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111. 发明专利

TW201728161A 光偵測器電路及半導體裝置审中-公开
简体标题：光侦测器电路及半导体设备
公开(公告)号：TW201728161A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW106109791
申请日：2013-09-09
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：黒川義元 , KUROKAWA, YOSHIYUKI , 鶴目卓也 , TSURUME, TAKUYA
IPC分类号： H04N5/3745 , G01J1/44
CPC分类号： H01L27/14643 , G01T1/2018 , G01T1/208 , H01L27/144 , H01L27/14601 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14678 , H04N5/357 , H04N5/3745
摘要：提供能夠在不同週期取得訊號而不受光電轉換元件的特徵影響之光偵測器電路。光偵測器電路具有n個連接至光電轉換元件的訊號輸出電路(n是2或更大的自然數)。此外，n個訊號輸出電路均包含下述：電晶體，其閘極電位根據進入光電轉換元件的光量而變；第一切換元件，固持電晶體的閘極電位；以及，第二切換元件，控制電晶體輸出的訊號。因此，在根據進入光電轉換元件的光量之資料被固持作為電晶體的閘極電位之後，第二切換元件開啟，因而可以取得在不同週期的訊號而不受光電轉換元件的特徵影響。
简体摘要：提供能够在不同周期取得信号而不受光电转换组件的特征影响之光侦测器电路。光侦测器电路具有n个连接至光电转换组件的信号输出电路(n是2或更大的自然数)。此外，n个信号输出电路均包含下述：晶体管，其闸极电位根据进入光电转换组件的光量而变；第一切换组件，固持晶体管的闸极电位；以及，第二切换组件，控制晶体管输出的信号。因此，在根据进入光电转换组件的光量之数据被固持作为晶体管的闸极电位之后，第二切换组件打开，因而可以取得在不同周期的信号而不受光电转换组件的特征影响。

112. 发明专利

TWI587700B 光偵測器電路及半導體裝置有权
简体标题：光侦测器电路及半导体设备
公开(公告)号：TWI587700B
公开(公告)日：2017-06-11
申请号：TW102132352
申请日：2013-09-09
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：黒川義元 , KUROKAWA, YOSHIYUKI , 鶴目卓也 , TSURUME, TAKUYA
IPC分类号： H04N5/3745
CPC分类号： H01L27/14643 , G01T1/2018 , G01T1/208 , H01L27/144 , H01L27/14601 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14678 , H04N5/357 , H04N5/3745

113. 发明专利

TWI584651B 具有參考像素以減少光譜串擾之彩色濾光片陣列有权
简体标题：具有参考像素以减少光谱串扰之彩色滤光片数组
公开(公告)号：TWI584651B
公开(公告)日：2017-05-21
申请号：TW104127203
申请日：2015-08-20
申请人：豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：陸震偉 , LU, CHEN WEI , 李津 , LI, JIN , 錢胤 , QIAN, YIN , 戴戴森H , TAI, DYSON H.
IPC分类号： H04N5/374 , H04N5/3745 , G02B5/20
CPC分类号： H04N9/045 , G02B5/201 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H04N5/357 , H04N5/378

114. 发明专利

TW201707442A 具有電流鏡之緩衝直接注入讀出中的影像滯後緩解审中-公开
简体标题：具有电流镜之缓冲直接注入读出中的影像滞后缓解
公开(公告)号：TW201707442A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：TW105110188
申请日：2016-03-30
申请人：無限傳感有限公司 , SENSORS UNLIMITED, INC.
发明人：林敏隆 , LIN, MINLONG , 倫德喬許瓦 , LUND, JOSHUA
IPC分类号： H04N5/3745 , H04N5/33 , H04N5/378
CPC分类号： H04N5/3745 , H04N5/33 , H04N5/355 , H04N5/378
摘要：提供一種具有一緩衝直接注入(BDI)模組之電路以用於影像滯後緩解。該BDI模組包括耦合至一緩衝器之一光學偵測器。該緩衝器具有一像素放大器，該像素放大器包括不超過兩個電晶體。該BDI模組包括耦合至該BDI模組之一第一電流鏡。該第一電流鏡基於該光學偵測器之輸出而產生一調變電流。該BDI模組進一步包括耦合至該第一電流鏡之一第二電流鏡。該第二電流鏡經組態以產生一放大或衰減之光電流，該放大或衰減之光電流可操作以最佳化該光學偵測器之一成像時間及場景亮度。該BDI模組進一步包括一重設電路，該重設電路耦合至該第二電流鏡，且經組態以重設一積分電容器，該積分電容器基於該光學偵測器之該輸出而對一影像信號求積分。
简体摘要：提供一种具有一缓冲直接注入(BDI)模块之电路以用于影像滞后缓解。该BDI模块包括耦合至一缓冲器之一光学侦测器。该缓冲器具有一像素放大器，该像素放大器包括不超过两个晶体管。该BDI模块包括耦合至该BDI模块之一第一电流镜。该第一电流镜基于该光学侦测器之输出而产生一调制电流。该BDI模块进一步包括耦合至该第一电流镜之一第二电流镜。该第二电流镜经组态以产生一放大或衰减之光电流，该放大或衰减之光电流可操作以最优化该光学侦测器之一成像时间及场景亮度。该BDI模块进一步包括一重设电路，该重设电路耦合至该第二电流镜，且经组态以重设一积分电容器，该积分电容器基于该光学侦测器之该输出而对一影像信号求积分。

115. 发明专利

TW201640887A 具有增強量子效率的影像感測器审中-公开
简体标题：具有增强量子效率的影像传感器
公开(公告)号：TW201640887A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：TW105102377
申请日：2016-01-26
申请人：豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：陳剛 , CHEN, GANG , 麥西堤多明尼克 , MASSETTI, DOMINIC , 熊志偉 , HSIUNG, CHIH WEI , 庫瑪亞文 , KUMAR, ARVIND , 鄭源偉 , ZHENG, YUANWEI , 毛杜立 , MAO, DULI , 戴戴森H , TAI, DYSON H.
IPC分类号： H04N5/378 , H04N5/3745
CPC分类号： H04N9/045 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H01L27/14647 , H04N5/37457
摘要：本發明係關於一種背側照明式影像感測器，其包含：像素陣列，其包含半導體材料；及影像感測器電路，其安置於半導體材料之前側上以控制像素陣列之操作。第一像素包含第一經摻雜區域，第一經摻雜區域接近於半導體材料之背側而安置且向半導體材料中延伸第一深度以到達影像感測器電路。具有第二經摻雜區域之第二像素接近於半導體材料之背側安置且向半導體材料中延伸第二深度，第二深度小於第一深度。第三經摻雜區域安置於第二經摻雜區域與半導體材料之前側上之影像感測器電路之間。第三經摻雜區域與第一經摻雜區域及第二經摻雜區域電隔離。
简体摘要：本发明系关于一种背侧照明式影像传感器，其包含：像素数组，其包含半导体材料；及影像传感器电路，其安置于半导体材料之前侧上以控制像素数组之操作。第一像素包含第一经掺杂区域，第一经掺杂区域接近于半导体材料之背侧而安置且向半导体材料中延伸第一深度以到达影像传感器电路。具有第二经掺杂区域之第二像素接近于半导体材料之背侧安置且向半导体材料中延伸第二深度，第二深度小于第一深度。第三经掺杂区域安置于第二经掺杂区域与半导体材料之前侧上之影像传感器电路之间。第三经掺杂区域与第一经掺杂区域及第二经掺杂区域电隔离。

116. 发明专利

TW201630409A 用以增加像素靈敏度及動態範圍之方法及裝置审中-公开
简体标题：用以增加像素灵敏度及动态范围之方法及设备
公开(公告)号：TW201630409A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：TW104129936
申请日：2015-09-10
申请人：雷神公司 , RAYTHEON COMPANY
发明人：基恩布萊恩W , KEAN, BRYAN W. , 凡波拉約翰L , VAMPOLA, JOHN L.
IPC分类号： H04N5/355 , H04N5/3745
CPC分类号： H04N5/3559 , H04N5/3745 , H04N5/37452
摘要：根據一態樣，本文之實施例提供單位晶胞，該單位晶胞包含：光電二極體；MOSCap，其具有耦接至該光電二極體的輸入節點；重置開關，其選擇性地耦接在該MOSCap與重置電壓之間；以及電晶體，其耦接至該MOSCap之該輸入節點，其中，在該單位晶胞之第一操作模式中，該重置開關經組配成斷開狀態，且由入射在該光電二極體上的光產生的電荷回應於該輸入節點處的電壓小於臨限電壓而聚積在該MOSCap之該輸入節點處，且其中，在該單元電池之第二操作模式中，該重置開關經組配成該斷開狀態，且由入射在該光電二極體上的該光產生的該電荷回應於該輸入節點處之該電壓大於該臨限電壓而聚積在該MOSCap上。
简体摘要：根据一态样，本文之实施例提供单位晶胞，该单位晶胞包含：光电二极管；MOSCap，其具有耦接至该光电二极管的输入节点；重置开关，其选择性地耦接在该MOSCap与重置电压之间；以及晶体管，其耦接至该MOSCap之该输入节点，其中，在该单位晶胞之第一操作模式中，该重置开关经组配成断开状态，且由入射在该光电二极管上的光产生的电荷回应于该输入节点处的电压小于临限电压而聚积在该MOSCap之该输入节点处，且其中，在该单元电池之第二操作模式中，该重置开关经组配成该断开状态，且由入射在该光电二极管上的该光产生的该电荷回应于该输入节点处之该电压大于该临限电压而聚积在该MOSCap上。

117. 发明专利

TWI539816B 影像感測器有权
简体标题：影像传感器
公开(公告)号：TWI539816B
公开(公告)日：2016-06-21
申请号：TW102148290
申请日：2013-12-25
申请人：恆景科技股份有限公司 , HIMAX IMAGING LIMITED
发明人：林東龍 , LIN, DONG LONG , 李仲仁 , LI, CHUNG REN , 張中瑋 , CHANG, CHUNG WEI
IPC分类号： H04N5/3745 , H04N5/369
CPC分类号： H04N5/378 , H04N5/3532 , H04N5/37457

118. 发明专利

TW201605244A 主動式像素感測裝置及其操作方法审中-公开
简体标题：主动式像素传感设备及其操作方法
公开(公告)号：TW201605244A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW103126225
申请日：2014-07-31
申请人：義隆電子股份有限公司 , EALN MICROELECTRONICS CORPORATION
发明人：吳伯豪 , WU, PO HAO , 劉醇鎧 , LIU, CHUN KAI
IPC分类号： H04N5/3745
CPC分类号： H04N5/378 , G06K9/0004 , G06K2009/00932 , G06K2009/00939 , H04N5/341 , H04N5/343 , H04N5/347
摘要：本發明係一種主動式像素感測裝置及其操作方法，該主動式像素感測裝置包含有一主動式像素感測陣列元件及一同步讀取電路；其中該主動式像素感測陣列元件形成有複數呈矩陣排列的感測像素，且各該感測像素係有一電源端，由該同步讀取電路連接該所有感測像素的電源端，偵測流經該所有感測像素的電流總和，並將該電流總和轉換為一輸出訊號後，輸出代表光感測資訊的該輸出訊號；如此，本發明主動式像素感測裝置除原本可分別讀取各該主動式感測像素外，更可藉由控制該同步讀取電路一同讀取該所有感測像素的電流總和所對應的輸出訊號，令該主動式像素感測裝置以相同的主動式像素感測陣列元件操作於另一種大光感測面積的應用。
简体摘要：本发明系一种主动式像素传感设备及其操作方法，该主动式像素传感设备包含有一主动式像素传感数组组件及一同步读取电路；其中该主动式像素传感数组组件形成有复数呈矩阵排列的传感像素，且各该传感像素系有一电源端，由该同步读取电路连接该所有传感像素的电源端，侦测流经该所有传感像素的电流总和，并将该电流总和转换为一输出信号后，输出代表光传感信息的该输出信号；如此，本发明主动式像素传感设备除原本可分别读取各该主动式传感像素外，更可借由控制该同步读取电路一同读取该所有传感像素的电流总和所对应的输出信号，令该主动式像素传感设备以相同的主动式像素传感数组组件操作于另一种大光传感面积的应用。

119. 发明专利

TW201603578A 具有補充電容性耦合節點之影像感測器审中-公开
简体标题：具有补充电容性耦合节点之影像传感器
公开(公告)号：TW201603578A
公开(公告)日：2016-01-16
申请号：TW104129434
申请日：2011-11-08
申请人：豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：毛杜立 , MAO, DULI , 戴幸志 , TAI, HSIN CHIH , 凡尼賈文生 , VENEZIA, VINCENT , 羅狄絲霍華E , RHODES, HOWARD E. , 真鍋宗平 , MANABE, SOHEI
IPC分类号： H04N5/355 , H04N5/359 , H04N5/3745 , H04N5/376
CPC分类号： H04N5/35509 , H04N5/3559 , H04N5/3597 , H04N5/37452 , H04N5/376
摘要：一種影像感測器包含：一像素陣列、一位元線、補充電容節點線及一補充電容電路。該像素陣列包含複數個像素單元，每一像素單元包含一浮動擴散(「FD」)節點及經耦合以選擇性地將影像電荷傳送至該FD節點之一光敏元件。該位元線經耦合以選擇性地傳導自該等像素單元之一第一群組輸出之影像資料。該補充電容節點線耦合至該等像素單元之一第二群組之該FD節點以回應於一控制信號而選擇性地將一補充電容耦合至該第二群組之該等FD節點。在各項實施例中，該等第一及第二像素單元群組可係該等像素單元之同一群組或一不同群組且可添加一電容性升壓特徵或一多重轉換增益特徵。
简体摘要：一种影像传感器包含：一像素数组、一比特线、补充电容节点线及一补充电容电路。该像素数组包含复数个像素单元，每一像素单元包含一浮动扩散(“FD”)节点及经耦合以选择性地将影像电荷发送至该FD节点之一光敏组件。该比特线经耦合以选择性地传导自该等像素单元之一第一群组输出之影像数据。该补充电容节点线耦合至该等像素单元之一第二群组之该FD节点以回应于一控制信号而选择性地将一补充电容耦合至该第二群组之该等FD节点。在各项实施例中，该等第一及第二像素单元群组可系该等像素单元之同一群组或一不同群组且可添加一电容性升压特征或一多重转换增益特征。

120. 发明专利

TW201537983A 固態成像器件及其驅動方法，以及電子裝置审中-公开
简体标题：固态成像器件及其驱动方法，以及电子设备
公开(公告)号：TW201537983A
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：TW104103322
申请日：2015-01-30
申请人：新力股份有限公司 , SONY CORPORATION
发明人：半澤克彦 , HANZAWA, KATSUHIKO
IPC分类号： H04N5/3745 , H04N5/378
CPC分类号： H01L27/14641 , H01L27/14603 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H04N5/3745
摘要：可使用一更簡單結構實施其中執行相位差偵測及影像產生之兩者之一像素。二維地配置成一矩陣形狀之複數個像素之各者包含一第一光電轉換單元及一第二光電轉換單元，該第一光電轉換單元及該第二光電轉換單元之兩者經組態以光電轉換經由一微透鏡進入之光。一第一讀取電路讀取該第一光電轉換單元處產生之一電荷，且一第二讀取電路讀取該第二光電轉換單元處產生之一電荷。一電晶體將包含在該第一讀取電路中之一第一電荷保持單元連接至包含在該第二讀取電路中之一第二電荷保持單元。本發明技術可應用於例如偵測一相位差之一固態成像器件。
简体摘要：可使用一更简单结构实施其中运行相位差侦测及影像产生之两者之一像素。二维地配置成一矩阵形状之复数个像素之各者包含一第一光电转换单元及一第二光电转换单元，该第一光电转换单元及该第二光电转换单元之两者经组态以光电转换经由一微透镜进入之光。一第一读取电路读取该第一光电转换单元处产生之一电荷，且一第二读取电路读取该第二光电转换单元处产生之一电荷。一晶体管将包含在该第一读取电路中之一第一电荷保持单元连接至包含在该第二读取电路中之一第二电荷保持单元。本发明技术可应用于例如侦测一相位差之一固态成像器件。

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