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1. 发明专利

TWI585897B 在基材中做電貫穿接點的方法以及具有電貫穿接點的基材有权
简体标题：在基材中做电贯穿接点的方法以及具有电贯穿接点的基材
公开(公告)号：TWI585897B
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW100128631
申请日：2011-08-11
申请人：羅伯特博斯奇股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
发明人：蘭穆斯猶根 , REINMUTH, JOCHEN
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/48
CPC分类号： H01L21/76898 , B81B3/0086 , B81B2201/0264 , B81B2207/096 , G01L9/0042 , G01L19/0076 , H01L21/7682 , H01L23/481 , H01L2924/0002 , Y10T29/49165 , H01L2924/00

2. 发明专利

TW201614186A 應變檢測元件、壓力感測器、麥克風、血壓感測器、及觸控面板审中-公开
简体标题：应变检测组件、压力传感器、麦克风、血压传感器、及触摸皮肤
公开(公告)号：TW201614186A
公开(公告)日：2016-04-16
申请号：TW104121543
申请日：2015-07-02
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：藤慶彦 , FUJI, YOSHIHIKO , 福澤英明 , FUKUZAWA, HIDEAKI , 堀昭男 , HORI, AKIO , 加治志織 , KAJI, SHIORI
IPC分类号： G01B7/16 , G01L9/04 , G01L9/16
CPC分类号： G01L9/16 , G01L9/0042 , G01L9/0044
摘要：一種應變檢測元件提供於一可變形膜片上方。此外，此應變檢測元件包含一電極及一堆疊體，該堆疊體包含：一第一磁性層，其之磁化方向可根據該膜片之一變形而改變；一第二磁性層，其經提供成面對該第一磁性層；及一中間層，其提供於此等第一磁性層與第二磁性層之間，且該第一磁性層之至少部分係非晶系的，且該電極包含由一Cu-Ag合金組態之一金屬層。
简体摘要：一种应变检测组件提供于一可变形膜片上方。此外，此应变检测组件包含一电极及一堆栈体，该堆栈体包含：一第一磁性层，其之磁化方向可根据该膜片之一变形而改变；一第二磁性层，其经提供成面对该第一磁性层；及一中间层，其提供于此等第一磁性层与第二磁性层之间，且该第一磁性层之至少部分系非晶系的，且该电极包含由一Cu-Ag合金组态之一金属层。

3. 发明专利

TW201314773A 矽化物間隙薄膜電晶體审中-公开
简体标题：硅化物间隙薄膜晶体管
公开(公告)号：TW201314773A
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW101130703
申请日：2012-08-23
申请人：高通微機電系統科技公司 , QUALCOMM MEMS TECHNOLOGIES, INC.
发明人：洪約翰元丘 , HONG, JOHN HYUNCHUL , 李瓊厄克 , LEE, CHONG UK
IPC分类号： H01L21/311 , G02B26/00 , B81C1/00 , H01L27/12 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/4908 , G01L9/0042 , G01L9/0098 , H01L29/66757 , H01L29/78648
摘要：本發明提供用於製造薄膜電晶體裝置之系統、方法及設備。在一態樣中，提供一基板，該基板包含基板表面上之一矽層。在該矽層上形成一金屬層。在該金屬層及該基板表面之曝露區域上形成一第一介電層。處理該金屬層及該矽層，且該金屬層與該矽層反應以形成矽化物層及介於該矽化物層與該介電層之間之一間隙。在該第一介電層上形成一非晶矽層。加熱及冷卻該非晶矽層。上覆於該基板表面之該非晶矽層以快於上覆於該間隙之該非晶矽層之一速率冷卻。
简体摘要：本发明提供用于制造薄膜晶体管设备之系统、方法及设备。在一态样中，提供一基板，该基板包含基板表面上之一硅层。在该硅层上形成一金属层。在该金属层及该基板表面之曝露区域上形成一第一介电层。处理该金属层及该硅层，且该金属层与该硅层反应以形成硅化物层及介于该硅化物层与该介电层之间之一间隙。在该第一介电层上形成一非晶硅层。加热及冷却该非晶硅层。上覆于该基板表面之该非晶硅层以快于上覆于该间隙之该非晶硅层之一速率冷却。

4. 发明专利

TW201140017A 壓力感測器及製造壓力感測器之方法 PRESSURE SENSOR AND PROCESS FOR PRODUCING A PRESSURE SENSOR 审中-公开
简体标题：压力传感器及制造压力传感器之方法 PRESSURE SENSOR AND PROCESS FOR PRODUCING A PRESSURE SENSOR
公开(公告)号：TW201140017A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：TW099144154
申请日：2010-12-16
申请人： EPCOS AG集團股份公司
发明人：歐司翠克伯恩哈德 , 諾瓦克波吉特 , 皮斯傑卡安德烈斯
IPC分类号： G01L
CPC分类号： G01L9/0048 , G01L9/0042 , G01L9/0054 , G01L19/0627
摘要：本發明提供一種具有可受介質壓力之作用而變形之壓阻隔膜(2)之壓力感測器(1)。在載體基板(3)上裝設該隔膜(2)且延伸至該載體基板(3)內的開口(32)。該壓力感測器(1)具有保護層(4),以保護該隔膜(2)避免與介質直接接觸。該保護層(4)係覆蓋位於該開口(32)內部之第一區域(28)及位於該開口(32)外部之第二區域(29)兩者之該隔膜(2)。此外,提供一種用以製造壓力感測器(1)之製程,其中,於蝕刻製程時該保護層(4)形成蝕刻停止層。
简体摘要：本发明提供一种具有可受介质压力之作用而变形之压阻隔膜(2)之压力传感器(1)。在载体基板(3)上装设该隔膜(2)且延伸至该载体基板(3)内的开口(32)。该压力传感器(1)具有保护层(4),以保护该隔膜(2)避免与介质直接接触。该保护层(4)系覆盖位于该开口(32)内部之第一区域(28)及位于该开口(32)外部之第二区域(29)两者之该隔膜(2)。此外,提供一种用以制造压力传感器(1)之制程,其中,于蚀刻制程时该保护层(4)形成蚀刻停止层。

5. 发明专利

TWI327769B 壓差感測元件構裝結構及其製造方法 A PACKAGING STRUCTURE OF PRESSURE SENSOR AND A METHOD THEREFOR 有权
简体标题：压差传感组件构装结构及其制造方法 A PACKAGING STRUCTURE OF PRESSURE SENSOR AND A METHOD THEREFOR
公开(公告)号：TWI327769B
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：TW095150069
申请日：2006-12-29
申请人：財團法人工業技術研究院
发明人：陳榮泰 , 朱俊勳 , 謝文樂
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/3185 , G01L9/0042 , G01L19/141 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/12044 , H01L2924/1461 , H01L2924/1815 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：本發明揭示一種壓差感測元件構裝結構及其製造方法，其製造方法與結構包含：提供至少一壓差感測元件，其壓差感測元件具有一主動表面與一背面，主動表面具有一作用區域，背面形成一凹穴，再形成一犧牲層於作用區域表面上，再將壓差感測元件黏結並電性耦接於一載體之一表面上，載體具有至少一通孔對應於壓差感測元件之凹穴，接著形成至少一封膠體以包覆載體及壓差感測元件，但暴露出通孔區域及犧牲層之上表面，再以溶劑自然分解犧牲層，使壓差感測元件作用區域外露而與大氣環境接觸，配合通孔而形成一壓差感測元件構裝結構。
简体摘要：本发明揭示一种压差传感组件构装结构及其制造方法，其制造方法与结构包含：提供至少一压差传感组件，其压差传感组件具有一主动表面与一背面，主动表面具有一作用区域，背面形成一凹穴，再形成一牺牲层于作用区域表面上，再将压差传感组件黏结并电性耦接于一载体之一表面上，载体具有至少一通孔对应于压差传感组件之凹穴，接着形成至少一封胶体以包覆载体及压差传感组件，但暴露出通孔区域及牺牲层之上表面，再以溶剂自然分解牺牲层，使压差传感组件作用区域外露而与大气环境接触，配合通孔而形成一压差传感组件构装结构。

6. 发明专利

TW200926864A 感測薄膜及應用其之微機電系統裝置 SENSING MEMBRANE AND MICRO-ELECTRO-MECHANICAL SYSTEM DEVICE USING THE SAME 审中-公开
简体标题：传感薄膜及应用其之微机电系统设备 SENSING MEMBRANE AND MICRO-ELECTRO-MECHANICAL SYSTEM DEVICE USING THE SAME
公开(公告)号：TW200926864A
公开(公告)日：2009-06-16
申请号：TW096148032
申请日：2007-12-14
申请人：財團法人工業技術研究院 INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：吳嘉昱 WU, CHIA YU , 陳建銘 CHEN, JIEN MING
IPC分类号： H04R , B81B
CPC分类号： H04R19/005 , B81B3/0072 , B81B2201/0257 , G01L9/0042
摘要：一種應用於一微機電系統裝置中之感測薄膜,包括一本體、一應力分散結構以及一連接部。應力分散結構係圍繞本體,用以分散一薄膜殘留應力(residual stress)。應力分散結構具有多個第一貫穿孔(perforation)及多個第二貫穿孔,第一貫穿孔位於本體與第二貫穿孔之間。連接部係連接應力分散結構及微機電系統裝置之一基板。
简体摘要：一种应用于一微机电系统设备中之传感薄膜,包括一本体、一应力分散结构以及一连接部。应力分散结构系围绕本体,用以分散一薄膜残留应力(residual stress)。应力分散结构具有多个第一贯穿孔(perforation)及多个第二贯穿孔,第一贯穿孔位于本体与第二贯穿孔之间。连接部系连接应力分散结构及微机电系统设备之一基板。

7. 发明专利

TW200411155A 隔離型壓力微感測器 ISOLATED MICRO PRESSURE SENSOR 失效
简体标题：隔离型压力微传感器 ISOLATED MICRO PRESSURE SENSOR
公开(公告)号：TW200411155A
公开(公告)日：2004-07-01
申请号：TW092121467
申请日：2003-08-06
申请人：財團法人工業技術研究院 INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：歐永炯 OU, YEONG JEONG , 邢泰剛 SHING, TAI KANG , 賈斯汀克拉克 JUSTIN CLARK , 楊各祥 YANG, KE SHIENG , 鍾正煦 CHUN, JENG SHIE
IPC分类号： G01L
CPC分类号： G01L9/0042 , G01L9/0054
摘要：本發明係有關於一種隔離型壓力微感測器與其製造方法。製造方法包括有以下步驟：(a)蝕刻一基板之第一上表面，形成一阻隔牆，於阻隔牆周圍形成有複數個平底板，並於阻隔牆內形成一凹槽；(b)於阻隔牆外平底板形成有複數個第一接觸點；(c)一矽晶圓含有第二上表面，其上形成有複數個第二接觸點，複數個壓電電阻，溫度感測器，溫度控制元件，以及電路式樣；(d)於矽晶圓周邊形成有複數個溝槽；(e)接合基板與矽晶圓，使基板上阻隔牆頂面與矽晶圓之的第二上表面相接；(f)削薄矽晶圓使其形成一薄膜。
简体摘要：本发明系有关于一种隔离型压力微传感器与其制造方法。制造方法包括有以下步骤：(a)蚀刻一基板之第一上表面，形成一阻隔墙，于阻隔墙周围形成有复数个平底板，并于阻隔墙内形成一凹槽；(b)于阻隔墙外平底板形成有复数个第一接触点；(c)一硅晶圆含有第二上表面，其上形成有复数个第二接触点，复数个压电电阻，温度传感器，温度控件，以及电路式样；(d)于硅晶圆周边形成有复数个沟槽；(e)接合基板与硅晶圆，使基板上阻隔墙顶面与硅晶圆之的第二上表面相接；(f)削薄硅晶圆使其形成一薄膜。

8. 发明专利

TW201726539A 微機電系統裝置的形成方法审中-公开
简体标题：微机电系统设备的形成方法
公开(公告)号：TW201726539A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105134370
申请日：2016-10-25
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：張凱峯 , CHANG, KAI-FUNG , 呂聯沂 , LEU, LEN-YI , 蔡連堯 , TSAI, LIEN-YAO
IPC分类号： B81B7/00 , B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00158 , B81B3/0021 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2207/09 , B81C2203/0109 , B81C2203/0172 , G01L9/0042 , G01L9/0073 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L2224/80805 , H01L2224/81805
摘要：一種微機電系統裝置及其形成方法被提出。圖案化一第一基板的一介電層以暴露出多個導電特徵與一貫穿介電層的底部層。一第二基板的一第一表面接合至介電層，且圖案化第二基板以形成一薄膜與一可動件。一封蓋用晶圓接合至第二基板，其中接合封蓋用晶圓至第二基板形成一包括可動件的第一密封腔體與一部分界限由薄膜來界定的第二密封腔體。封蓋用晶圓的部分被移除以暴露第二密封腔體至環境壓力。
简体摘要：一种微机电系统设备及其形成方法被提出。图案化一第一基板的一介电层以暴露出多个导电特征与一贯穿介电层的底部层。一第二基板的一第一表面接合至介电层，且图案化第二基板以形成一薄膜与一可动件。一封盖用晶圆接合至第二基板，其中接合封盖用晶圆至第二基板形成一包括可动件的第一密封腔体与一部分界限由薄膜来界定的第二密封腔体。封盖用晶圆的部分被移除以暴露第二密封腔体至环境压力。

9. 发明专利

TW201534883A 微機械壓力感測器裝置及相關製造方法（二）审中-公开
简体标题：微机械压力传感器设备及相关制造方法（二）
公开(公告)号：TW201534883A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW104100928
申请日：2015-01-12
申请人：羅伯特博斯奇股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
发明人：克拉森約翰尼斯 , CLASSEN, JOHANNES
IPC分类号： G01L9/00 , H01L21/30 , H01L23/482 , B81B7/02
CPC分类号： G01L9/0042 , B81B7/0061 , B81B7/02 , B81B2201/025 , B81B2201/0264 , B81C1/00246 , G01L9/0073 , H01L2224/11
摘要：一種微機械壓力感測器裝置及一種相關的製造方法。該微機械壓力感測器裝置包括：具有正面(VS)及背面(RS)之ASIC晶圓(1)；構建於該正面(VS)上之重佈機構(1a)，其包含多個導電通路平面(LB0，LB1，LB2)及位於該等導電通路平面之間的絕緣層(I)；構建於該等多個導電通路平面(LB0，LB1，LB2)的最上方之導電通路平面(LB0)上方的經構造化之絕緣層(6)；構建於該絕緣層(6)上的微機械功能層(2；2")，其具有在該絕緣層(6)之凹槽(A1；A1")上方作為第一偵測電極的可被施加壓力的膜片區域(M；M'；M")；以及以與該凹槽(A1；A1")中之膜片區域(M；M'；M")間隔一定距離之方式構建於該最上方之導電通路平面(LB0)中的第二壓力偵測電極(7；7")，其與該膜片區域(M；M'；M")電絕緣。該膜片區域(M；M'；M")係透過一或多個第一接觸頭(P1，P2；P1"，P2") 與該最上方之導電通路平面(LB0)電連接，該等第一接觸頭穿過該膜片區域(M；M'；M")以及穿過該絕緣層(6)。
简体摘要：一种微机械压力传感器设备及一种相关的制造方法。该微机械压力传感器设备包括：具有正面(VS)及背面(RS)之ASIC晶圆(1)；构建于该正面(VS)上之重布机构(1a)，其包含多个导电通路平面(LB0，LB1，LB2)及位于该等导电通路平面之间的绝缘层(I)；构建于该等多个导电通路平面(LB0，LB1，LB2)的最上方之导电通路平面(LB0)上方的经构造化之绝缘层(6)；构建于该绝缘层(6)上的微机械功能层(2；2")，其具有在该绝缘层(6)之凹槽(A1；A1")上方作为第一侦测电极的可被施加压力的膜片区域(M；M'；M")；以及以与该凹槽(A1；A1")中之膜片区域(M；M'；M")间隔一定距离之方式构建于该最上方之导电通路平面(LB0)中的第二压力侦测电极(7；7")，其与该膜片区域(M；M'；M")电绝缘。该膜片区域(M；M'；M")系透过一或多个第一接触头(P1，P2；P1"，P2") 与该最上方之导电通路平面(LB0)电连接，该等第一接触头穿过该膜片区域(M；M'；M")以及穿过该绝缘层(6)。

10. 发明专利

TW201423073A 電容式壓力感測器及方法审中-公开
简体标题：电容式压力传感器及方法
公开(公告)号：TW201423073A
公开(公告)日：2014-06-16
申请号：TW102135650
申请日：2013-10-02
申请人：羅伯特博斯奇股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
发明人：菲安道 , FEYH, ANDO , 葛拉漢安卓B , GRAHAM, ANDREW B.
IPC分类号： G01L9/00 , G01L9/12
CPC分类号： B81C1/00476 , B81B3/0021 , B81B2201/0264 , B81C1/00182 , G01L9/0042 , G01L9/0073
摘要：於其中一實施例中，本發明提供一種形成MEMS裝置的方法，其包含提供一矽晶圓，該矽晶圓具有一基底層和一位於該基底層的上方表面之上的中間層。一第一電極會被定義在該中間層之中，而一氧化物部分會被提供在該中間層的上方表面之上。一蓋層會被提供在該氧化物部分的上方表面之上，而一第二電極會被定義在該蓋層之中。該方法進一步包含蝕刻該氧化物部分用以形成一腔穴，俾使得當該第二電極與該腔穴突出在該中間層上方時，該突出的第二電極會包圍該突出的腔穴。
简体摘要：于其中一实施例中，本发明提供一种形成MEMS设备的方法，其包含提供一硅晶圆，该硅晶圆具有一基底层和一位于该基底层的上方表面之上的中间层。一第一电极会被定义在该中间层之中，而一氧化物部分会被提供在该中间层的上方表面之上。一盖层会被提供在该氧化物部分的上方表面之上，而一第二电极会被定义在该盖层之中。该方法进一步包含蚀刻该氧化物部分用以形成一腔穴，俾使得当该第二电极与该腔穴突出在该中间层上方时，该突出的第二电极会包围该突出的腔穴。

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