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91. 发明专利

TW200538716A 電子元件安裝用膜承載帶用絕緣膜的檢查方法、檢查絕緣膜用檢查裝置、衝壓絕緣膜用衝壓裝置、及衝壓裝置的控制方式 METHOD FOR INSPECTING INSULATING FILM FOR FILM CARRIER TAPE FOR MOUNTING ELECTRONIC COMPONENTS THEREON, INSPECTION APPARATUS FOR INSPECTING THE INSULATING FILM, PUNCHING APPARATUS FOR PUNCHING THE INSULATING FILM, AND METHOD FOR CONTROLLING THE PUNCHING APPARATUS 审中-公开
简体标题：电子组件安装用膜承载带用绝缘膜的检查方法、检查绝缘膜用检查设备、冲压绝缘膜用冲压设备、及冲压设备的控制方式 METHOD FOR INSPECTING INSULATING FILM FOR FILM CARRIER TAPE FOR MOUNTING ELECTRONIC COMPONENTS THEREON, INSPECTION APPARATUS FOR INSPECTING THE INSULATING FILM, PUNCHING APPARATUS FOR PUNCHING THE INSULATING FILM, AND METHOD FOR CONTROLLING THE PUNCHING APPARATUS
公开(公告)号：TW200538716A
公开(公告)日：2005-12-01
申请号：TW094113381
申请日：2005-04-27
申请人：三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人：加藤香頭由 KATO, KAZUYOSHI , 堀合直明 HORIAI, NAOAKI
IPC分类号： G01N
CPC分类号： G01N21/21 , G01N21/8901
摘要：本發明提供一種瑕疵檢查用檢查裝置及其方法、衝壓裝置以及衝壓裝置控制方法，係用以即刻檢查出膜承載帶用絕緣膜表面凸起之碎片，其中該碎片在使用衝壓模具進行膜承載帶用絕緣膜之衝壓時極易出現，藉此，可以將具有因凸起之碎片或外界雜質依附而造成具有絕緣膜表面瑕疵之片數儘可能減少。本發明中，已經過衝壓並傳送之膜承載帶用絕緣膜係由已通過第一偏光濾鏡之平行光予以照射之；令已通過膜承載帶用絕緣膜或經膜承載帶用絕緣膜反射之光線通過第二偏光濾鏡；已通過該第二偏光濾鏡之光線由影像讀取裝置予以接收；並將輸入至影像讀取裝置之影像施加影像處理成亮度之差異，從而檢查出膜承載帶用絕緣膜之瑕疵。
简体摘要：本发明提供一种瑕疵检查用检查设备及其方法、冲压设备以及冲压设备控制方法，系用以即刻检查出膜承载带用绝缘膜表面凸起之碎片，其中该碎片在使用冲压模具进行膜承载带用绝缘膜之冲压时极易出现，借此，可以将具有因凸起之碎片或外界杂质依附而造成具有绝缘膜表面瑕疵之片数尽可能减少。本发明中，已经过冲压并发送之膜承载带用绝缘膜系由已通过第一偏光滤镜之平行光予以照射之；令已通过膜承载带用绝缘膜或经膜承载带用绝缘膜反射之光线通过第二偏光滤镜；已通过该第二偏光滤镜之光线由影像读取设备予以接收；并将输入至影像读取设备之影像施加影像处理成亮度之差异，从而检查出膜承载带用绝缘膜之瑕疵。

92. 发明专利

TW200533251A 具有灰色化處理面之表面處理銅箔、該表面處理銅箔之製造方法、以及使用該表面處理銅箔之電漿顯示器前面板用的電磁波遮蔽導電性網片失效
简体标题：具有灰色化处理面之表面处理铜箔、该表面处理铜箔之制造方法、以及使用该表面处理铜箔之等离子显示器前皮肤用的电磁波屏蔽导电性网片
公开(公告)号：TW200533251A
公开(公告)日：2005-10-01
申请号：TW094106234
申请日：2005-03-02
申请人：三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人： 口勉
IPC分类号： H05K
CPC分类号： H05K9/0096 , B32B15/01 , C23C28/322 , C23C28/345 , C25D7/0614 , H05K3/384 , H05K2201/0355 , H05K2203/0307 , H05K2203/0723
摘要：本發明的目的在於提供具有良好的灰色，且能夠以通常的銅蝕刻程序加工的表面處理銅箔，及提供以這樣的表面處理銅箔所製造的電漿顯示器用電磁波遮蔽導電性網片。為達成此目的，採用的銅箔係單面具備灰色化處理面的表面處理銅箔，且以具備在銅箔層的粗面上設有硫酸鈷鍍層，進而設防銹處理層為特徵之灰色化處理面之表面處理銅箔等。此外，該表面處理銅箔之製造，採用在電解銅箔等之粗面上，使用含有硫酸鈷(7水和物)之鈷電鍍液，以特定的電流密度電解，形成防銹處理層，並水洗、乾燥等手法。
简体摘要：本发明的目的在于提供具有良好的灰色，且能够以通常的铜蚀刻进程加工的表面处理铜箔，及提供以这样的表面处理铜箔所制造的等离子显示器用电磁波屏蔽导电性网片。为达成此目的，采用的铜箔系单面具备灰色化处理面的表面处理铜箔，且以具备在铜箔层的粗面上设有硫酸钴镀层，进而设防锈处理层为特征之灰色化处理面之表面处理铜箔等。此外，该表面处理铜箔之制造，采用在电解铜箔等之粗面上，使用含有硫酸钴(7水和物)之钴电镀液，以特定的电流密度电解，形成防锈处理层，并水洗、干燥等手法。

93. 发明专利

TW200530407A 高耐熱性鋁合金配線材料及標靶材料 HIGH-HEAT-RESISTANT ALUMINUM ALLOY WIRING MATERIAL AND TARGET MATERIAL 失效
简体标题：高耐热性铝合金配线材料及标靶材料 HIGH-HEAT-RESISTANT ALUMINUM ALLOY WIRING MATERIAL AND TARGET MATERIAL
公开(公告)号：TW200530407A
公开(公告)日：2005-09-16
申请号：TW094104297
申请日：2005-02-15
申请人：三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人：久保田高史 KUBOTA, TAKASHI , 松浦宜範 MATSUURA, YOSHINORI , 松崎健嗣 MATSUZAKI, KENJI , 加藤和照 KATO, KAZUTERU
IPC分类号： C22C
CPC分类号： C23C14/3414 , C22C21/00 , H01B1/023 , H01L21/283 , H01L23/53219 , H01L2924/0002 , H05K1/09 , H01L2924/00
摘要：〔課題〕本發明之目的係提供一種較適於進行攝氏500度以上高溫熱處理的低溫製程的多晶矽形薄膜電晶體，且高耐熱、低阻抗特性較佳的鋁合金配線材料及標靶材料。〔解決手段〕在含有鎳、鈷及碳的鋁合金配線材料及標靶材料中，以鎳含量的原子百分率為X原子百分率、鈷含量的原子百分率為Y原子百分率、碳的原子百分率為Z原子百分率時，滿足0.5原子百分率≦X≦3.0原子百分率、4.0原子百分率≦X＋Y≦7.0原子百分率、0.1原子百分率≦Z≦0.5原子百分率的關係，且其餘為鋁。
简体摘要：〔课题〕本发明之目的系提供一种较适于进行摄氏500度以上高温热处理的低温制程的多晶硅形薄膜晶体管，且高耐热、低阻抗特性较佳的铝合金配线材料及标靶材料。〔解决手段〕在含有镍、钴及碳的铝合金配线材料及标靶材料中，以镍含量的原子百分率为X原子百分率、钴含量的原子百分率为Y原子百分率、碳的原子百分率为Z原子百分率时，满足0.5原子百分率≦X≦3.0原子百分率、4.0原子百分率≦X＋Y≦7.0原子百分率、0.1原子百分率≦Z≦0.5原子百分率的关系，且其余为铝。

94. 发明专利

TW200530131A 導電性氧化錫粉末及其製造方法失效
简体标题：导电性氧化锡粉末及其制造方法
公开(公告)号：TW200530131A
公开(公告)日：2005-09-16
申请号：TW094103607
申请日：2005-02-04
申请人：三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人：藤井博 , 瓦谷浩一 , 吉丸克彥 , 島村宏之
IPC分类号： C01G
CPC分类号： C08L101/12 , C01G19/02 , C01P2006/40 , C09D5/24
摘要：本發明的目的在於提供一種不含具有害性的銻等的摻合物、對聚合物等賦與良好的導電性、同時對於塗料的易分散性及透明性亦極為優異的導電性氧化錫粉末及其製造方法。為了達到此目的而採用一種導電性氧化錫粉末，其特徵在於：製成塗料時的塗膜之濁霧度為5％以下，表面電阻為10^10Ω／□以下，且不含摻合物。因此，獲得此種導電性氧化錫粉末之製造方法其特徵在於：緩慢添加錫酸鈉溶液於酸水溶液中使在添加完成時pH成為5以下，並進行反應，對所生成的漿料加以洗滌、過濾、乾燥後而得到乾燥粉未，並加以粉碎，其次，在非氧化性環境下施行焙燒。
简体摘要：本发明的目的在于提供一种不含具有害性的锑等的掺合物、对聚合物等赋与良好的导电性、同时对于涂料的易分散性及透明性亦极为优异的导电性氧化锡粉末及其制造方法。为了达到此目的而采用一种导电性氧化锡粉末，其特征在于：制成涂料时的涂膜之浊雾度为5％以下，表面电阻为10^10Ω／□以下，且不含掺合物。因此，获得此种导电性氧化锡粉末之制造方法其特征在于：缓慢添加锡酸钠溶液于酸水溶液中使在添加完成时pH成为5以下，并进行反应，对所生成的浆料加以洗涤、过滤、干燥后而得到干燥粉未，并加以粉碎，其次，在非氧化性环境下施行焙烧。

95. 发明专利

TWI232240B 鋁合金薄膜 Aluminum Alloy Thin Film 失效
简体标题：铝合金薄膜 Aluminum Alloy Thin Film
公开(公告)号：TWI232240B
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：TW091118779
申请日：2002-08-20
申请人：三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人：久保田高史 KUBOTA, TAKASHI , 渡邊弘 WATANABE, HIROSHI
IPC分类号： C22C , H01L
CPC分类号： C23C14/14 , C23C14/185 , C23C14/3414 , H01L21/2855 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H05K1/09 , Y10T428/12736
摘要：本發明係以提供具有與ITO膜相同程度之電極電位，矽不會擴散，電阻率低，耐熱性優良之鋁合金薄膜為目的。本發明係在含有碳之鋁合金薄膜中，其特徵在於：含有0.5~7.0at%之鎳、鈷、鐵中至少一種以上的元素與0.1~3.0at%之碳，剩下部分為鋁。然後，更含有0.5~2.0at%之矽來作為鋁合金薄膜。
简体摘要：本发明系以提供具有与ITO膜相同程度之电极电位，硅不会扩散，电阻率低，耐热性优良之铝合金薄膜为目的。本发明系在含有碳之铝合金薄膜中，其特征在于：含有0.5~7.0at%之镍、钴、铁中至少一种以上的元素与0.1~3.0at%之碳，剩下部分为铝。然后，更含有0.5~2.0at%之硅来作为铝合金薄膜。

96. 发明专利

TW200509761A 具有極薄接著劑層之銅箔、以及該具有極薄接著劑層之銅箔的製造方法审中-公开
简体标题：具有极薄接着剂层之铜箔、以及该具有极薄接着剂层之铜箔的制造方法
公开(公告)号：TW200509761A
公开(公告)日：2005-03-01
申请号：TW093120200
申请日：2004-07-06
申请人：三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人：佐藤哲朗 SATO, TETSURO , 松島敏文 MATSUSHIMA, TOSHIFUMI
IPC分类号： H05K
CPC分类号： H05K3/386 , H05K3/389 , H05K2201/0358 , Y10T428/12431 , Y10T428/26 , Y10T428/265 , Y10T428/31522 , Y10T428/31529 , Y10T428/31678 , Y10T428/31681
摘要：本發明之目的係為未施加粗化處理之印刷線路板用之有極薄接著劑層之銅箔。為達成此目的，一種印刷線路板用之有極薄接著劑層之銅箔1，係設置有用以確保未施加粗化處理銅箔3一側面與樹脂基材間良好緊密貼合性的極薄底漆樹脂層的銅箔，其特徵係於該未施加粗化處理銅箔之表面粗糙度(Rz)為2微米以下的表面上具有矽烷耦合劑層2，且於此矽烷耦合劑層2之上具有換算厚度為1～5微米的極薄底漆樹脂層4。
简体摘要：本发明之目的系为未施加粗化处理之印刷线路板用之有极薄接着剂层之铜箔。为达成此目的，一种印刷线路板用之有极薄接着剂层之铜箔1，系设置有用以确保未施加粗化处理铜箔3一侧面与树脂基材间良好紧密贴合性的极薄底漆树脂层的铜箔，其特征系于该未施加粗化处理铜箔之表面粗糙度(Rz)为2微米以下的表面上具有硅烷耦合剂层2，且于此硅烷耦合剂层2之上具有换算厚度为1～5微米的极薄底漆树脂层4。

97. 发明专利

TW200508375A 含有氟之鈰系研磨材料及其製造方法 CERIUM-BASED ABRASIVE CONTAINING FLUORINE AND METHOD OF PRODUCING THE SAME 审中-公开
简体标题：含有氟之铈系研磨材料及其制造方法 CERIUM-BASED ABRASIVE CONTAINING FLUORINE AND METHOD OF PRODUCING THE SAME
公开(公告)号：TW200508375A
公开(公告)日：2005-03-01
申请号：TW093119008
申请日：2004-06-29
申请人：三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人：望月直義 MOCHIZUKI, NAOYOSHI , 小林大作 KOBAYASHI, DAISAKU , 下河原明 SHIMOGAWARA, AKIRA , 山崎秀彥 YAMASAKI, HIDEHIKO , 堂本幸輝 DOMOTO, YOSHITERU
IPC分类号： C09K , C09G
摘要：本發明之鈰系研磨材料係含有氟，全稀土類氧化物換算質量(TREO)相對於研磨材料質量之質量比成為90wt%以上，Th和U之合計含有量相對於該TREO之質量比((Th+U)/TREO)成為0.05wt%以下，布萊恩法平均粒徑(DB)成為1.5μm～2.5μm。進行以布萊恩法平均粒徑(DB)作為基準之粒徑設定之鈰系研磨材料係控制研磨材料粒子之粒度分布而確保必要之研磨速度。因此，在鈰系研磨材料製造時，在使用布萊恩法平均粒徑(DB)於粒度設定基準時，得到減低釷或鈾等之含有率並且具有高研磨速度的鈰系研磨材料。
简体摘要：本发明之铈系研磨材料系含有氟，全稀土类氧化物换算质量(TREO)相对于研磨材料质量之质量比成为90wt%以上，Th和U之合计含有量相对于该TREO之质量比((Th+U)/TREO)成为0.05wt%以下，布莱恩法平均粒径(DB)成为1.5μm～2.5μm。进行以布莱恩法平均粒径(DB)作为基准之粒径设置之铈系研磨材料系控制研磨材料粒子之粒度分布而确保必要之研磨速度。因此，在铈系研磨材料制造时，在使用布莱恩法平均粒径(DB)于粒度设置基准时，得到减低钍或铀等之含有率并且具有高研磨速度的铈系研磨材料。

98. 发明专利

TW200426206A 鈰系研磨材料 CERIUM-BASED ABRASIVE 审中-公开
简体标题：铈系研磨材料 CERIUM-BASED ABRASIVE
公开(公告)号：TW200426206A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：TW093104559
申请日：2004-02-24
申请人：三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人：黑田英男 KURODA, HIDEO , 山口靖英 YAMAGUCHI, YASUHIDE , 渡邊廣幸 WATANABE, HIROYUKI , 桑原滋 KUWABARA, SHIGERU
IPC分类号： C09K , C09G
CPC分类号： C09K3/1409
摘要：以提供研磨速度更高、刮傷的發生更少的鈰系研磨材料為課題。本發明之鈰系研磨材料，除了含氟以外、稀土類元素至少含有鈰(Ce)、鑭(La)、鐠(Pr)及釹(Nd)、以稀土類氧化物為主成分，其特徵在於，氧化釹佔全稀土類氧化物(TREO)的含有量之重量比例(Nd2O3／TREO)在0.001重量％～5重量％。使用該研磨材來研磨玻璃等的研磨對象面，與使用以往的鈰系研磨材料之情形相比，可以用更短的時間完成研磨。且可以更確實地抑制研磨所得的研磨面上刮傷的發生。
简体摘要：以提供研磨速度更高、刮伤的发生更少的铈系研磨材料为课题。本发明之铈系研磨材料，除了含氟以外、稀土类元素至少含有铈(Ce)、镧(La)、镨(Pr)及钕(Nd)、以稀土类氧化物为主成分，其特征在于，氧化钕占全稀土类氧化物(TREO)的含有量之重量比例(Nd2O3／TREO)在0.001重量％～5重量％。使用该研磨材来研磨玻璃等的研磨对象面，与使用以往的铈系研磨材料之情形相比，可以用更短的时间完成研磨。且可以更确实地抑制研磨所得的研磨面上刮伤的发生。

99. 发明专利

TW593720B 鋁系合金靶材之製造方法及由此方法所衍之鋁系合金靶材失效
简体标题：铝系合金靶材之制造方法及由此方法所衍之铝系合金靶材
公开(公告)号：TW593720B
公开(公告)日：2004-06-21
申请号：TW091106603
申请日：2002-04-02
申请人：三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人：久保田高史 KUBOTA, TAKASHI , 渡邊弘 WATANABE, HIROSHI , 松前和男 MATSUMAE, KAZUO , 加藤和照 KATO, KAZUTERU
IPC分类号： C23C , C22C
摘要：〔課題〕
提供一種鋁母相中的鋁－碳相不致產生較大的偏析而能夠很容易地得到細微析出的鋁合金靶材之製造技術。〔解決手段〕
對於鋁中含有碳的鋁系合金靶材之製造方法係，於碳坩堝中置入鋁並加熱至1600~2500℃，將鋁熔融而於碳坩堝中生成鋁－碳合金，經由冷卻凝固該熔融合金，形成鋁－碳相均勻而細微分散於鋁母相中的鋁－碳合金。或者，將此鋁－碳合金再熔融，加入鎂等的添加元素，攪拌後製成鑄件。
简体摘要：〔课题〕提供一种铝母相中的铝－碳相不致产生较大的偏析而能够很容易地得到细微析出的铝合金靶材之制造技术。〔解决手段〕对于铝中含有碳的铝系合金靶材之制造方法系，于碳坩埚中置入铝并加热至1600~2500℃，将铝熔融而于碳坩埚中生成铝－碳合金，经由冷却凝固该熔融合金，形成铝－碳相均匀而细微分散于铝母相中的铝－碳合金。或者，将此铝－碳合金再熔融，加入镁等的添加元素，搅拌后制成铸件。

100. 发明专利

TW593718B 光記錄保護膜形成用濺鍍靶裝置及其製造方法失效
简体标题：光记录保护膜形成用溅镀靶设备及其制造方法
公开(公告)号：TW593718B
公开(公告)日：2004-06-21
申请号：TW089106792
申请日：2000-04-12
申请人：三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人：高井惠一 , 瀨戶康博 , 渡邊弘
IPC分类号： C23C , G11B
摘要：本發明之光記錄保護膜形成用濺鍍靶，其係包括ZnS與 SiO2，其特徵在於：經過濺鍍後之表面粗度(Ra)為未達2.4。
简体摘要：本发明之光记录保护膜形成用溅镀靶，其系包括ZnS与 SiO2，其特征在于：经过溅镀后之表面粗度(Ra)为未达2.4。

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