要：本发明提供一种具有极低之介电损耗正切、并且耐热性优异之全芳香族液晶聚酯树脂。本发明之全芳香族液晶聚酯树脂之特征在于包含如下结构单元而成：源自6-羟基-2-萘甲酸之结构单元(I)、源自芳香族二醇化合物之结构单元(II)、及源自芳香族二羧酸化合物之结构单元(III)，且结构单元(III)包含源自对苯二甲酸之结构单元(IIIA)，且包含源自2,6-萘二甲酸之结构单元(IIIB)及源自间苯二甲酸之结构单元(IIIC)之至少1种；上述结构单元之组成比(莫耳%)满足下述条件： 40莫耳%≦结构单元(I)≦80莫耳% 10莫耳%≦结构单元(II)≦30莫耳% 3莫耳%≦结构单元(IIIA)≦28莫耳% 0莫耳%≦结构单元(IIIB)≦9莫耳% 0莫耳%≦结构单元(IIIC)＜5莫耳% (但，并无结构单元(IIIB)及结构单元(IIIC)两者均为0莫耳%之情况)。

16. 发明专利

TW201819429A 熱塑性彈性體組成物及其製造方法审中-公开
简体标题：热塑性弹性体组成物及其制造方法
公开(公告)号：TW201819429A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW106116136
申请日：2017-05-16
申请人：日商JXTG能源股份有限公司 , JXTG NIPPON OIL & ENERGY CORPORATION
发明人：知野圭介 , CHINO, KEISUKE , 鈴木宏明 , SUZUKI, HIROAKI
IPC分类号： C08F8/00 , C08K3/34 , C08L101/02
摘要：一種熱塑性彈性體組成物，其為含有由具有含有「具有含羰基之基及/或含氮雜環之氫鍵結性交聯部位」之側鏈(a)，且玻璃移轉點為25℃以下之彈性體性聚合物(A)，及，側鏈含有氫鍵結性交聯部位及共價鍵結性交聯部位，且玻璃移轉點為25℃以下之彈性體性聚合物(B)所成之群所選出之至少1種的彈性體成份的熱塑性彈性體組成物，其特徵為，前述彈性體成份為由特定之反應物(I)~(VI)所成之群所選出之至少1種的反應物，且，相對於前述彈性體成份100質量份，尚含有20質量份以下之含有比例的有機黏土。
简体摘要：一种热塑性弹性体组成物，其为含有由具有含有“具有含羰基之基及/或含氮杂环之氢键结性交联部位”之侧链(a)，且玻璃移转点为25℃以下之弹性体性聚合物(A)，及，侧链含有氢键结性交联部位及共价键结性交联部位，且玻璃移转点为25℃以下之弹性体性聚合物(B)所成之群所选出之至少1种的弹性体成份的热塑性弹性体组成物，其特征为，前述弹性体成份为由特定之反应物(I)~(VI)所成之群所选出之至少1种的反应物，且，相对于前述弹性体成份100质量份，尚含有20质量份以下之含有比例的有机黏土。

17. 发明专利

TW201804239A 光學相位差構件及投影機审中-公开
简体标题：光学相位差构件及投影机
公开(公告)号：TW201804239A
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW106111875
申请日：2017-04-10
申请人： JXTG能源股份有限公司 , JXTG NIPPON OIL & ENERGY CORPORATION
发明人：後藤正直 , GOTO, MASANAO , 須崎吾郎 , SUZAKI, GOROU , 田中大直 , TANAKA, HIRONAO
IPC分类号： G03B21/00 , G02B27/18
摘要：光學相位差構件100具備：透明基體40：具有由多個凸部60構成之凹凸圖案80，該等凸部60沿一方向延伸並且與延伸方向垂直之面的剖面略呈梯形；高折射率層30：形成於透明基體40之凸部60之上表面60t及側面60s，且具有高於凸部60之折射率；及積層體20：形成於凸部60之上表面60t之高折射率層30上。相鄰之凸部60之對向之側面60s上的高折射率層30之間存在空氣層90。積層體20具備形成於高折射率層30上之第1層22、形成於第2k-1層(k為1~n之整數)上之第2k層及形成於第2k層上之第2k+1層，第1層22之折射率低於高折射率層30之折射率、上述第2k+1層之折射率低於第2k層之折射率。光學相位差構件100於寬波長範圍顯示高穿透率。
简体摘要：光学相位差构件100具备：透明基体40：具有由多个凸部60构成之凹凸图案80，该等凸部60沿一方向延伸并且与延伸方向垂直之面的剖面略呈梯形；高折射率层30：形成于透明基体40之凸部60之上表面60t及侧面60s，且具有高于凸部60之折射率；及积层体20：形成于凸部60之上表面60t之高折射率层30上。相邻之凸部60之对向之侧面60s上的高折射率层30之间存在空气层90。积层体20具备形成于高折射率层30上之第1层22、形成于第2k-1层(k为1~n之整数)上之第2k层及形成于第2k层上之第2k+1层，第1层22之折射率低于高折射率层30之折射率、上述第2k+1层之折射率低于第2k层之折射率。光学相位差构件100于宽波长范围显示高穿透率。

18. 发明专利

TW201907183A 抗反射構件审中-公开
简体标题：抗反射构件
公开(公告)号：TW201907183A
公开(公告)日：2019-02-16
申请号：TW107117444
申请日：2018-05-21
申请人：日商JXTG能源股份有限公司 , JXTG NIPPON OIL & ENERGY CORPORATION
发明人：高野香織 , TAKANO, KAORI , 田中大直 , TANAKA, HIRONAO , 關隆史 , SEKI, TAKASHI , 後藤正直 , GOTO, MASANAO
IPC分类号： G02B1/118
摘要：本發明之抗反射構件100具有由凸部60及凹部70劃分之凹凸表面80，且上述凹凸表面80之觀察圖像之傅立葉變換圖像，呈現以波數之絕對值為0μm-1之原點作為大致中心之圓形或圓環狀之花樣，上述凸部60及上述凹部70於俯視下沿無規之方向延伸，於以與上述凸部60之延伸方向垂直之面切斷所得之上述凸部60的剖面中，上述凸部60之寬度自上述凸部60之底部70b朝向頂部60t變小，距上述底部70b為0.95D(D為上述凸部之高度)之高度上之上述凸部60之寬度W1與距上述底部70b為0.05D之高度上之上述凸部60的寬度W2滿足0.04P
简体摘要：本发明之抗反射构件100具有由凸部60及凹部70划分之凹凸表面80，且上述凹凸表面80之观察图像之傅里叶变换图像，呈现以波数之绝对值为0μm-1之原点作为大致中心之圆形或圆环状之花样，上述凸部60及上述凹部70于俯视下沿无规之方向延伸，于以与上述凸部60之延伸方向垂直之面切断所得之上述凸部60的剖面中，上述凸部60之宽度自上述凸部60之底部70b朝向顶部60t变小，距上述底部70b为0.95D(D为上述凸部之高度)之高度上之上述凸部60之宽度W1与距上述底部70b为0.05D之高度上之上述凸部60的宽度W2满足0.04P

19. 发明专利

TW201842028A 硬化樹脂用組合物、該組合物之硬化物、該組合物及該硬化物之製造方法、與半導體裝置审中-公开
简体标题：硬化树脂用组合物、该组合物之硬化物、该组合物及该硬化物之制造方法、与半导体设备
公开(公告)号：TW201842028A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107111431
申请日：2018-03-31
申请人：日商JXTG能源股份有限公司 , JXTG NIPPON OIL & ENERGY CORPORATION
发明人：西谷佳典 , NISHITANI, YOSHINORI , 南昌樹 , MINAMI, MASAKI
IPC分类号： C08K5/357 , C08K5/3472 , C08G59/24 , C08G59/40 , H01L23/29
摘要：本發明提供一種用以獲得可兼顧高耐熱性與對金屬之高密接性之硬化物的硬化樹脂用組合物、其硬化物、與該硬化樹脂用組合物及該硬化物之製造方法。又，本發明提供一種使用上述硬化物作為密封材之半導體裝置。本發明係一種硬化樹脂用組合物、其硬化物、與該硬化樹脂用組合物及該硬化物之製造方法，該硬化樹脂用組合物含有：(A)具有兩個以上苯并㗁𠯤環之多官能苯并㗁𠯤化合物、(B)具有至少一個降𦯉烷結構及至少兩個環氧基之多官能環氧化合物、(C)硬化劑、(D)三唑系化合物及任意之(E)硬化促進劑、(F)無機填充劑。又，本發明係一種半導體裝置，其係將半導體元件設置於使含有成分(A)~(D)、任意之(E)、(F)之硬化樹脂用組合物硬化而成之硬化物中。
简体摘要：本发明提供一种用以获得可兼顾高耐热性与对金属之高密接性之硬化物的硬化树脂用组合物、其硬化物、与该硬化树脂用组合物及该硬化物之制造方法。又，本发明提供一种使用上述硬化物作为密封材之半导体设备。本发明系一种硬化树脂用组合物、其硬化物、与该硬化树脂用组合物及该硬化物之制造方法，该硬化树脂用组合物含有：(A)具有两个以上苯并㗁𠯤环之多官能苯并㗁𠯤化合物、(B)具有至少一个降𦯉烷结构及至少两个环氧基之多官能环氧化合物、(C)硬化剂、(D)三唑系化合物及任意之(E)硬化促进剂、(F)无机填充剂。又，本发明系一种半导体设备，其系将半导体组件设置于使含有成分(A)~(D)、任意之(E)、(F)之硬化树脂用组合物硬化而成之硬化物中。

20. 发明专利

TW201841898A 四羧酸二酐、聚醯亞胺前驅物樹脂及其溶液，以及聚醯亞胺及其溶液审中-公开
简体标题：四羧酸二酐、聚酰亚胺前驱物树脂及其溶液，以及聚酰亚胺及其溶液
公开(公告)号：TW201841898A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107114427
申请日：2018-04-27
申请人：日商JXTG能源股份有限公司 , JXTG NIPPON OIL & ENERGY CORPORATION
发明人：小松伸一 , KOMATSU, SHINICHI , 京武亜紗子 , KYOBU, ASAKO
IPC分类号： C07D307/77 , C08G73/10
摘要：本發明為一種四羧酸二酐，其係下述一般式(1)表示之四羧酸二酐， [式(1)中，R1、R2、R3分別獨立表示氫原子等，n表示0～12之整數] 　　根據前述一般式(1)中之2個降冰片烷環的立體配置，相對於立體同分異構物的總量，特定之立體同分異構物(A)及特定之立體同分異構物(B)之合計量的比例為50莫耳%以上，且相對於前述立體同分異構物的總量，前述立體同分異構物(A)的含有比例為30莫耳%以上。
简体摘要：本发明为一种四羧酸二酐，其系下述一般式(1)表示之四羧酸二酐， [式(1)中，R1、R2、R3分别独立表示氢原子等，n表示0～12之整数] 　　根据前述一般式(1)中之2个降冰片烷环的三維配置，相对于三維同分异构物的总量，特定之三維同分异构物(A)及特定之三維同分异构物(B)之合计量的比例为50莫耳%以上，且相对于前述三維同分异构物的总量，前述三維同分异构物(A)的含有比例为30莫耳%以上。

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