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11. 发明专利

TW200931599A 具有分離式電荷擷取側壁子之記憶體及其製作方法 MEMORY HAVING SEPARATED CHARGE TRAP SPACERS AND METHOD OF FORMING THE SAME 审中-公开
简体标题：具有分离式电荷截取侧壁子之内存及其制作方法 MEMORY HAVING SEPARATED CHARGE TRAP SPACERS AND METHOD OF FORMING THE SAME
公开(公告)号：TW200931599A
公开(公告)日：2009-07-16
申请号：TW097101163
申请日：2008-01-11
申请人：聯華電子股份有限公司 UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：林松斌 LIN, SUNG BIN , 陳輝煌 CHEN, HWI HUANG , 施秉嘉 SHIH, PING CHIA
IPC分类号： H01L
摘要：本發明提供一種矽-氧化矽-氮化矽-氧化矽-矽型(silicon-oxide-nitride-oxide-silicon,簡稱為SONOS)型記憶體及其製作方法。前述記憶體包含有複數個呈陣列排列之選擇閘極結構、複數個不相接觸之電荷擷取側壁子與複數條字元線。字元線可直接接觸選擇閘極結構的選擇閘極表面。位於同一行的選擇閘極結構皆可以共用二個電荷擷取側壁子,且這二個電荷擷取側壁子位於這些選擇閘極結構的相對側壁。
简体摘要：本发明提供一种硅-氧化硅-氮化硅-氧化硅-硅型(silicon-oxide-nitride-oxide-silicon,简称为SONOS)型内存及其制作方法。前述内存包含有复数个呈数组排列之选择闸极结构、复数个不相接触之电荷截取侧壁子与复数条字符线。字符线可直接接触选择闸极结构的选择闸极表面。位于同一行的选择闸极结构皆可以共享二个电荷截取侧壁子,且这二个电荷截取侧壁子位于这些选择闸极结构的相对侧壁。

12. 发明专利

TW200931596A 具有雙金屬閘極之互補式金氧半導體元件之製作方法 METHOD FOR MANUFACTURING A CMOS DEVICE HAVING DUAL METAL GATE 审中-公开
简体标题：具有双金属闸极之互补式金属氧化物半导体组件之制作方法 METHOD FOR MANUFACTURING A CMOS DEVICE HAVING DUAL METAL GATE
公开(公告)号：TW200931596A
公开(公告)日：2009-07-16
申请号：TW097101164
申请日：2008-01-11
申请人：聯華電子股份有限公司 UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：林建廷 LIN, CHIEN TING , 程立偉 CHENG, LI WEI , 許哲華 HSU, CHE HUA , 馬光華 MA, GUANG HWA , 楊進盛 YANG, CHIN SHENG
IPC分类号： H01L
摘要：一種具有雙金屬閘極之CMOS元件製作方法,於一具有一第一主動區域、一第二主動區域、與一提供電性隔離之淺溝隔離之基底上分別形成一第一與一第二導電型電晶體;進行一金屬矽化物製程;於該基底上形成一內層介電層;進行一第一蝕刻製程,移除該第一導電型電晶體之部分閘極並形成一開口,該第一導電型電晶體之一高介電常數閘極介電層係暴露於該開口底部,並於該開口內形成一第一金屬層。
简体摘要：一种具有双金属闸极之CMOS组件制作方法,于一具有一第一主动区域、一第二主动区域、与一提供电性隔离之浅沟隔离之基底上分别形成一第一与一第二导电型晶体管;进行一金属硅化物制程;于该基底上形成一内层介电层;进行一第一蚀刻制程,移除该第一导电型晶体管之部分闸极并形成一开口,该第一导电型晶体管之一高介电常数闸极介电层系暴露于该开口底部,并于该开口内形成一第一金属层。

13. 发明专利

TWI312174B 清除殘餘金屬的方法 METHOD OF STRIPING REMNANT METAL 有权
简体标题：清除残余金属的方法 METHOD OF STRIPING REMNANT METAL
公开(公告)号：TWI312174B
公开(公告)日：2009-07-11
申请号：TW095126798
申请日：2006-07-21
申请人：聯華電子股份有限公司 UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：張俊傑 CHANG, CHUN-CHIEH , 洪宗佑 HUNG, TZUNG-YU , 謝朝景 HSIEH, CHAO-CHING , 陳意維 CHEN, YI-WEI , 張毓藍 CHANG, YU-LAN
IPC分类号： H01L
摘要：本發明揭露一種清除殘餘金屬的方法,此殘餘金屬位於矽晶圓基底的過渡金屬矽化物上。為清除此殘餘金屬,首先,對過渡金屬矽化物作表面氧化處理,使得過渡金屬矽化物上方形成保護層後,再利用一氯化氫和過氧化氫混合物(HPM)清洗步驟清洗矽晶圓基底,以清除殘餘金屬。
简体摘要：本发明揭露一种清除残余金属的方法,此残余金属位于硅晶圆基底的过渡金属硅化物上。为清除此残余金属,首先,对过渡金属硅化物作表面氧化处理,使得过渡金属硅化物上方形成保护层后,再利用一氯化氢和过氧化氢混合物(HPM)清洗步骤清洗硅晶圆基底,以清除残余金属。

14. 发明专利

TWI311785B 形成介電層之間黏著力的方法與結構 METHOD AND STRUCTURE FOR THE ADHESION BETWEEN DIELECTRIC LAYERS 有权
简体标题：形成介电层之间黏着力的方法与结构 METHOD AND STRUCTURE FOR THE ADHESION BETWEEN DIELECTRIC LAYERS
公开(公告)号：TWI311785B
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：TW092132046
申请日：2003-11-14
申请人：聯華電子股份有限公司 UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：吳欣昌 WU, HSIN-CHANG
IPC分类号： H01L
摘要：一形成介電層之間黏著力的方法,包含形成一第一介電層以及形成一第二介電層,其中形成第二介電層包含形成一第一部分以及形成一第二部分。在第一介電層上形成第一部分以及在第一部分上形成第二部分。藉由原處(in-situ)的方式形成第一部分以及第二部分。第一部分至少有一介電係數或硬度或SiCH3/SiO面積比(area ratio)高於第二部分。一種加强內黏著(enhanced-inter-adhesion)之介電層結構,包含一第一介電層,以及一第二介電層有一第一部分位於第一介電層之上以及第二部分位於第一部分之上,其中第一部分有一介電係數大約是2.8至3.5且高於第二部分之介電係數。
简体摘要：一形成介电层之间黏着力的方法,包含形成一第一介电层以及形成一第二介电层,其中形成第二介电层包含形成一第一部分以及形成一第二部分。在第一介电层上形成第一部分以及在第一部分上形成第二部分。借由原处(in-situ)的方式形成第一部分以及第二部分。第一部分至少有一介电系数或硬度或SiCH3/SiO面积比(area ratio)高于第二部分。一种加强内黏着(enhanced-inter-adhesion)之介电层结构,包含一第一介电层,以及一第二介电层有一第一部分位于第一介电层之上以及第二部分位于第一部分之上,其中第一部分有一介电系数大约是2.8至3.5且高于第二部分之介电系数。

15. 发明专利

TWI310989B 電容器組的結構以及降低電容器之間的電容變異量的方法 STRUCTURE OF CAPACITOR SET AND METHOD FOR REDUCING CAPACITANCE VARIATION BETWEEN CAPACITORS 有权
简体标题：电容器组的结构以及降低电容器之间的电容变异量的方法 STRUCTURE OF CAPACITOR SET AND METHOD FOR REDUCING CAPACITANCE VARIATION BETWEEN CAPACITORS
公开(公告)号：TWI310989B
公开(公告)日：2009-06-11
申请号：TW095124776
申请日：2006-07-07
申请人：聯華電子股份有限公司 UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：梁其翔 LIANG, VICTOR-CHIANG , 楊健國 YAND, CHIEN-KUO , 曾華洲 TSENG, HUA-CHOU , 柯鈞耀 KO, CHUN-YAO , 范政文 FAN, CHENG-WEN , 蔣裕和 CHIANG, YU-HO , 曾誌裕 TZENG, CHIH-YUH
IPC分类号： H01L
摘要：一種電容器組的結構,包括位於基板上同一位置的至少二電容器,此二電容器為第一電容器與第二電容器。其中,第一電容器包括彼此並聯的多個第一電容單元,第二電容器包括彼此並聯的多個第二電容單元,且第一電容單元與第二電容單元交錯排列成一陣列。
简体摘要：一种电容器组的结构,包括位于基板上同一位置的至少二电容器,此二电容器为第一电容器与第二电容器。其中,第一电容器包括彼此并联的多个第一电容单元,第二电容器包括彼此并联的多个第二电容单元,且第一电容单元与第二电容单元交错排列成一数组。

16. 发明专利

TW200924170A 靜態隨機存取記憶體及其製造方法 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY AND FABRICATING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：静态随机存取内存及其制造方法 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY AND FABRICATING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200924170A
公开(公告)日：2009-06-01
申请号：TW096145413
申请日：2007-11-29
申请人：聯華電子股份有限公司 UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：蕭崇利 HSIAO, CHUNG LI
IPC分类号： H01L
摘要：一種靜態隨機存取記憶體,此靜態隨機存取記憶體至少包括:多個電晶體,設置於基底上,其中每一電晶體至少包括閘極、閘極介電層、源極摻雜區與汲極摻雜區,並且在源極摻雜區中,部份的源極摻雜區用以連接至Vss電壓或Vdd電壓;以及自行對準金屬矽化層,設置於閘極、源極摻雜區與汲極摻雜區上,其中在用以連接至Vss電壓、Vdd電壓的源極摻雜區上未設置自行對準金屬矽化層。
简体摘要：一种静态随机存取内存,此静态随机存取内存至少包括:多个晶体管,设置于基底上,其中每一晶体管至少包括闸极、闸极介电层、源极掺杂区与汲极掺杂区,并且在源极掺杂区中,部份的源极掺杂区用以连接至Vss电压或Vdd电压;以及自行对准金属硅化层,设置于闸极、源极掺杂区与汲极掺杂区上,其中在用以连接至Vss电压、Vdd电压的源极掺杂区上未设置自行对准金属硅化层。

17. 发明专利

TW200924018A 圖案化光阻層的形成方法 METHOD FOR FORMING PATTERNED PHOTORESIST LAYER 审中-公开
简体标题：图案化光阻层的形成方法 METHOD FOR FORMING PATTERNED PHOTORESIST LAYER
公开(公告)号：TW200924018A
公开(公告)日：2009-06-01
申请号：TW096143771
申请日：2007-11-19
申请人：聯華電子股份有限公司 UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：許德紹 HSU, TE SHAO
IPC分类号： H01L
摘要：一種圖案化光阻的形成方法,其適用於一基底,此方法包括:於該基底上方進行一植入製程,之後進行一表面處理製程,接著,於該基底上方形成一光阻層。繼之,圖案化該光阻層。
简体摘要：一种图案化光阻的形成方法,其适用于一基底,此方法包括:于该基底上方进行一植入制程,之后进行一表面处理制程,接着,于该基底上方形成一光阻层。继之,图案化该光阻层。

18. 发明专利

TW200921797A 半導體元件之製造方法 METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体组件之制造方法 METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW200921797A
公开(公告)日：2009-05-16
申请号：TW096142842
申请日：2007-11-13
申请人：聯華電子股份有限公司 UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：陳泰如 CHEN, TAI JU , 李東興 LEE, TUNG HSING , 羅大剛 LO, DA KUNG
IPC分类号： H01L
摘要：一種半導體元件的製造方法。此方法包括在基底上形成閘極結構。接著,在閘極結構的側壁形成第一間隙壁。其後,在第一間隙壁兩側的基底中分別形成凹槽,接著,於各凹槽中分別形成緩衝層與摻雜的半導體化合物層。之後,於各緩衝層與各摻雜的半導體化合物層的表面上分別形成超植入區。其後,於閘極結構兩側的基底中分別形成源極/汲極接觸區。
简体摘要：一种半导体组件的制造方法。此方法包括在基底上形成闸极结构。接着,在闸极结构的侧壁形成第一间隙壁。其后,在第一间隙壁两侧的基底中分别形成凹槽,接着,于各凹槽中分别形成缓冲层与掺杂的半导体化合物层。之后,于各缓冲层与各掺杂的半导体化合物层的表面上分别形成超植入区。其后,于闸极结构两侧的基底中分别形成源极/汲极接触区。

19. 发明专利

TW200921791A 清潔熱製程裝置之透光元件的方法、熱製程裝置及利用此裝置之製程 METHOD OF CLEANING TRANSPARENT DEVICE IN A THERMAL PROCESS APPARATUS, THERMAL PROCESS APPARATUS AND PROCESS USING THE SAME THERMAL PROCESS APPARATUS 审中-公开
简体标题：清洁热制程设备之透光组件的方法、热制程设备及利用此设备之制程 METHOD OF CLEANING TRANSPARENT DEVICE IN A THERMAL PROCESS APPARATUS, THERMAL PROCESS APPARATUS AND PROCESS USING THE SAME THERMAL PROCESS APPARATUS
公开(公告)号：TW200921791A
公开(公告)日：2009-05-16
申请号：TW096141660
申请日：2007-11-05
申请人：聯華電子股份有限公司 UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：王裕庸 WANG, YU YUNG , 吳興隆 WU, SHIN LONG , 梁昭湖 LIANG, CHAO HU , 林聖堯 LIN, SHENG YAO , 施惠紳 SHIH, HUI SHEN , 簡佑芳 CHIEN, YU FANG
IPC分类号： H01L
摘要：一種清潔熱製程裝置之透光元件的方法。前述透光元件是位於此裝置之反應腔室內,而反應腔室內至少包括一晶片保持座,用以承載一晶片,且配置於透光元件下方;以及一能量源輸出元件,配置於透光元件上方。本發明之方法例如是,進行一表面處理步驟,清潔透光元件的表面。
简体摘要：一种清洁热制程设备之透光组件的方法。前述透光组件是位于此设备之反应腔室内,而反应腔室内至少包括一芯片保持座,用以承载一芯片,且配置于透光组件下方;以及一能量源输出组件,配置于透光组件上方。本发明之方法例如是,进行一表面处理步骤,清洁透光组件的表面。

20. 发明专利

TW200920550A 研磨液之供應方法 METHOD OF SUPPLYING POLISHING LIQUID 审中-公开
简体标题：研磨液之供应方法 METHOD OF SUPPLYING POLISHING LIQUID
公开(公告)号：TW200920550A
公开(公告)日：2009-05-16
申请号：TW096141671
申请日：2007-11-05
申请人：聯華電子股份有限公司 UNITED MICROELECTRONICS CORP.
发明人：游淇閔 YU, CHI MIN , 莊啓智 CHUANG, CHI CHIH , 施惠紳 SHIH, HUI SHEN
IPC分类号： B24B
摘要：本發明提供一種研磨液之供應方法,以週期性地中斷研磨液之供應來供應研磨液。因此避免研磨液使用過度造成溢流浪費,並可減少研磨液之使用而降低生產成本。
简体摘要：本发明提供一种研磨液之供应方法,以周期性地中断研磨液之供应来供应研磨液。因此避免研磨液使用过度造成溢流浪费,并可减少研磨液之使用而降低生产成本。

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