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11. 发明专利

TWI251327B 過電流保護元件之製作方法 MANUFACTURING METHOD FOR OVER-CURRENT PROTECTION DEVICE 失效
简体标题：过电流保护组件之制作方法 MANUFACTURING METHOD FOR OVER-CURRENT PROTECTION DEVICE
公开(公告)号：TWI251327B
公开(公告)日：2006-03-11
申请号：TW093120297
申请日：2004-07-07
申请人：聚鼎科技股份有限公司 POLYTRONICS TECHNOLOGY CORP.
发明人：林承賢 LIN, ZACK , 蔡東成 TSAI, TONG CHENG
IPC分类号： H01L
摘要：本發明揭示一種過電流保護元件之製作方法，其包含下列步驟：首先，提供一包含兩電極層及一正溫度係數材料層之正溫度係數材料板，其中該正溫度係數材料層係疊設於該兩電極層之間。接著，分別披覆兩光阻層於該兩電極層表面，且經曝光及顯影以進行圖案化。依圖案化後之圖案蝕刻該兩電極層，形成複數個切割線。之後，依據該切割線切斷該正溫度係數材料層，形成複數個過電流保護元件。
简体摘要：本发明揭示一种过电流保护组件之制作方法，其包含下列步骤：首先，提供一包含两电极层及一正温度系数材料层之正温度系数材料板，其中该正温度系数材料层系叠设于该两电极层之间。接着，分别披覆两光阻层于该两电极层表面，且经曝光及显影以进行图案化。依图案化后之图案蚀刻该两电极层，形成复数个切割线。之后，依据该切割线切断该正温度系数材料层，形成复数个过电流保护组件。

12. 发明专利

TW200522090A 過電流保護裝置 OVER-CURRENT PROTECTION APPARATUS 失效
简体标题：过电流保护设备 OVER-CURRENT PROTECTION APPARATUS
公开(公告)号：TW200522090A
公开(公告)日：2005-07-01
申请号：TW092137718
申请日：2003-12-31
申请人：聚鼎科技股份有限公司 POLYTRONICS TECHNOLOGY CORP.
发明人：馬雲晉 MA, YUN CHING , 余錦漢 YU, CHING HAN
IPC分类号： H01C
CPC分类号： H01C7/13
摘要：本發明揭示一種過電流保護裝置，其包含複數個過電流保護元件及一黏合片。各該過電流保護元件包含至少一電流感測元件、至少一設於該電流感測元件表面之絕緣層及兩外電極層。該黏合片係貫穿連接該複數個過電流保護元件，且設於該至少一電流感測元件表面以提供絕緣之功能。
简体摘要：本发明揭示一种过电流保护设备，其包含复数个过电流保护组件及一黏合片。各该过电流保护组件包含至少一电流传感组件、至少一设于该电流传感组件表面之绝缘层及两外电极层。该黏合片系贯穿连接该复数个过电流保护组件，且设于该至少一电流传感组件表面以提供绝缘之功能。

13. 发明专利

TW200516819A 過電流保護裝置及其製作方法 OVER-CURRENT PROTECTION APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 失效
简体标题：过电流保护设备及其制作方法 OVER-CURRENT PROTECTION APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200516819A
公开(公告)日：2005-05-16
申请号：TW092130914
申请日：2003-11-05
申请人：聚鼎科技股份有限公司 POLYTRONICS TECHNOLOGY CORP.
发明人：林賢明 LIN, ZACK , 余錦漢 YU, TONY
IPC分类号： H02H
CPC分类号： H01C1/08 , H01C1/1406 , H01C7/02
摘要：本發明揭示一種過電流保護裝置及其製作方法。該過電流保護裝置包含至少一正溫度係數元件、至少一散熱層、至少一連結膠層及至少二隔離層。該至少一正溫度係數元件係由一正溫度係數材料層疊設於二電極層之間組成。該至少一連結膠層設置於該至少一正溫度係數元件及至少一散熱層之間，用以連結兩者，且作為其間的熱傳導介質之用。該至少二隔離層係將該散熱層、連結膠層及電極層分隔為兩部份以阻斷其電氣連接。
简体摘要：本发明揭示一种过电流保护设备及其制作方法。该过电流保护设备包含至少一正温度系数组件、至少一散热层、至少一链接胶层及至少二隔离层。该至少一正温度系数组件系由一正温度系数材料层叠设于二电极层之间组成。该至少一链接胶层设置于该至少一正温度系数组件及至少一散热层之间，用以链接两者，且作为其间的热传导介质之用。该至少二隔离层系将该散热层、链接胶层及电极层分隔为两部份以阻断其电气连接。

14. 发明专利

TWI232606B 電池之電極裝置之製作方法 METHOD FOR MANUFACTURING ELECTODE OF BATTERY 失效
简体标题：电池之电极设备之制作方法 METHOD FOR MANUFACTURING ELECTODE OF BATTERY
公开(公告)号：TWI232606B
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：TW092125549
申请日：2003-09-17
申请人：聚鼎科技股份有限公司 POLYTRONICS TECHNOLOGY CORP.
发明人：王紹裘 WANG, DAVID SHAU CHEW , 游誌明 , 陳以諾 CHEN, YI NUO
IPC分类号： H01M
CPC分类号： H01M2/34 , H01M2/345 , H01M2/347 , H01M2/348 , H01M2200/106 , Y10T29/49108
摘要：本發明揭示一種電池之電極裝置及增加其電阻值穩定度之製作方法。藉由步驟(1)提供一包含一上電極板、一過電流保護元件及一下電極板之電池之電極結構，其中該過電流保護元件係由一上金屬箔、一電流感測層及一下金屬箔層疊組成；及(2)將該電池之電極結構進行快速碰撞、振動、冷熱衝擊、酸洗、水洗或噴砂處理而製成該電池之電極裝置。該電池之電極裝置於有效統計樣本數下，其電阻值之標準差小於0.8％。
简体摘要：本发明揭示一种电池之电极设备及增加其电阻值稳定度之制作方法。借由步骤(1)提供一包含一上电极板、一过电流保护组件及一下电极板之电池之电极结构，其中该过电流保护组件系由一上金属箔、一电流传感层及一下金属箔层叠组成；及(2)将该电池之电极结构进行快速碰撞、振动、冷热冲击、酸洗、水洗或喷砂处理而制成该电池之电极设备。该电池之电极设备于有效统计样本数下，其电阻值之标准差小于0.8％。

15. 发明专利

TWI229966B 過電流保護元件 OVER-CURRENT PROTECTION DEVICE 失效
简体标题：过电流保护组件 OVER-CURRENT PROTECTION DEVICE
公开(公告)号：TWI229966B
公开(公告)日：2005-03-21
申请号：TW092123619
申请日：2003-08-27
申请人：聚鼎科技股份有限公司 POLYTRONICS TECHNOLOGY CORP.
发明人：馬雲晉 MA, YUN CHING , 蔡東成 TSAI, TONG CHENG
IPC分类号： H02H
CPC分类号： H01C7/027
摘要：本發明揭示一種過電流保護元件，其包含一第一電極層、一第二電極層及一疊設於該第一及第二電極層之間之高分子電流感測層。該高分子電流感測層包含重量百分比介於2％至4％之複數個矽酸鹽片，其係一種奈米材料，厚度約為1nm，而直徑則介於100至500nm之間。
简体摘要：本发明揭示一种过电流保护组件，其包含一第一电极层、一第二电极层及一叠设于该第一及第二电极层之间之高分子电流传感层。该高分子电流传感层包含重量百分比介于2％至4％之复数个硅酸盐片，其系一种奈米材料，厚度约为1nm，而直径则介于100至500nm之间。

16. 实用新型

TWM255501U 過電流保護元件 OVER-CURRENT PROTECTION DEVICE 失效
简体标题：过电流保护组件 OVER-CURRENT PROTECTION DEVICE
公开(公告)号：TWM255501U
公开(公告)日：2005-01-11
申请号：TW092216659
申请日：2003-09-17
申请人：聚鼎科技股份有限公司 POLYTRONICS TECHNOLOGY CORP.
发明人：王紹裘 WANG, DAVID SHAU CHEW , 陳以諾 CHEN, YI NUO , 游誌明
IPC分类号： H01H
CPC分类号： H01C7/02
摘要：本創作揭示一種過電流保護元件，其電阻與溫度之關係具有至少二次彈跳的特性。就組成結構而言，其係由一具有正溫度係數之導電材料、一上電極箔及一下電極箔層疊而成。就立體結構而言，該過電流保護元件包含一薄板及一凸出於該薄板之第一凸部。該第一凸部之下方為一凹陷於該薄板之開放空室。藉由控制該第一凸部之幾何形狀及大小，可調整該過電流保護元件之電阻與溫度之相關特性。
简体摘要：本创作揭示一种过电流保护组件，其电阻与温度之关系具有至少二次弹跳的特性。就组成结构而言，其系由一具有正温度系数之导电材料、一上电极箔及一下电极箔层叠而成。就三維结构而言，该过电流保护组件包含一薄板及一凸出于该薄板之第一凸部。该第一凸部之下方为一凹陷于该薄板之开放空室。借由控制该第一凸部之几何形状及大小，可调整该过电流保护组件之电阻与温度之相关特性。

17. 发明专利

TWI313877B 耐高電壓過電流保護元件 HIGH VOLTAGE OVER-CURRENT PROTECTION DEVICE 失效
简体标题：耐高电压过电流保护组件 HIGH VOLTAGE OVER-CURRENT PROTECTION DEVICE
公开(公告)号：TWI313877B
公开(公告)日：2009-08-21
申请号：TW095140365
申请日：2006-11-01
申请人：聚鼎科技股份有限公司 POLYTRONICS TECHNOLOGY CORP.
发明人：王紹裘 WANG, SHAU CHEW , 游誌明 YU, JYH MING , 陳國勳 CHEN, KUO HSUN
IPC分类号： H01C , H02H
CPC分类号： H01C7/027
摘要：本發明揭示一種耐高電壓過電流保護元件。該耐高電壓過電流保護元件包含一正溫度係數(Positive Temperature Coefficient;PTC)導電散熱層及二金屬電極。其中該PTC導電散熱層包含至少一高分子聚合物、一導電填料及一導熱填料。藉由該導熱填料(導熱係數大於1W/mK)之高導熱效率,使得該耐高電壓過電流保護元件具高導熱特性,並使其承受電壓能均勻分佈在PTC導電散熱層中以提高其耐高電壓特性。
简体摘要：本发明揭示一种耐高电压过电流保护组件。该耐高电压过电流保护组件包含一正温度系数(Positive Temperature Coefficient;PTC)导电散热层及二金属电极。其中该PTC导电散热层包含至少一高分子聚合物、一导电填料及一导热填料。借由该导热填料(导热系数大于1W/mK)之高导热效率,使得该耐高电压过电流保护组件具高导热特性,并使其承受电压能均匀分布在PTC导电散热层中以提高其耐高电压特性。

18. 发明专利

TWI311770B 過電流保護元件及其製作方法 OVER-CURRENT PROTECTION DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 失效
简体标题：过电流保护组件及其制作方法 OVER-CURRENT PROTECTION DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TWI311770B
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：TW095107732
申请日：2006-03-08
申请人：聚鼎科技股份有限公司 POLYTRONICS TECHNOLOGY CORP.
发明人：王紹裘 WANG, SHAU CHEW , 陳以諾 CHEN, YI NUO
IPC分类号： H01C
摘要：本發明揭示一種過電流保護元件,其包含一PTC元件和兩第二電極層。該PTC元件包含兩第一電極層及一疊設於該兩第一電極層間之一PTC材料層。該兩第二電極層係分別接觸該PTC元件之兩第一電極層之表面且將該PTC元件夾於其間。該第二電極層之厚度大於該第一電極層之厚度。至少一該第二電極層之厚度在0.2至0.5mm之間,並可以點焊方式與外接之電極片連接,且點焊連接點在PTC材料層之正上方,而不破壞PTC材料層。
简体摘要：本发明揭示一种过电流保护组件,其包含一PTC组件和两第二电极层。该PTC组件包含两第一电极层及一叠设于该两第一电极层间之一PTC材料层。该两第二电极层系分别接触该PTC组件之两第一电极层之表面且将该PTC组件夹于其间。该第二电极层之厚度大于该第一电极层之厚度。至少一该第二电极层之厚度在0.2至0.5mm之间,并可以点焊方式与外置之电极片连接,且点焊连接点在PTC材料层之正上方,而不破坏PTC材料层。

19. 发明专利

TWI310955B 過電流保護元件 OVER-CURRENT PROTECTION DEVICE 有权
简体标题：过电流保护组件 OVER-CURRENT PROTECTION DEVICE
公开(公告)号：TWI310955B
公开(公告)日：2009-06-11
申请号：TW095135495
申请日：2006-09-26
申请人：聚鼎科技股份有限公司 POLYTRONICS TECHNOLOGY CORP.
发明人：王紹裘 WANG, DAVID SHAU CHEW , 游誌明 YU, JYH MING
IPC分类号： H01H
CPC分类号： H01C7/027 , H01C1/084 , H01C7/021
摘要：本發明揭示一種過電流保護元件,其包含二金屬箔片、一疊設於該二金屬箔片間之正溫度係數(PTC)材料層。該PTC材料層包含:(1)一高分子聚合物基材,其所佔體積百分比介於35-60%,且包含一熔點高於150℃之含氟之結晶性高分子聚合物(例如聚氟化亞乙烯(polyvinylidine fluoride;PVDF));以及(2)一散佈於該高分子聚合物基材中之導電陶瓷填料(例如碳化鈦)。該導電陶瓷填料所佔體積百分比介於40-65%,且其體積電阻値小於500��-cm。該PTC材料層之體積電阻値小於0.1��-cm,且於25℃時之維持電流對PTC材料層面積之比率為介於0.05至0.2 A/mm2之間。
简体摘要：本发明揭示一种过电流保护组件,其包含二金属箔片、一叠设于该二金属箔片间之正温度系数(PTC)材料层。该PTC材料层包含:(1)一高分子聚合物基材,其所占体积百分比介于35-60%,且包含一熔点高于150℃之含氟之结晶性高分子聚合物(例如聚氟化亚乙烯(polyvinylidine fluoride;PVDF));以及(2)一散布于该高分子聚合物基材中之导电陶瓷填料(例如碳化钛)。该导电陶瓷填料所占体积百分比介于40-65%,且其体积电阻値小于500��-cm。该PTC材料层之体积电阻値小于0.1��-cm,且于25℃时之维持电流对PTC材料层面积之比率为介于0.05至0.2 A/mm2之间。

20. 实用新型

TWM313372U 過電流及過電壓保護集成塊裝置 OVER-CURRENT AND OVER-VOLTAGE PROTECTION ASSEMBLY APPARATUS 失效
简体标题：过电流及过电压保护集成块设备 OVER-CURRENT AND OVER-VOLTAGE PROTECTION ASSEMBLY APPARATUS
公开(公告)号：TWM313372U
公开(公告)日：2007-06-01
申请号：TW095219286
申请日：2006-11-01
申请人：聚鼎科技股份有限公司 POLYTRONICS TECHNOLOGY CORP.
发明人：陳葆萱 CHEN, PAO HSUAN , 余錦漢 YU, CHING HAN , 蔡東成 TSAI, TONG CHENG
IPC分类号： H02H
CPC分类号： H02H9/025 , H02H9/041
摘要：本創作之過電流及過電壓保護集成塊裝置包含一過電流保護(OCP)元件及一過電壓保護(OVP)元件。該OCP元件一端電連接一第一接點，另一端電連接一第二接點。該OVP元件一端電連接一第三接點，另一端電連接該第二接點，該第二接點係一共構(common)點。該OCP元件及OVP元件係模組化整合成一集成塊形式，該第一、第二及第三接點外接欲保護之電路，使該OCP元件串聯於欲保護之電路，且該OVP元件並聯於欲保護之電路。
简体摘要：本创作之过电流及过电压保护集成块设备包含一过电流保护(OCP)组件及一过电压保护(OVP)组件。该OCP组件一端电连接一第一接点，另一端电连接一第二接点。该OVP组件一端电连接一第三接点，另一端电连接该第二接点，该第二接点系一共构(common)点。该OCP组件及OVP组件系模块化集成成一集成块形式，该第一、第二及第三接点外置欲保护之电路，使该OCP组件串联于欲保护之电路，且该OVP组件并联于欲保护之电路。

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