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    • 91. 发明专利
    • 基於熱傳阻力差之沉積感測器 DEPOSITION SENSOR BASED ON DIFFERENTIAL HEAT TRANSFER RESISTANCE
    • 基于热传阻力差之沉积传感器 DEPOSITION SENSOR BASED ON DIFFERENTIAL HEAT TRANSFER RESISTANCE
    • TW201140024A
    • 2011-11-16
    • TW099136782
    • 2010-10-27
    • 奇異電器公司
    • 萬朝陽肖才斌
    • G01N
    • G01N17/008
    • 本發明揭示一種系統及方法,其中使用熱傳阻力差以有效並高效地偵測工業流體過程及流體運輸工具中剛開始發生的沉積物累積。根據一實施例,提供一結合熱源、水源及探測器之探測器。該探測器包括傳熱表面,其第一部份係僅覆蓋以薄金屬層。該傳熱表面之第二或剩餘部份係覆蓋以熱通量感測器及薄金屬層。該探測器之第一及第二區域二者的該等金屬層互連,且水流過整個傳熱表面。緩慢的水流及高水溫導致在該傳熱表面的一部份上形成沉積。測量該熱源、水源之溫度及熱通量。用熱傳阻力之變化率測量沉積速率。
    • 本发明揭示一种系统及方法,其中使用热传阻力差以有效并高效地侦测工业流体过程及流体运输工具中刚开始发生的沉积物累积。根据一实施例,提供一结合热源、水源及探测器之探测器。该探测器包括传热表面,其第一部份系仅覆盖以薄金属层。该传热表面之第二或剩余部份系覆盖以热通量传感器及薄金属层。该探测器之第一及第二区域二者的该等金属层互连,且水流过整个传热表面。缓慢的水流及高水温导致在该传热表面的一部份上形成沉积。测量该热源、水源之温度及热通量。用热传阻力之变化率测量沉积速率。
    • 95. 发明专利
    • 封裝光電裝置及用於製造其之方法 ENCAPSULATED OPTOELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR MAKING THE SAME
    • 封装光电设备及用于制造其之方法 ENCAPSULATED OPTOELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR MAKING THE SAME
    • TW201116148A
    • 2011-05-01
    • TW099124441
    • 2010-07-23
    • 奇異電器公司
    • 法奎哈爾 唐諾 西頓荷薩葛 麥可 史考特海勒 克麗斯汀 馬莉雅 安東
    • H05BH01L
    • H01L51/5246H01L27/3202H01L27/3204H01L51/0097H01L51/5203H01L51/524H01L51/5243
    • 本發明揭示一種封裝光電裝置,其包含:一第一阻障層;一電致發光裝置,其經組態以被耦合至該第一阻障層,並包括一基板及一電致發光元件,兩者皆界定一橫向側,且該電致發光元件包括位於該基板上的一第一電極、一第二電極及位於該等第一電極與第二電極之間的一光電作用層;一第二阻障層,其經組態以被耦合至該電致發光裝置;及一黏合劑,其經組態以定位於該等第一阻障層與第二阻障層之間並連接該等第一阻障層及第二阻障層,並至少被耦合至該電致發光裝置之該橫向側以在該等第一阻障層與第二阻障層之間密封該電致發光裝置;一第一導電區域,其位於該第一阻障層上、位於該等第一阻障層與第二阻障層之間並經組態以被電耦合至該第一電極並與該第二電極及一第二導電區域電絕緣;該第二導電區域位於該第一阻障層上、位於該等第一阻障層與第二阻障層之間並經組態以被電耦合至該第二電極並與該第一電極及該第一導電區域電絕緣。本發明亦呈現一種用於製造該封裝光電裝置之方法。
    • 本发明揭示一种封装光电设备,其包含:一第一阻障层;一电致发光设备,其经组态以被耦合至该第一阻障层,并包括一基板及一电致发光组件,两者皆界定一横向侧,且该电致发光组件包括位于该基板上的一第一电极、一第二电极及位于该等第一电极与第二电极之间的一光电作用层;一第二阻障层,其经组态以被耦合至该电致发光设备;及一黏合剂,其经组态以定位于该等第一阻障层与第二阻障层之间并连接该等第一阻障层及第二阻障层,并至少被耦合至该电致发光设备之该横向侧以在该等第一阻障层与第二阻障层之间密封该电致发光设备;一第一导电区域,其位于该第一阻障层上、位于该等第一阻障层与第二阻障层之间并经组态以被电耦合至该第一电极并与该第二电极及一第二导电区域电绝缘;该第二导电区域位于该第一阻障层上、位于该等第一阻障层与第二阻障层之间并经组态以被电耦合至该第二电极并与该第一电极及该第一导电区域电绝缘。本发明亦呈现一种用于制造该封装光电设备之方法。
    • 97. 发明专利
    • 抑制二氧化矽積垢之方法 METHODS OF INHIBITING SCALE OF SILICA
    • 抑制二氧化硅积垢之方法 METHODS OF INHIBITING SCALE OF SILICA
    • TW201105590A
    • 2011-02-16
    • TW099115151
    • 2010-05-12
    • 奇異電器公司
    • 彭文慶呂蘇潘智達席堤 亞夏克 珊卡爾蘇奇華張冰劉升霞熊明娜梁延剛
    • C02FC08F
    • C02F5/14C02F9/00
    • 本發明係關於一種控制水性系統中之二氧化矽積垢之方法,其包括添加有效量的第一聚合物及第二聚合物之混合物至該水性系統中,其中該第一聚合物及該第二聚合物各具有衍生自任一第四銨單體、第四鏻單體、及第四單體之第一結構單元及衍生自任一磺酸、硫酸、磷酸、羧酸及其任何鹽之第二結構單元中之至少一者,該第一聚合物帶有第一淨電荷或為中性,該第二聚合物帶有與該第一淨電荷相反之第二淨電荷或當該第一聚合物為中性時帶有正淨電荷,該第一結構單元為該混合物之約1mol%至約99mol%。
    • 本发明系关于一种控制水性系统中之二氧化硅积垢之方法,其包括添加有效量的第一聚合物及第二聚合物之混合物至该水性系统中,其中该第一聚合物及该第二聚合物各具有衍生自任一第四铵单体、第四鏻单体、及第四单体之第一结构单元及衍生自任一磺酸、硫酸、磷酸、羧酸及其任何盐之第二结构单元中之至少一者,该第一聚合物带有第一净电荷或为中性,该第二聚合物带有与该第一净电荷相反之第二净电荷或当该第一聚合物为中性时带有正净电荷,该第一结构单元为该混合物之约1mol%至约99mol%。
    • 100. 发明专利
    • 分離器總成 SEPARATOR ASSEMBLY
    • 分离器总成 SEPARATOR ASSEMBLY
    • TW201021903A
    • 2010-06-16
    • TW098133243
    • 2009-09-30
    • 奇異電器公司
    • 畢卻柏 飛利浦 保羅爾諾 丹尼爾 傑森馬爾契克 迪 大衛庫曼 邁可 肯特
    • B01DC02F
    • B01D63/103B01D63/10B01D2313/10B01D2313/12C02F1/441C02F2103/08Y02A20/131
    • 本發明提供一種分離器總成,該分離器總成包括:一膜堆疊總成,其包括一饋進物載體層、一滲出物載體層及一膜層;及一中心芯元件,其包括一濃縮物排放管道及一滲出物排放管道;其中該濃縮物排放管道與該滲出物排放管道由該膜堆疊總成之一第一部分分離;且其中該膜堆疊總成之一第二部分形成安置於該中心芯元件周圍之一多層膜總成;且其中該饋進物載體層與該濃縮物排放管道接觸且不與該滲出物排放管道接觸;且其中該滲出物載體層與該滲出物排放管道接觸且不與該濃縮物排放管道接觸;且其中該滲出物載體層不形成該分離器總成之一外表面。
    • 本发明提供一种分离器总成,该分离器总成包括:一膜堆栈总成,其包括一馈进物载体层、一渗出物载体层及一膜层;及一中心芯组件,其包括一浓缩物排放管道及一渗出物排放管道;其中该浓缩物排放管道与该渗出物排放管道由该膜堆栈总成之一第一部分分离;且其中该膜堆栈总成之一第二部分形成安置于该中心芯组件周围之一多层膜总成;且其中该馈进物载体层与该浓缩物排放管道接触且不与该渗出物排放管道接触;且其中该渗出物载体层与该渗出物排放管道接触且不与该浓缩物排放管道接触;且其中该渗出物载体层不形成该分离器总成之一外表面。