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91. 发明专利

TWI302737B 發光二極體及發光元件之配置方法 METHOD FOR ARRANGING LIGHT-EMITTING DIODES AND LIGHT-EMITTING ELEMENTS 失效
简体标题：发光二极管及发光组件之配置方法 METHOD FOR ARRANGING LIGHT-EMITTING DIODES AND LIGHT-EMITTING ELEMENTS
公开(公告)号：TWI302737B
公开(公告)日：2008-11-01
申请号：TW092118694
申请日：2003-07-09
申请人：豊田合成股份有限公司 TOYODA GOSEI CO., LTD.
发明人：加藤英昭 HIDEAKI KATO , 加賀浩一 KOICHI KAGA , 松村佳苗 KANAE MATSUMURA
IPC分类号： G09G , H01L , B41J
CPC分类号： G09G3/006
摘要：在量測之後,發光元件被依據量測順序而暫時編號為
(1)、...,並連續地配置於一暫時盤上。在此操作的同時,
所量測到之光强度資料係連同暫時編號(1)、...而被輸入一
電腦系統。在電腦系統中,所量測到之光强度資料係根據
預定演算法而重新配置,以使相鄰發光元件之光强度値達
到實質相等,並依據重新配置之資料而在電腦之記憶體上
重新配置暫時編號(1)、...。將重新配置之資料從電腦系統
傳送至一機械手臂,使得暫時盤上之發光元件可被配置到
一膠帶上。
简体摘要：在量测之后,发光组件被依据量测顺序而暂时编号为 (1)、...,并连续地配置于一暂时盘上。在此操作的同时, 所量测到之光强度数据系连同暂时编号(1)、...而被输入一电脑系统。在电脑系统中,所量测到之光强度数据系根据预定算法而重新配置,以使相邻发光组件之光强度値达到实质相等,并依据重新配置之数据而在电脑之内存上重新配置暂时编号(1)、...。将重新配置之数据从电脑系统发送至一机械手臂,使得暂时盘上之发光组件可被配置到一胶带上。

92. 发明专利

TW200824154A 半導體發光裝置 SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体发光设备 SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
公开(公告)号：TW200824154A
公开(公告)日：2008-06-01
申请号：TW096132266
申请日：2007-08-30
申请人：東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA , 豐田合成股份有限公司 TOYODA GOSEI CO., LTD.
发明人：押尾博明 OSHIO, HIROAKI , 松本岩夫 MATSUMOTO, IWAO , 苗代光博 NAWASHIRO, MITSUHIRO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/60 , H01L33/46 , H01L2224/16245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/00 , H01L2224/0401
摘要：一種半導體發光裝置,包括:一本體,其具有一凹處、被設置在該凹處的側壁上之一步階;一半導體發光元件,其被安裝在該凹處中;及一樹脂層。該樹脂層覆蓋該本體的該凹處之內表面的至少一部份。該樹脂層具有比該本體的該凹處之該內表面高的反射比。
简体摘要：一种半导体发光设备,包括:一本体,其具有一凹处、被设置在该凹处的侧壁上之一步阶;一半导体发光组件,其被安装在该凹处中;及一树脂层。该树脂层覆盖该本体的该凹处之内表面的至少一部份。该树脂层具有比该本体的该凹处之该内表面高的反射比。

93. 发明专利

TW200818544A 半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体设备 SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW200818544A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：TW096119478
申请日：2007-05-31
申请人：豊田合成股份有限公司 TOYODA GOSEI CO., LTD. , 學校法人立命館 THE RITSUMEIKAN TRUST
发明人：小正芳 KOSAKI MASAYOSHI , 平田宏治 HIRATA, KOJI , 城川潤二郎 KIKAWA, JUNJIRO , 鈴木彰 SUZUKI, AKIRA
IPC分类号： H01L , H01S
CPC分类号： H01L29/7786 , H01L21/02378 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L29/2003
摘要：一種具有包含AlGaN層及GaN層的AlGaN-GaN異質接面結構的半導體裝置,此裝置之表面電阻不會隨著時間而改變。如圖1所示,在具有AlGaN層1及GaN層2的AlGaN-GaN異質接面結構的半導體裝置中,當AlGaN的Al莫爾份數(x%)及AlGaN層所具有之厚度(y nm)滿足關係式:x+y
简体摘要：一种具有包含AlGaN层及GaN层的AlGaN-GaN异质接面结构的半导体设备,此设备之表面电阻不会随着时间而改变。如图1所示,在具有AlGaN层1及GaN层2的AlGaN-GaN异质接面结构的半导体设备中,当AlGaN的Al莫尔份数(x%)及AlGaN层所具有之厚度(y nm)满足关系式:x+y<55,25≦x≦40,及y≧10时,y小于临界厚度,借此,在AlGaN层中不会产生裂缝。因此,尽管Al莫尔份数很高,本发明提供了实际上并不会随着时间而改变表面电阻的半导体设备。

94. 发明专利

TW200741045A 半導體結晶之製造方法及半導體基板 PRODUCTION METHODS OF SEMICONDUCTOR CRYSTAL AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE 审中-公开
简体标题：半导体结晶之制造方法及半导体基板 PRODUCTION METHODS OF SEMICONDUCTOR CRYSTAL AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
公开(公告)号：TW200741045A
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：TW096110542
申请日：2007-03-27
申请人：豊田合成股份有限公司 TOYODA GOSEI CO., LTD. , 日本子股份有限公司 NGK INSULATORS, LTD. , 國立大學法人大阪大學 OSAKA UNIVERSITY
发明人：山崎史郎 YAMAZAKI, SHIRO , 平田宏治 HIRATA, KOJI , 柴田直樹 SHIBATA, NAOKI , 今井克宏 IMAI, KATSUHIRO , 岩井真 IWAI, MAKOTO , 佐佐木孝友 SASAKI, TAKATOMO , 森勇介 MORI, YUSUKE , 川村史朗 KAWAMURA, FUMIO
IPC分类号： C30B , H01L
CPC分类号： C30B29/403 , C30B9/00 , H01L33/0075 , Y10T428/265 , Y10T428/266
摘要：提供一種適合製造電子元件或光學元件之高品質半導體基板。本發明提供一種製造用於電子元件或光學元件之半導體基板之方法。該方法包括:在一助熔劑混合物中,使氮(N)與鎵(Ga)、鋁(Al)或銦(In)之III族元素進行反應,該助熔劑混合物包含,自鹼金屬與鹼土金屬之中,所選擇之複數金屬元素,藉此成長一III族氮化物系化合物半導體結晶。當助熔劑混合物與III族元素於攪拌混合時,可成長III族氮化物系化合物半導體結晶。其上形成有III族氮化系化合物半導體結晶之基底基板的至少一部份,係由助熔劑可溶材料所形成。以及於半導體結晶成長進行期間或半導體結晶成長結束之後,於一接近III族氮化物系化合物半導體結晶成長溫度之溫度下,助熔劑可溶材料會溶於助熔劑混合物中。
简体摘要：提供一种适合制造电子组件或光学组件之高品质半导体基板。本发明提供一种制造用于电子组件或光学组件之半导体基板之方法。该方法包括:在一助熔剂混合物中,使氮(N)与镓(Ga)、铝(Al)或铟(In)之III族元素进行反应,该助熔剂混合物包含,自碱金属与碱土金属之中,所选择之复数金属元素,借此成长一III族氮化物系化合物半导体结晶。当助熔剂混合物与III族元素于搅拌混合时,可成长III族氮化物系化合物半导体结晶。其上形成有III族氮化系化合物半导体结晶之基底基板的至少一部份,系由助熔剂可溶材料所形成。以及于半导体结晶成长进行期间或半导体结晶成长结束之后,于一接近III族氮化物系化合物半导体结晶成长温度之温度下,助熔剂可溶材料会溶于助熔剂混合物中。

95. 发明专利

TW200735410A 低溫成長緩衝層之形成方法、發光元件及其製造方法、與發光裝置 METHOD OF FORMING A LOW TEMPERATURE-GROWN BUFFER LAYER, LIGHT EMITTING ELEMENT, METHOD OF MAKING SAME, AND LIGHT EMITTING DEVICE 审中-公开
简体标题：低温成长缓冲层之形成方法、发光组件及其制造方法、与发光设备 METHOD OF FORMING A LOW TEMPERATURE-GROWN BUFFER LAYER, LIGHT EMITTING ELEMENT, METHOD OF MAKING SAME, AND LIGHT EMITTING DEVICE
公开(公告)号：TW200735410A
公开(公告)日：2007-09-16
申请号：TW095111414
申请日：2006-03-31
申请人：豊田合成股份有限公司 TOYODA GOSEI CO., LTD. , 光波股份有限公司 KOHA CO., LTD.
发明人：牛田泰久 USHIDA, YASUHISA , 篠田大輔 SHINODA, DAISUKE , 山崎大輔 YAMAZAKI, DAISUKE , 平田宏治 HIRATA, KOJI , 池本由平 IKEMOTO, YUHEI , 柴田直樹 SHIBATA, NAOKI , 青木和夫 AOKI, KAZUO , 加錫安東尼 GARCIA VILLORA, ENCARNACION ANTONIA , 島村清史 SHIMAMURA, KIYOSHI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C30B25/02 , C30B25/183 , C30B29/403 , H01L21/02414 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02661 , H01L33/007 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：一種低溫成長緩衝層之形成方法包含下列步驟:將Ga2O3基板放置到MOCVD設備中;在MOCVD設備中提供一H2環境,並設定緩衝層成長條件,其包含350℃至550℃之環境溫度;及將源氣體供給至緩衝層成長條件中之Ga2O3基板上以在Ga2O3基板上形成低溫成長緩衝層,該源氣體包含TMG、TMA及NH3中之兩者或更多者。
简体摘要：一种低温成长缓冲层之形成方法包含下列步骤:将Ga2O3基板放置到MOCVD设备中;在MOCVD设备中提供一H2环境,并设置缓冲层成长条件,其包含350℃至550℃之环境温度;及将源气体供给至缓冲层成长条件中之Ga2O3基板上以在Ga2O3基板上形成低温成长缓冲层,该源气体包含TMG、TMA及NH3中之两者或更多者。

96. 发明专利

TWI284994B 三族氮化物系化合物半導體發光元件及其製造方法 GROUP III NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME 有权
简体标题：三族氮化物系化合物半导体发光组件及其制造方法 GROUP III NITRIDE-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
公开(公告)号：TWI284994B
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：TW094146488
申请日：2005-12-26
申请人：豊田合成股份有限公司 TOYODA GOSEI CO., LTD.
发明人：瀧哲也 TAKI, TETSUYA , 生川滿久 NARUKAWA, MITSUHISA , 青木真登 AOKI, MASATO , 奧野浩司 OKUNO, KOJI , 豊田優介 TOYODA, YUSUKE , 西島和樹 NISHIJIMA, KAZUKI , 山田修平 YAMADA, SHUHEI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L33/06
摘要：本發明提供一種三族氮化物系化合物半導體發光元件，其具有一區域，該區域被形成使形成於井層上下側的層、和與該井層接合部附近的形成於該井層上下側的層之該等層的晶格常數，變化成接近於該井層的晶格常數。
又，本發明亦提供一種具有單一或多重量子井構造的三族氮化物系化合物半導體發光元件的製造方法，該單一或多重量子井構造具有至少包含銦(In)的井層，該方法係：在利用氣相生長法形成井層時，使In源的供給量從最低供給量開始供給，之後，使 In源的供給量增加至目標供給量後，則設為固定供給量，隨後從目標供給量減少至最低供給量，關於In源以外的三族原料源，為在從In源供給開始至供給終了之間，以固定供給量進行供給。
简体摘要：本发明提供一种三族氮化物系化合物半导体发光组件，其具有一区域，该区域被形成使形成于井层上下侧的层、和与该井层接合部附近的形成于该井层上下侧的层之该等层的晶格常数，变化成接近于该井层的晶格常数。又，本发明亦提供一种具有单一或多重量子井构造的三族氮化物系化合物半导体发光组件的制造方法，该单一或多重量子井构造具有至少包含铟(In)的井层，该方法系：在利用气相生长法形成井层时，使In源的供给量从最低供给量开始供给，之后，使 In源的供给量增加至目标供给量后，则设为固定供给量，随后从目标供给量减少至最低供给量，关于In源以外的三族原料源，为在从In源供给开始至供给终了之间，以固定供给量进行供给。

97. 发明专利

TWI283935B 第III族氮化物系化合物半導體發光裝置 GROUP III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE 有权
简体标题：第III族氮化物系化合物半导体发光设备 GROUP III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
公开(公告)号：TWI283935B
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：TW094135150
申请日：2005-10-07
申请人：豊田合成股份有限公司 TOYODA GOSEI CO., LTD.
发明人：上村俊也 TOSHIYA UEMURA , 澤崎勝久 KATSUHISA SAWAZAKI , 中井真仁 MASAHITO NAKAI , 池本由平 YUHEI IKEMOTO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L33/025 , H01L33/06
摘要：本發明係關於一種第III族氮化物系化合物半導體發光裝置，其包括：n型半導體層；具有超晶格結構之p型半導體層，其中至少包含有Al之第一層及具有不同於第一層之組成物的第二層係重複層合；及插置於n型半導體層與P型半導體層之間的活性層，其中最靠近活性層之第一層的Al組成物係設為較各其他第一層的Al組成物低，且其中最靠近活性層之第一層中之p型雜質的摻雜量係設為較各其他第一層之p型雜質的摻雜量小或為未摻雜。
简体摘要：本发明系关于一种第III族氮化物系化合物半导体发光设备，其包括：n型半导体层；具有超晶格结构之p型半导体层，其中至少包含有Al之第一层及具有不同于第一层之组成物的第二层系重复层合；及插置于n型半导体层与P型半导体层之间的活性层，其中最靠近活性层之第一层的Al组成物系设为较各其他第一层的Al组成物低，且其中最靠近活性层之第一层中之p型杂质的掺杂量系设为较各其他第一层之p型杂质的掺杂量小或为未掺杂。

98. 发明专利

TWI270126B p型SiC用電極及其製造方法暨SiC元件及其製造方法失效
简体标题： p型SiC用电极及其制造方法暨SiC组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI270126B
公开(公告)日：2007-01-01
申请号：TW091120274
申请日：2002-09-05
申请人：豊田合成股份有限公司 TOYODA GOSEI CO., LTD.
发明人：中塚理 , 小西亮平 , 安河內隆一 , 小出康夫 , 村上正紀 MASANORI MURAKAMI , 柴田直樹 NAOKI SHIBATA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/45 , H01L29/1608 , H01L33/34 , H01L33/40
摘要：本發明係提供一種表面均質性佳，且隨電極形成對半導體結晶層造成損傷較少的p型SiC用電極。
本發明之解決手段，係含有從鎳(Ni)、鈷(Co)、鈀(Pd)及白金(Pt)中，至少選擇其中一種所構成第1電極材料，而構成p型電極。
简体摘要：本发明系提供一种表面均质性佳，且随电极形成对半导体结晶层造成损伤较少的p型SiC用电极。本发明之解决手段，系含有从镍(Ni)、钴(Co)、钯(Pd)及白金(Pt)中，至少选择其中一种所构成第1电极材料，而构成p型电极。

99. 发明专利

TWI257711B 半導體晶圓之晶片分割方法失效
简体标题：半导体晶圆之芯片分割方法
公开(公告)号：TWI257711B
公开(公告)日：2006-07-01
申请号：TW090105930
申请日：2001-03-14
申请人：豊田合成股份有限公司 TOYODA GOSEI CO., LTD.
发明人：橋村昌樹 MASAKI HASHIMURA , 佐藤孝夫 TAKAO SATO , 太田光一 KOICHI OTA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/3046 , H01L21/3043 , H01L21/3081 , H01L21/78
摘要：本發明係關於一種半導體晶圓之晶片分割方法，其為，在基板上形成半導體層所成之半導體晶圓分割成多數的半導體晶片之方法者。第一之方法係包含形成在半導體晶圓之表面上，留下格子狀露出部之圖案之耐噴砂罩幕之步驟，及對半導體晶圓噴射微粒子噴砂材，在格子狀露出部形成到達前述基板之預定深度之分割用槽溝之步驟者。第二之方法係包含在半導體晶圓之形成有半導體層側之表面，用切片，蝕刻或噴砂法等形成槽溝寬幅相對地較狹窄的第一分割用槽溝的步驟，及在半導體晶圓之非形成半導層側之表面且對應於第一分割用槽溝之位置，用切片法形成槽溝寬幅相對地較寬之第二分割用槽溝之步驟者。
简体摘要：本发明系关于一种半导体晶圆之芯片分割方法，其为，在基板上形成半导体层所成之半导体晶圆分割成多数的半导体芯片之方法者。第一之方法系包含形成在半导体晶圆之表面上，留下格子状露出部之图案之耐喷砂罩幕之步骤，及对半导体晶圆喷射微粒子喷砂材，在格子状露出部形成到达前述基板之预定深度之分割用槽沟之步骤者。第二之方法系包含在半导体晶圆之形成有半导体层侧之表面，用切片，蚀刻或喷砂法等形成槽沟宽幅相对地较狭窄的第一分割用槽沟的步骤，及在半导体晶圆之非形成半导层侧之表面且对应于第一分割用槽沟之位置，用切片法形成槽沟宽幅相对地较宽之第二分割用槽沟之步骤者。

100. 发明专利

TWI249864B 發光二極體指示燈 LED LAMP 失效
简体标题：发光二极管指示灯 LED LAMP
公开(公告)号：TWI249864B
公开(公告)日：2006-02-21
申请号：TW093107348
申请日：2004-03-18
申请人：豊田合成股份有限公司 TOYODA GOSEI CO., LTD. , 光波股份有限公司 KOHA CO., LTD.
发明人：松村佳苗 MATSUMURA, KANAE , 加藤英昭 KATO, HIDEAKI , 手島聖貴 TESHIMA, KIYOTAKA , 大塚俊輔 OHTSUKA, SHUNSUKE
IPC分类号： H01L , H05K , F21K , G09F
CPC分类号： H05K3/3442 , F21K9/00 , F21Y2113/13 , F21Y2115/10 , H01L25/0753 , H01L2224/48091 , H05K3/366 , H05K2201/09181 , H05K2201/10106 , Y02P70/613 , H01L2924/00014
摘要： LED指示燈具有一封裝體及複數之發光元件，其係電連接至複數之設於該封裝體中之電極板並用透明物質密封。複數之發光元件之發紅光元件係沿該封裝體的縱方向連線焊接、發綠光元件與發藍光元件係以其電極面向下而倒裝片接合，且該電極延伸至該LED指示燈之該發光面的背面而嵌入該封裝體中。
简体摘要： LED指示灯具有一封装体及复数之发光组件，其系电连接至复数之设于该封装体中之电极板并用透明物质密封。复数之发光组件之发红光组件系沿该封装体的纵方向连接焊接、发绿光组件与发蓝光组件系以其电极面向下而倒装片接合，且该电极延伸至该LED指示灯之该发光面的背面而嵌入该封装体中。

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