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    • 13. 发明专利
    • 乾式蝕刻方法
    • 干式蚀刻方法
    • TW201709321A
    • 2017-03-01
    • TW105121921
    • 2016-07-12
    • 中央硝子股份有限公司CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED
    • 大森啟之OOMORI, HIROYUKI八尾章史YAO, AKIFUMI
    • H01L21/3065
    • H01L21/3065H01J2237/3341H01L21/30604H01L21/31H05H1/46
    • 本發明之乾式蝕刻方法之特徵在於:其係對形成於基板上之矽氧化物層與矽氮化物層之積層膜,介隔形成於上述積層膜上之遮罩,進行使乾式蝕刻劑電漿化並施加500V以上之偏壓電壓的蝕刻,從而對該層形成垂直方向之貫通孔的方法,並且上述乾式蝕刻劑至少包含C3H2F4、CxFy所表示之不飽和全氟碳及氧化性氣體,且上述乾式蝕刻劑中所含之上述不飽和全氟碳之體積為上述乾式蝕刻劑中所含之上述C3H2F4之體積的0.1~10倍之範圍。藉由該乾式蝕刻方法,可將SiOx之蝕刻速度相對於SiN之蝕刻速度的比(SiN/SiOx比)任意地控制於0.90~1.5之間,並且亦可對遮罩實現高蝕刻選擇性。
    • 本发明之干式蚀刻方法之特征在于:其系对形成于基板上之硅氧化物层与硅氮化物层之积层膜,介隔形成于上述积层膜上之遮罩,进行使干式蚀刻剂等离子化并施加500V以上之偏压电压的蚀刻,从而对该层形成垂直方向之贯通孔的方法,并且上述干式蚀刻剂至少包含C3H2F4、CxFy所表示之不饱和全氟碳及氧化性气体,且上述干式蚀刻剂中所含之上述不饱和全氟碳之体积为上述干式蚀刻剂中所含之上述C3H2F4之体积的0.1~10倍之范围。借由该干式蚀刻方法,可将SiOx之蚀刻速度相对于SiN之蚀刻速度的比(SiN/SiOx比)任意地控制于0.90~1.5之间,并且亦可对遮罩实现高蚀刻选择性。