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    • 95. 发明专利
    • 鹽起始劑(一) SULPHONIUM SALT INITIATORS
    • 盐起始剂(一) SULPHONIUM SALT INITIATORS
    • TW200925144A
    • 2009-06-16
    • TW097138874
    • 2008-10-09
    • 席巴控股股份有限公司 CIBA HOLDING INC.
    • 哈尤茲 帕斯卡爾 HAYOZ, PASCAL大和仁志 YAMATO, HITOSHI
    • C07CG03FG02B
    • G03F7/0045B33Y70/00C07C321/28C07C381/12C09D4/00C09D11/101G03F7/0007G03F7/031G03F7/038G03F7/0382G03F7/0392Y10S430/122Y10S430/123
    • 化學式I的化合物係適合用來作為光致潛在催化劑
      097138874P01.bmp
      (I),其中X是一單鍵、CRaRbO、S、NRc、NCORc、CO、SO或SO2;L、L1、L2、L3、L4、L5、L6、L7和L8係例如為氫、R1或COT;T代表T1或O-T2;T1和T2係例如為氫、C1-C20烷基、C3-C12環烷基、C2-C20烯基、C5-C12環烯基、C6-C14芳基C3-C12雜芳基、以一或更多D來取代之C1-C20、以一或更多E來間斷之C2-C20
      烷基、以一或更多D來取代並且以一或更多E或Q來間斷之C2-C20烷基;R1、R2、R3、R4、Ra、Rb和Rc係為T1;D係例如為R5、OR5、SR5或Q1;E係例如為O、S、COO或Q2;R5和R6係例如為氫、C1-C12烷基或苯基;Q係例如為C6-C12二環烷基、C6-C12二環烯基或C6-C12三環烷基;Q1係例如為C6-C14芳基或C3-C12雜芳基;Q2係例如為C6-C14亞芳基或C3-C12亞雜芳基;Y係為一陰離子;而M係為一陽離子;只要L
      、L1、L2、L3、L4、L5、L6、L7和L8中之至少一者係為除了氫之外的基團;並且只要(i)T1或T2中之至少一者係為一基團Q;或(ii)至少一D係為基團Q1;或(iii)至少一E係為基團Q2。
    • 化学式I的化合物系适合用来作为光致潜在催化剂 097138874P01.bmp (I),其中X是一单键、CRaRbO、S、NRc、NCORc、CO、SO或SO2;L、L1、L2、L3、L4、L5、L6、L7和L8系例如为氢、R1或COT;T代表T1或O-T2;T1和T2系例如为氢、C1-C20烷基、C3-C12环烷基、C2-C20烯基、C5-C12环烯基、C6-C14芳基C3-C12杂芳基、以一或更多D来取代之C1-C20、以一或更多E来间断之C2-C20 烷基、以一或更多D来取代并且以一或更多E或Q来间断之C2-C20烷基;R1、R2、R3、R4、Ra、Rb和Rc系为T1;D系例如为R5、OR5、SR5或Q1;E系例如为O、S、COO或Q2;R5和R6系例如为氢、C1-C12烷基或苯基;Q系例如为C6-C12二环烷基、C6-C12二环烯基或C6-C12三环烷基;Q1系例如为C6-C14芳基或C3-C12杂芳基;Q2系例如为C6-C14亚芳基或C3-C12亚杂芳基;Y系为一阴离子;而M系为一阳离子;只要L 、L1、L2、L3、L4、L5、L6、L7和L8中之至少一者系为除了氢之外的基团;并且只要(i)T1或T2中之至少一者系为一基团Q;或(ii)至少一D系为基团Q1;或(iii)至少一E系为基团Q2。