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1. 发明专利

TWI492519B 電感電容式壓控振盪器電路有权
简体标题：电感电容式压控振荡器电路
公开(公告)号：TWI492519B
公开(公告)日：2015-07-11
申请号：TW101114940
申请日：2012-04-26
申请人：聯詠科技股份有限公司 , NOVATEK MICROELECTRONICS CORP.
发明人：陳志宏 , CHEN, CHIH HUNG
IPC分类号： H03B5/12
CPC分类号： H03B5/00 , H03B5/1215 , H03B5/1228 , H03B5/1234 , H03B5/1278

2. 发明专利

TWI420877B 用於產生時鐘信號之裝置及系統、以及調整壓控震盪器的頻率之方法有权
简体标题：用于产生时钟信号之设备及系统、以及调整压控震荡器的频率之方法
公开(公告)号：TWI420877B
公开(公告)日：2013-12-21
申请号：TW098104065
申请日：2009-02-09
申请人：英特爾公司 , INTEL CORPORATION
发明人：高茂賓 , GAO, MIAOBIN , 薛玉利 , HSUEH, YU LI , 劉千璋 , LIU, CHIEN CHANG
IPC分类号： H04L7/033 , H03B7/06
CPC分类号： H03L7/0891 , H03B5/1215 , H03B5/1228 , H03B5/124 , H03B5/1271 , H03B5/1293 , H03L7/089 , H03L7/099

3. 发明专利

TW201115905A 可組態之寬調控範圍振盪器核心 CONFIGURABLE WIDE TUNING RANGE OSCILLATOR CORE 审中-公开
简体标题：可组态之宽调控范围振荡器内核 CONFIGURABLE WIDE TUNING RANGE OSCILLATOR CORE
公开(公告)号：TW201115905A
公开(公告)日：2011-05-01
申请号：TW099119803
申请日：2010-06-17
申请人：高通公司
发明人：雷恩加瑞真瑞迦格帕雷恩 , 米希瑞奇恩瑪亞
IPC分类号： H03B
CPC分类号： H03B5/1228 , H03B5/1215 , H03B5/1225 , H03B5/1243 , H03B5/1265 , H03B5/1268
摘要：本發明揭示一種振盪器,其包括一諧振器、一第一p型電晶體及一第二p型電晶體,以及一第一n型電晶體及一第二n型電晶體。該諧振器具有一第一端子及一第二端子。該第一p型電晶體可切換地連接至該第一端子,而該第二p型電晶體可切換地連接至該第二端子。該第一n型電晶體之一第一汲極及該第二n型電晶體之第二汲極分別電連接至該第一端子及該第二端子。該振盪器能夠在一僅NMOS模式下及在一CMOS模式下操作。
简体摘要：本发明揭示一种振荡器,其包括一谐振器、一第一p型晶体管及一第二p型晶体管,以及一第一n型晶体管及一第二n型晶体管。该谐振器具有一第一端子及一第二端子。该第一p型晶体管可切换地连接至该第一端子,而该第二p型晶体管可切换地连接至该第二端子。该第一n型晶体管之一第一汲极及该第二n型晶体管之第二汲极分别电连接至该第一端子及该第二端子。该振荡器能够在一仅NMOS模式下及在一CMOS模式下操作。

4. 发明专利

TW201039551A 多除頻模式毫米波除頻電路 MILLIMETER WAVE FREQUENCY DIVIDER CIRCUIT OF MULTI FREQUENCY DIVIDING MODE 审中-公开
简体标题：多除频模式毫米波除频电路 MILLIMETER WAVE FREQUENCY DIVIDER CIRCUIT OF MULTI FREQUENCY DIVIDING MODE
公开(公告)号：TW201039551A
公开(公告)日：2010-11-01
申请号：TW098113290
申请日：2009-04-22
申请人：國立臺灣大學
发明人：呂學士 , 陳憲穀
IPC分类号： H03D , H03L
CPC分类号： H03B19/14 , H03B5/1215 , H03B5/1228 , H03B5/124 , H03B2200/0034 , H03B2200/0074 , H03L7/18
摘要：一種多除頻模式毫米波除頻電路,其可應用於整合至一毫米波之電路系統,例如為鎖相迴路,用以提供一多模式之除頻功能。於實際應用上,此多除頻模式毫米波除頻電路可提供至少3個除頻操作模式,包括除2、除3、和除4之除頻操作模式。於實際應用上,此多除頻模式毫米波除頻電路例如可整合至毫米波之鎖相迴路,令鎖相迴路可提供一多頻段之頻率合成功能,例如可提供包括38GHZ、60GHZ、和77GHZ的頻率合成功能,但於具體實施上可使用較小的電路佈局面積及操作功率。
简体摘要：一种多除频模式毫米波除频电路,其可应用于集成至一毫米波之电路系统,例如为锁相回路,用以提供一多模式之除频功能。于实际应用上,此多除频模式毫米波除频电路可提供至少3个除频操作模式,包括除2、除3、和除4之除频操作模式。于实际应用上,此多除频模式毫米波除频电路例如可集成至毫米波之锁相回路,令锁相回路可提供一多频段之频率合成功能,例如可提供包括38GHZ、60GHZ、和77GHZ的频率合成功能,但于具体实施上可使用较小的电路布局面积及操作功率。

5. 发明专利

TW201010051A 半導體積體電路裝置 SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE 失效
简体标题：半导体集成电路设备 SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE
公开(公告)号：TW201010051A
公开(公告)日：2010-03-01
申请号：TW098124584
申请日：2009-07-21
申请人：東芝股份有限公司
发明人：宮下大輔
IPC分类号： H01L , H03L
CPC分类号： H03B5/1228 , H03B5/1215 , H03B5/1225 , H03B5/1243 , H03B5/1265
摘要：半導體積體電路裝置包括：多個第1閘極，分別具有自第1主動區域突出的第1突出部；多個第2閘極，分別具有自與第1主動區域相鄰接的第2主動區域，朝與第1突出部的突出方向相反的方向突出的第2突出部；第2共用配線，形成於多個第1閘極的第1突出部上及第2主動區域的所有汲極上，且將多個第1閘極與第2主動區域的所有汲極加以連接；及第3共用配線，形成於多個第2閘極的第2突出部及第1主動區域的所有汲極上，且將多個第2閘極與第1主動區域的所有汲極加以連接；藉此來使將差動結構的閘極與汲極交叉耦合的配線的寄生電阻減小。
简体摘要：半导体集成电路设备包括：多个第1闸极，分别具有自第1主动区域突出的第1突出部；多个第2闸极，分别具有自与第1主动区域相邻接的第2主动区域，朝与第1突出部的突出方向相反的方向突出的第2突出部；第2共享配线，形成于多个第1闸极的第1突出部上及第2主动区域的所有汲极上，且将多个第1闸极与第2主动区域的所有汲极加以连接；及第3共享配线，形成于多个第2闸极的第2突出部及第1主动区域的所有汲极上，且将多个第2闸极与第1主动区域的所有汲极加以连接；借此来使将差动结构的闸极与汲极交叉耦合的配线的寄生电阻减小。

6. 发明专利

TW200950309A 共振器電路及其所應用之電壓控制振盪器 RESONATOR CIRCUIT AND VOLTAGE-CONTROLLED OSCILLATOR USING THE SAME 审中-公开
简体标题：共振器电路及其所应用之电压控制振荡器 RESONATOR CIRCUIT AND VOLTAGE-CONTROLLED OSCILLATOR USING THE SAME
公开(公告)号：TW200950309A
公开(公告)日：2009-12-01
申请号：TW097118612
申请日：2008-05-21
申请人：雷凌科技股份有限公司
发明人：楊岱原
IPC分类号： H03B
CPC分类号： H01P7/005 , H03B5/1215 , H03B5/1228 , H03B5/1268 , H03B2200/0048 , H03B2201/0216
摘要：一種應用於電壓控制振盪器之共振器電路，連接於一第一端點和一第二端點之間，包含一開關和一具有多圈數環繞之電感佈線。該開關連接該第一端點和一第三端點。該具有多圈數環繞之電感佈線由一最外圈接點環繞一中心，經過一中圈接點至一最內圈接點。該最外圈接點連接至該第一端點。該中圈接點連接至該第三端點。該最內圈接點連接至該第二端點。
简体摘要：一种应用于电压控制振荡器之共振器电路，连接于一第一端点和一第二端点之间，包含一开关和一具有多圈数环绕之电感布线。该开关连接该第一端点和一第三端点。该具有多圈数环绕之电感布线由一最外圈接点环绕一中心，经过一中圈接点至一最内圈接点。该最外圈接点连接至该第一端点。该中圈接点连接至该第三端点。该最内圈接点连接至该第二端点。

7. 发明专利

TWI311854B 對稱化壓控振盪器系統 HIGHLY-LINEAR SIGNAL-MODULATED VOLTAGE CONTROLLED OSCILLATOR 有权
简体标题：对称化压控振荡器系统 HIGHLY-LINEAR SIGNAL-MODULATED VOLTAGE CONTROLLED OSCILLATOR
公开(公告)号：TWI311854B
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：TW094119391
申请日：2005-06-10
申请人：威盛電子股份有限公司 VIA TECHNOLOGIES INC.
发明人：施博議 SZE, BOUR-YI , 何志龍 HO, CHIH-LONG , 鄭念祖 CHENG, NEAN-CHU
IPC分类号： H03B
CPC分类号： H03L7/10 , H03B5/1212 , H03B5/1215 , H03B5/1228 , H03B5/1243 , H03B5/1265 , H03B2201/0266 , H03C3/0958 , H03J5/244 , H03L7/099 , H03L2207/06
摘要：本發明係為一種壓控振盪器系統包括一頻率調諧電路、一調變電路與該頻率調諧電路並接,具有至少一切換電路之一頻帶調諧電路,和該頻率調諧電路並連,一核心電路,連接該頻率調諧電路,該調變電路,及該頻帶調諧電路,其中在確認切換訊號,同時調整頻率調諧訊號,頻率調諧偏壓訊號和頻帶調諧訊號後,可使切換電路啓動頻帶調諧電路,以配合頻率調諧電路,決定預設的輸出頻率,該輸出頻率係取決於該核心電路,該頻率調諧電路,該調變電路及該頻帶調諧電路之總電感及總電容。
简体摘要：本发明系为一种压控振荡器系统包括一频率调谐电路、一调制电路与该频率调谐电路并接,具有至少一切换电路之一频带调谐电路,和该频率调谐电路并连,一内核电路,连接该频率调谐电路,该调制电路,及该频带调谐电路,其中在确认切换信号,同时调整频率调谐信号,频率调谐偏压信号和频带调谐信号后,可使切换电路启动频带调谐电路,以配合频率调谐电路,决定默认的输出频率,该输出频率系取决于该内核电路,该频率调谐电路,该调制电路及该频带调谐电路之总电感及总电容。

8. 发明专利

TW200922137A 電晶體壓控振盪器审中-公开
简体标题：晶体管压控振荡器
公开(公告)号：TW200922137A
公开(公告)日：2009-05-16
申请号：TW096143169
申请日：2007-11-15
申请人：國立臺灣大學 NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY
发明人：鄧平援 DENG, PING YUAN , 江簡富 KIANG, JEAN FU
IPC分类号： H03K
CPC分类号： H03B5/1215 , H03B5/1228 , H03B5/1243 , H03B2201/0208
摘要：一種電晶體壓控振盪器,本發明揭露之電晶體壓控振盪器,於原本一包含第一電晶體與第二電晶體之交叉耦合式電感電容槽(LC-tank)電晶體壓控振盪電路,搭配一包含第三電晶體與第四電晶體之電晶體倍頻電路。首先將第一閘極連接第二汲極,第二閘極連接第一汲極;復使第三源極連接第一源極,第四源極連接第二源極;最後將第三閘極連接第四閘極,第三汲極連接第四汲極。如此可使原本存在於第一電晶體之寄生電容與原本存在於第二電晶體之寄生電容透過電晶體倍頻電路產生類似電容串聯之效果。該電容串聯效果使本壓控振盪器之總電容値降低,以提升該壓控振盪電路之工作頻率,復使得電路得以操作於更高之頻率。
简体摘要：一种晶体管压控振荡器,本发明揭露之晶体管压控振荡器,于原本一包含第一晶体管与第二晶体管之交叉耦合式电感电容槽(LC-tank)晶体管压控振荡电路,搭配一包含第三晶体管与第四晶体管之晶体管倍频电路。首先将第一闸极连接第二汲极,第二闸极连接第一汲极;复使第三源极连接第一源极,第四源极连接第二源极;最后将第三闸极连接第四闸极,第三汲极连接第四汲极。如此可使原本存在于第一晶体管之寄生电容与原本存在于第二晶体管之寄生电容透过晶体管倍频电路产生类似电容串联之效果。该电容串联效果使本压控振荡器之总电容値降低,以提升该压控振荡电路之工作频率,复使得电路得以操作于更高之频率。

9. 发明专利

TW200847639A 透過電壓控制振盪之次毫米波信號產生技術 SUBMILLIMETER-WAVE SIGNAL GENERATION THROUGH VOLTAGE CONTROLLED OSCILLATION (VCO) 审中-公开
简体标题：透过电压控制振荡之次毫米波信号产生技术 SUBMILLIMETER-WAVE SIGNAL GENERATION THROUGH VOLTAGE CONTROLLED OSCILLATION (VCO)
公开(公告)号：TW200847639A
公开(公告)日：2008-12-01
申请号：TW097113465
申请日：2008-04-14
申请人：加州大學董事會 THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA
发明人：黃達坤 HUANG, DAQUAN , 張茂重 CHANG, MAU-CHUNG FRANK , 拉洛卡提姆 LAROCCA, TIM
IPC分类号： H03L
CPC分类号： H03B27/00 , H03B5/1215 , H03B5/1228 , H03B5/1243 , H03B5/1293 , H03B2200/0078
摘要：對於通訊、成像及光譜系統,包括隱蔽物體檢測而言,產生兆赫(Terahertz)範圍(300GHz到3THz)頻率越來越重要。設備與方法描述了產生多重相位信號,該等多重相位信號在一基本頻率處被鎖相,然後被交錯成具有是該基本頻率之一倍數的一輸出。例如,相位產生器包含用於產生一所欲數目的被鎖相的輸出相位的交叉耦合電晶體(例如NMOS)與扭轉耦合電晶體(NMOS)。包含一跨導級與B類放大器的一整流交錯器將該等相位疊加成一輸出信號。本發明允許頻率輸出超過諸如CMOS之一給定裝置技術的最大振盪頻率,其中具有4GHz調諧範圍的一324GHz VCO在90nm數位CMOS中被實現。
简体摘要：对于通信、成像及光谱系统,包括隐蔽物体检测而言,产生兆赫(Terahertz)范围(300GHz到3THz)频率越来越重要。设备与方法描述了产生多重相位信号,该等多重相位信号在一基本频率处被锁相,然后被交错成具有是该基本频率之一倍数的一输出。例如,相位产生器包含用于产生一所欲数目的被锁相的输出相位的交叉耦合晶体管(例如NMOS)与扭转耦合晶体管(NMOS)。包含一跨导级与B类放大器的一整流交错器将该等相位叠加成一输出信号。本发明允许频率输出超过诸如CMOS之一给定设备技术的最大振荡频率,其中具有4GHz调谐范围的一324GHz VCO在90nm数码CMOS中被实现。

10. 发明专利

TW200737733A 振盪器增益等化 OSCILLATOR GAIN EQUALIZATION 审中-公开
简体标题：振荡器增益等化 OSCILLATOR GAIN EQUALIZATION
公开(公告)号：TW200737733A
公开(公告)日：2007-10-01
申请号：TW096102724
申请日：2007-01-24
申请人： LM艾瑞克生(PUBL)電話公司 TELEFONAKTIEBOLAGET L M ERICSSON (PUBL)
发明人：羅德史汀柏格 STRANDBERG, ROLAND
IPC分类号： H03L
CPC分类号： H03L7/099 , H03B5/04 , H03B5/1215 , H03B5/1228 , H03B5/1243 , H03B5/1265 , H03L7/18 , H03L2207/06
摘要：本發明揭示一種受控振盪器,其產生具有可藉由輸入信號來控制的一頻率之一輸出信號。該振盪器包含一可切換可變電容器配置,其用於調諧該受控振盪器之一輸出頻率;以及電路,其與該可切換可變電容器配置組合而產生一振盪信號,該信號的頻率至少部分係該可切換可變電容器配置之一總電容之一函數。該可切換可變電容器配置包含複數個可變電容器,每個電容器可藉由一調諧控制信號及一切換配置而進行調諧,該配置在一或多個開關控制信號之控制下選擇性地開啓或關閉至該等可變電容器之一或多個的電性路徑,其中藉由該等一或多個開關控制信號之狀態來控制貢獻該可切換可變電容器配置之總電容的可變電容器之數目。
简体摘要：本发明揭示一种受控振荡器,其产生具有可借由输入信号来控制的一频率之一输出信号。该振荡器包含一可切换可变电容器配置,其用于调谐该受控振荡器之一输出频率;以及电路,其与该可切换可变电容器配置组合而产生一振荡信号,该信号的频率至少部分系该可切换可变电容器配置之一总电容之一函数。该可切换可变电容器配置包含复数个可变电容器,每个电容器可借由一调谐控制信号及一切换配置而进行调谐,该配置在一或多个开关控制信号之控制下选择性地开启或关闭至该等可变电容器之一或多个的电性路径,其中借由该等一或多个开关控制信号之状态来控制贡献该可切换可变电容器配置之总电容的可变电容器之数目。

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