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1. 发明专利

TW202030764A 用以校準掃描帶電粒子顯微鏡之方法审中-公开
简体标题：用以校准扫描带电粒子显微镜之方法
公开(公告)号：TW202030764A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW108148024
申请日：2019-12-27
申请人：荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
发明人：狄倫赫曼紐斯艾德里亞諾斯 , DILLEN, HERMANUS ADRIANUS , 泰爾溫提波 , TEL, WIM TJIBBO , 凡米羅威廉路易斯 , VAN MIERLO, WILLEM LOUIS
IPC分类号： H01J37/28
摘要：本發明提供一種方法，其用以校準一掃描帶電粒子顯微鏡，諸如一掃描電子顯微鏡(SEM)。該方法包括：將一晶圓分割成複數個區域；在該複數個區域中之每一者上製備一圖案，該圖案包括與一第二週期性結構交錯之一第一週期性結構，該第一週期性結構與該第二週期性結構具有一誘發偏移；判定該第一週期性結構與該第二週期性結構之一實際間距，且藉此判定該複數個區域中之每一者上的實際誘發偏移；自該複數個區域當中選擇複數個區域；藉由該SEM量測該複數個區域中之每一者上之第一週期性結構與第二週期性結構的一間距；以及基於該判定及該量測對該SEM執行線性度校準。
简体摘要：本发明提供一种方法，其用以校准一扫描带电粒子显微镜，诸如一扫描电子显微镜(SEM)。该方法包括：将一晶圆分割成复数个区域；在该复数个区域中之每一者上制备一图案，该图案包括与一第二周期性结构交错之一第一周期性结构，该第一周期性结构与该第二周期性结构具有一诱发偏移；判定该第一周期性结构与该第二周期性结构之一实际间距，且借此判定该复数个区域中之每一者上的实际诱发偏移；自该复数个区域当中选择复数个区域；借由该SEM量测该复数个区域中之每一者上之第一周期性结构与第二周期性结构的一间距；以及基于该判定及该量测对该SEM运行线性度校准。

4. 发明专利

TWI694316B 基於缺陷機率的製程窗有权
简体标题：基于缺陷概率的制程窗
公开(公告)号：TWI694316B
公开(公告)日：2020-05-21
申请号：TW107146307
申请日：2018-12-21
申请人：荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
发明人：史拉奇特亞伯拉罕 , SLACHTER, ABRAHAM , 亨奇史蒂芬 , HUNSCHE, STEFAN , 泰爾溫提波 , TEL, WIM TJIBBO , 凡巫斯登安東伯恩哈得 , VAN OOSTEN, ANTON BERNHARD , 范因根史齊橈柯恩拉德 , VAN INGEN SCHENAU, KOENRAAD , 瑞斯朋吉斯博特 , RISPENS, GIJSBERT , 彼得森布洛南 , PETERSON, BRENNAN
IPC分类号： G03F7/20

5. 发明专利

TWI692007B 微影製程和設備及檢測製程和設備有权
简体标题：微影制程和设备及检测制程和设备
公开(公告)号：TWI692007B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：TW108119110
申请日：2017-12-26
申请人：荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
发明人：泰爾溫提波 , TEL, WIM TJIBBO , 卡陶漢斯艾瑞克 , KATTOUW, HANS ERIK , 奧提尼瓦雷利歐 , ALTINI, VALERIO , 莫依司特比爾愛曲 , MOEST, BEARRACH
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20

6. 发明专利

TWI664664B 微影製程和設備及檢測製程和設備有权
简体标题：微影制程和设备及检测制程和设备
公开(公告)号：TWI664664B
公开(公告)日：2019-07-01
申请号：TW106145713
申请日：2017-12-26
申请人：荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
发明人：泰爾溫提波 , TEL, WIM TJIBBO , 卡陶漢斯艾瑞克 , KATTOUW, HANS ERIK , 奧提尼瓦雷利歐 , ALTINI, VALERIO , 莫依司特比爾愛曲 , MOEST, BEARRACH
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20

7. 发明专利

TW201921095A 計算度量衡审中-公开
简体标题：计算度量衡
公开(公告)号：TW201921095A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107126809
申请日：2018-08-02
申请人：荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
发明人：華那爾派翠克 , WARNAAR, PATRICK , 提那曼斯派翠西斯阿若瑟斯約克伯 , TINNEMANS, PATRICIUS ALOYSIUS JACOBUS , 葛澤拉葛澤高爾茲 , GRZELA, GRZEGORZ , 摩斯艾佛哈德斯柯奈利斯 , MOS, EVERHARDUS CORNELIS , 泰爾溫提波 , TEL, WIM TJIBBO , 喬錢森馬利那 , JOCHEMSEN, MARINUS , 席責斯巴特皮特柏特 , SEGERS, BART PETER BERT , 史達爾法蘭克 , STAALS, FRANK
IPC分类号： G03F1/44 , G06F17/50
摘要：本發明揭示一種方法，其包括：針對使用一圖案化製程所產生的一基板之一器件圖案之複數個特徵之每一特定特徵，獲得在該基板之一量測目標與該特定特徵之間該圖案化製程之一參數之一經模型化或經模擬關係；以及基於該關係及自該度量衡目標進行之該參數之量測值，產生針對該等特徵中之每一者之該參數橫越該基板之至少部分的一分佈，該等分佈係用於設計、控制或修改該圖案化製程。
简体摘要：本发明揭示一种方法，其包括：针对使用一图案化制程所产生的一基板之一器件图案之复数个特征之每一特定特征，获得在该基板之一量测目标与该特定特征之间该图案化制程之一参数之一经模型化或经仿真关系；以及基于该关系及自该度量衡目标进行之该参数之量测值，产生针对该等特征中之每一者之该参数横越该基板之至少部分的一分布，该等分布系用于设计、控制或修改该图案化制程。

8. 发明专利

TW201833791A 用於監測微影製造程序的方法及設備审中-公开
简体标题：用于监测微影制造进程的方法及设备
公开(公告)号：TW201833791A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW107101941
申请日：2018-01-19
申请人：荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
发明人：舒密特-韋佛艾密爾彼得 , SCHMITT-WEAVER, EMIL PETER , 巴塔哈爾亞卡司徒夫 , BHATTACHARYYA, KAUSTUVE , 泰爾溫提波 , TEL, WIM TJIBBO , 史達爾法蘭克 , STAALS, FRANK , 李維榭李昂馬汀 , LEVASIER, LEON MARTIN
IPC分类号： G06F17/18 , G03F9/00
摘要：本發明揭示一種用於監測一微影程序之方法及關聯微影設備。該方法包含：獲得與由一基板支撐件支撐之一基板相關之高度變化資料，且經由該高度變化資料而擬合一回歸，該回歸近似該基板之形狀；判定該高度變化資料與該回歸之間的殘餘資料；及監測該殘餘資料隨著時間推移之變化。可基於該基板支撐件之已知特徵而解迴旋該殘餘資料。
简体摘要：本发明揭示一种用于监测一微影进程之方法及关联微影设备。该方法包含：获得与由一基板支撑件支撑之一基板相关之高度变化数据，且经由该高度变化数据而拟合一回归，该回归近似该基板之形状；判定该高度变化数据与该回归之间的残余数据；及监测该残余数据随着时间推移之变化。可基于该基板支撑件之已知特征而解回旋该残余数据。

9. 发明专利

TW201812443A 監控製程裝置之方法及系統审中-公开
简体标题：监控制程设备之方法及系统
公开(公告)号：TW201812443A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106128022
申请日：2017-08-18
申请人：荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
发明人：泰爾溫提波 , TEL, WIM TJIBBO , 莫斯羅馬克約翰 , MASLOW, MARK JOHN , 史達爾法蘭克 , STAALS, FRANK , 希尼保羅克利絲丁安 , HINNEN, PAUL CHRISTIAAN
IPC分类号： G03F1/70 , G03F9/00
CPC分类号： G03F7/70625 , G01N21/956 , G03F7/705 , G03F7/70633
摘要：一種方法，其涉及判定在一基板已由一或多個製程裝置根據一圖案化製程處理之後該一或多個製程裝置對該基板之一特性作出的一貢獻，該判定該貢獻係藉由自該基板之該特性之值移除一微影裝置對該特性之一貢獻及一或多個微影前製程裝置對該特性之一貢獻來完成。
简体摘要：一种方法，其涉及判定在一基板已由一或多个制程设备根据一图案化制程处理之后该一或多个制程设备对该基板之一特性作出的一贡献，该判定该贡献系借由自该基板之该特性之值移除一微影设备对该特性之一贡献及一或多个微影前制程设备对该特性之一贡献来完成。

10. 发明专利

TW201804265A 藉由修改圖案化器件來增進聚焦及疊對审中-公开
简体标题：借由修改图案化器件来增进聚焦及叠对
公开(公告)号：TW201804265A
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW106117119
申请日：2017-05-24
申请人：荷蘭商ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
发明人：凡哈倫理查喬哈奈法蘭西卡斯 , VAN HAREN, RICHARD JOHANNES FRANCISCUS , 強布洛特雷納瑪麗亞 , JUNGBLUT, REINER MARIA , 凡迪傑克里昂保羅 , VAN DIJK, LEON PAUL , 羅伊羅夫斯威廉賽納克里斯汀 , ROELOFS, WILLEM SEINE CHRISTIAN , 泰爾溫提波 , TEL, WIM TJIBBO , 亨奇史蒂芬 , HUNSCHE, STEFAN , 凡德斯加毛瑞斯 , VAN DER SCHAAR, MAURITS
IPC分类号： G03F7/207 , H01L21/67
CPC分类号： G03F7/70641 , G03F1/36 , G03F9/7026 , G03F9/7034
摘要：本發明提議一種方法，其涉及獲得關於在一圖案化程序期間歸因於一基板表面之一區之構形的一預期聚焦偏移之資料。基於該資料來判定對與該基板表面之該區相關聯的一圖案化器件之一區之一透射或反射的一修改。在該圖案化程序期間使用根據該經判定修改而修改的該圖案化器件減輕該基板構形對該圖案化程序之一參數之一影響。
简体摘要：本发明提议一种方法，其涉及获得关于在一图案化进程期间归因于一基板表面之一区之构形的一预期聚焦偏移之数据。基于该数据来判定对与该基板表面之该区相关联的一图案化器件之一区之一透射或反射的一修改。在该图案化进程期间使用根据该经判定修改而修改的该图案化器件减轻该基板构形对该图案化进程之一参数之一影响。

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