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91. 发明专利

TW399252B 用於在化學機械拋光期間原位監測厚度的方法與裝置失效
简体标题：用于在化学机械抛光期间原位监测厚度的方法与设备
公开(公告)号：TW399252B
公开(公告)日：2000-07-21
申请号：TW087108348
申请日：1998-11-24
申请人：蘭研究公司
发明人：傑瑞.派森 , 薩奇德.嘉達 , 魯爾.傑拉斯 , 韋柏C.柯魯賽爾
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B24B37/205 , B24B49/04 , G01B11/0683
摘要：一種用來在基體的化學機械拋光(CMP)作業中使用拋光工具和薄膜厚度監測器進行厚度之原位監測的裝置和方法。該工具具有一個孔洞設置在其上。該孔洞內含有一個監測窗片固定在其內，而形成一監測通道。一薄膜厚度監測器(包括有橢圓計、光束輪廓反射計或應力脈波分析計)可經由該監測通道來觀察該基體，以提供設置在該基體上之薄膜的厚度的標示資料。此資料可用來決定CMP程序的終點、決定基體之任何給定圓周上的移除率、決定基體表面上的平均移除率、決定基體表面上的移除率之變化量，並可用來使移除率和均勻度最佳化。
简体摘要：一种用来在基体的化学机械抛光(CMP)作业中使用抛光工具和薄膜厚度监测器进行厚度之原位监测的设备和方法。该工具具有一个孔洞设置在其上。该孔洞内含有一个监测窗片固定在其内，而形成一监测信道。一薄膜厚度监测器(包括有椭圆计、光束轮廓反射计或应力脉波分析计)可经由该监测信道来观察该基体，以提供设置在该基体上之薄膜的厚度的标示数据。此数据可用来决定CMP进程的终点、决定基体之任何给定圆周上的移除率、决定基体表面上的平均移除率、决定基体表面上的移除率之变化量，并可用来使移除率和均匀度最优化。

92. 发明专利

TWI615240B 工件之兩面硏磨裝置有权
简体标题：工件之两面研磨设备
公开(公告)号：TWI615240B
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：TW103136577
申请日：2014-10-23
申请人： SUMCO股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：三浦友紀 , MIURA, TOMONORI , 御厨俊介 , MIKURIYA, SHUNSUKE
IPC分类号： B24B37/08
CPC分类号： B24B37/013 , B24B37/205 , B24B37/28

93. 发明专利

TWI611866B 插入式墊窗有权
简体标题：插入式垫窗
公开(公告)号：TWI611866B
公开(公告)日：2018-01-21
申请号：TW100114926
申请日：2011-04-28
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：史威克柏格斯勞A , SWEDEK, BOGUSLAW A. , 班維紐多明尼克J , BENVEGNU, DOMINIC J.
IPC分类号： B24B37/013 , B24B37/16 , B24B37/26
CPC分类号： B24B37/013 , B24B37/16 , B24B37/205 , B24B37/26

94. 发明专利

TWI600497B 具有寬譜終點偵測窗之化學機械硏磨墊及使用該墊之研磨方法有权
简体标题：具有宽谱终点侦测窗之化学机械研磨垫及使用该垫之研磨方法
公开(公告)号：TWI600497B
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW103106004
申请日：2014-02-24
申请人：羅門哈斯電子材料CMP控股公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC. , 陶氏全球科技責任有限公司 , DOW GLOBAL TECHNOLOGIES LLC
发明人：雷珀安格斯 , REPPER, ANGUS , 詹姆斯大衛B , JAMES, DAVID B. , 洛伊格斯瑪莉A , LEUGERS, MARY A.
IPC分类号： B24B37/20 , B24B49/12
CPC分类号： B24B37/205 , B24B37/013 , B24B37/042

95. 发明专利

TW201726315A 具有基礎層及附著於其上之窗之拋光墊审中-公开
简体标题：具有基础层及附着于其上之窗之抛光垫
公开(公告)号：TW201726315A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105135433
申请日：2016-11-02
申请人：卡博特微電子公司 , CABOT MICROELECTRONICS CORPORATION
发明人：萊夫芮保羅安德里 , LEFEVRE, PAUL ANDRE , 艾里森威廉 C , ALLISON, WILLIAM C. , 史考特戴恩 , SCOTT, DIANE , 艾諾傑斯 , ARNO, JOSE
IPC分类号： B24B37/22 , B24B37/24
CPC分类号： B24B37/22 , B24B37/205
摘要：本發明描述具有基礎層及附著於該基礎層上之窗之拋光墊，及製造該等拋光墊之方法。在一實例中，用於拋光基板之拋光墊包括具有第一模數之基礎層。拋光層附著於該基礎層上且具有低於該第一模數之第二模數。第一開口穿過該拋光層且第二開口穿過該基礎層。該第一開口暴露該第二開口之至少一部分且暴露該基礎層之一部分。窗安置於該第一開口中且附著於該基礎層之暴露部分。
简体摘要：本发明描述具有基础层及附着于该基础层上之窗之抛光垫，及制造该等抛光垫之方法。在一实例中，用于抛光基板之抛光垫包括具有第一模数之基础层。抛光层附着于该基础层上且具有低于该第一模数之第二模数。第一开口穿过该抛光层且第二开口穿过该基础层。该第一开口暴露该第二开口之至少一部分且暴露该基础层之一部分。窗安置于该第一开口中且附着于该基础层之暴露部分。

96. 发明专利

TWI587979B 具有對準特徵之拋光墊有权
简体标题：具有对准特征之抛光垫
公开(公告)号：TWI587979B
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：TW104110571
申请日：2012-05-04
申请人：奈平科技股份有限公司 , NEXPLANAR CORPORATION
发明人：柯布理奇羅伯特 , KERPRICH, ROBERT , 亞歷森威廉C , ALLISON, WILLIAM C. , 史考特黛安 , SCOTT, DIANE
IPC分类号： B24B37/26 , B24B37/005
CPC分类号： C08J9/228 , B24B37/005 , B24B37/205 , B24B37/26 , B24D18/0009 , C08J2201/022

97. 发明专利

TWI587978B 用於拋光半導體基板之軟性拋光墊及其製備方法有权
简体标题：用于抛光半导体基板之软性抛光垫及其制备方法
公开(公告)号：TWI587978B
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：TW105101581
申请日：2011-01-13
申请人：奈平科技股份有限公司 , NEXPLANAR CORPORATION
发明人：亞歷森威廉 , ALLISON, WILLIAM , 史考特黛安 , SCOTT, DIANE , 柯布理奇羅伯特 , KERPRICH, ROBERT , 黃平 , HUANG, PING , 法蘭索理查 , FRENTZEL, RICHARD
IPC分类号： B24B37/24 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/24 , B24B37/205 , B24B37/26 , B24D11/003 , B32B3/30 , B32B5/142 , B32B5/18 , B32B7/06 , B32B7/12 , B32B25/045 , B32B25/08 , B32B27/065 , B32B27/08 , B32B27/308 , B32B27/36 , B32B2266/0278 , B32B2266/08 , B32B2307/40 , B32B2307/41 , B32B2307/412 , B32B2307/536 , B32B2307/72 , B32B2307/732 , B32B2457/00 , C08G18/3206 , C08G18/7621

98. 发明专利

TWI586484B 拋光基板及製造拋光墊之方法有权
简体标题：抛光基板及制造抛光垫之方法
公开(公告)号：TWI586484B
公开(公告)日：2017-06-11
申请号：TW104129817
申请日：2012-07-13
申请人：奈平科技股份有限公司 , NEXPLANAR CORPORATION
发明人：亞歷森威廉C , ALLISON, WILLIAM C. , 史考特黛安 , SCOTT, DIANE , 巴傑拉吉伏 , BAJAJ, RAJEEV
IPC分类号： B24B37/00 , H01L21/304 , B24B37/26 , B24B37/22
CPC分类号： B24B37/205 , B24B37/005 , B24B37/22 , B24B37/26 , B24B49/12 , B24D18/0009

99. 发明专利

TW201706076A 具有含連續突出物之拋光表面之拋光墊审中-公开
简体标题：具有含连续突出物之抛光表面之抛光垫
公开(公告)号：TW201706076A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：TW105121612
申请日：2014-01-21
申请人：奈平科技股份有限公司 , NEXPLANAR CORPORATION
发明人：里伏瑞保羅安德烈 , LEFEVRE, PAUL ANDRE , 亞歷森威廉C , ALLISON, WILLIAM C. , 辛普森亞力山卓威廉 , SIMPSON, ALEXANDER WILLIAM , 史考特黛安 , SCOTT, DIANE , 黃平 , HUANG, PING , 查恩斯雷斯利M , CHARNS, LESLIE M. , 芮那哈特詹姆士瑞查 , RINEHART, JAMES RICHARD , 卡佩瑞奇羅伯特 , KERPRICH, ROBERT
IPC分类号： B24B37/26 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/26 , B24B37/205 , B24B37/22
摘要：本文闡述具有含連續突出物之拋光表面之拋光墊。本文亦闡述製造具有含連續突出物之拋光表面之拋光墊的方法。
简体摘要：本文阐述具有含连续突出物之抛光表面之抛光垫。本文亦阐述制造具有含连续突出物之抛光表面之抛光垫的方法。

100. 发明专利

TW201635366A 低密度拋光墊审中-公开
简体标题：低密度抛光垫
公开(公告)号：TW201635366A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW105102956
申请日：2016-01-29
申请人：奈平科技股份有限公司 , NEXPLANAR CORPORATION
发明人：黃平 , HUANG, PING , 亞歷森威廉C , ALLISON, WILLIAM C. , 法蘭索理查 , FRENTZEL, RICHARD , 列芙瑞保羅安德瑞 , LEFEVRE, PAUL ANDRE , 柯布理奇羅伯特 , KERPRICH, ROBERT , 史考特黛安 , SCOTT, DIANE
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/20 , B24B37/24 , B24D3/32
CPC分类号： B24B37/24 , B24B37/205 , B24B37/26 , C08J9/0061 , C08J9/228 , C08J2333/00 , C08J2375/04 , C08J2433/00 , C08J2475/04
摘要：本發明描述低密度拋光墊及製造低密度拋光墊之方法。在一實例中，用於拋光基材之拋光墊包括具有約在0.4至0.55g/cc之範圍內之密度之拋光主體。該拋光主體包括熱固性聚胺基甲酸酯材料及複數個分散於該熱固性聚胺基甲酸酯材料中之密閉室孔。該複數個密閉室孔中之各者具有由丙烯酸系共聚物構成之殼。
简体摘要：本发明描述低密度抛光垫及制造低密度抛光垫之方法。在一实例中，用于抛光基材之抛光垫包括具有约在0.4至0.55g/cc之范围内之密度之抛光主体。该抛光主体包括热固性聚胺基甲酸酯材料及复数个分散于该热固性聚胺基甲酸酯材料中之密闭室孔。该复数个密闭室孔中之各者具有由丙烯酸系共聚物构成之壳。

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