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91. 发明专利

TW200505795A 銅化合物及使用其之銅薄膜之製造方法审中-公开
简体标题：铜化合物及使用其之铜薄膜之制造方法
公开(公告)号：TW200505795A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：TW093119405
申请日：2004-06-30
申请人： MEC股份有限公司 MEC COMPANY LTD.
发明人：王谷稔 , 久田純 , 馬渡豐樹
IPC分类号： C01G
CPC分类号： C23C18/08
摘要：本發明提供一種銅化合物，係分解溫度為100～300℃範圍之以下述式(1)：〔R^1COO〕n〔NH3〕mCuX^1p…(1)(其中，n為1～3、m為1～3、p為0～1、n個之R^1分別表示下述式(2)、CH2X^2、CH2X^2(CH2X^2)q、NH2、H，可為相同，亦可為不同；於n為2時，2個〔R^1COO〕係一起以下述式(3)表示，R^2、R^3、R^4分別為CH2X^2、CH2X^2(CH2X^2)q、NH2、H，R^5為(CH2X^2)r–，X^2為H、OH、NH2，r為0～4，q為1～4，X^1為 NH4^＋、H2O或溶劑分子)；093119405-p01.bmp所表示之單位1或數個連結而成。藉此，所提供之銅化合物可安全、廉價而容易地形成在電子元件等之製造步驟中所必須的銅薄膜，並提供使用該銅化合物之銅薄膜之製造方法。
简体摘要：本发明提供一种铜化合物，系分解温度为100～300℃范围之以下述式(1)：〔R^1COO〕n〔NH3〕mCuX^1p…(1)(其中，n为1～3、m为1～3、p为0～1、n个之R^1分别表示下述式(2)、CH2X^2、CH2X^2(CH2X^2)q、NH2、H，可为相同，亦可为不同；于n为2时，2个〔R^1COO〕系一起以下述式(3)表示，R^2、R^3、R^4分别为CH2X^2、CH2X^2(CH2X^2)q、NH2、H，R^5为(CH2X^2)r–，X^2为H、OH、NH2，r为0～4，q为1～4，X^1为 NH4^＋、H2O或溶剂分子)；093119405-p01.bmp所表示之单位1或数个链接而成。借此，所提供之铜化合物可安全、廉价而容易地形成在电子组件等之制造步骤中所必须的铜薄膜，并提供使用该铜化合物之铜薄膜之制造方法。

92. 发明专利

TW200427851A 銅表面之對樹脂黏著層审中-公开
简体标题：铜表面之对树脂黏着层
公开(公告)号：TW200427851A
公开(公告)日：2004-12-16
申请号：TW093110949
申请日：2004-04-20
申请人：美克股份有限公司 MEC COMPANY LTD.
发明人：河口陸行 , 齊藤知志 , 久田純 , 中川登志子
IPC分类号： C22C
CPC分类号： H05K3/384 , C23C18/48 , H01L2924/0002 , H05K2201/0355 , H05K2203/073 , Y10T428/12715 , Y10T428/12903 , Y10T428/1291 , Y10T428/265 , Y10T428/31678 , Y10T428/31681 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種對樹脂黏著層，係在銅表面上形成的對樹脂黏著層，其含有由(a)銅、(b)錫、及(c)選自銀、鋅、鋁、鈦、鉍、鉻、鐵、鈷、鎳、鈀、金及鉑中的至少一種金屬(第三金屬)構成的合金，上述銅為1～50原子％，上述錫為20～98原子％、上述第三金屬為1～50原子％，厚度為0.001μm以上且1μm以下。藉此可提高銅與樹脂的黏著力。
简体摘要：本发明提供一种对树脂黏着层，系在铜表面上形成的对树脂黏着层，其含有由(a)铜、(b)锡、及(c)选自银、锌、铝、钛、铋、铬、铁、钴、镍、钯、金及铂中的至少一种金属(第三金属)构成的合金，上述铜为1～50原子％，上述锡为20～98原子％、上述第三金属为1～50原子％，厚度为0.001μm以上且1μm以下。借此可提高铜与树脂的黏着力。

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