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1. 发明专利

TW514726B 熱電測定裝置之試樣組裝體有权
简体标题：热电测定设备之试样组装体
公开(公告)号：TW514726B
公开(公告)日：2002-12-21
申请号：TW090121301
申请日：2001-08-29
申请人：理學電機股份有限公司 , 三菱電機股份有限公司
发明人：平山泰生 , 稻實雅信 , 松尾秀一 , 伊藤幸一郎 , 服部亮 , 宮國晉一 , 野谷佳弘 , 山本佳嗣
IPC分类号： G01N
CPC分类号： G01N25/486
摘要：本發明之目的在於提供一種熱電測定裝置之試樣組裝體，其於熱電測定裝置中，經由銦黏接層黏接試樣於基板上，藉此，使試樣組裝體之均熱性變佳，減小接觸電動勢和熱電動勢。
本發明之解決手段中，氮化鋁製基板12係導熱佳之絕緣性基板。於基板12之中央形成中間層16，於兩端形成中繼電極層24、26。此等層自基板12側依序形成 Ti(鍗)/Mo(鉬)/Au(金)之三層構造。GaAs試樣經由導熱良好之銦製黏接層18黏接於中間層16上。一對電極層20、22隔有間隔形成於試樣14上面。此等電極層20、22自試樣14側依序形成AuGe(金．鍺合金)/Mi(鎳)/Au(金)之三層構造。試樣14上之電極層20、22與基板12上之中繼電極層24、26藉金線(Au線)連接。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种热电测定设备之试样组装体，其于热电测定设备中，经由铟黏接层黏接试样于基板上，借此，使试样组装体之均热性变佳，减小接触电动势和热电动势。本发明之解决手段中，氮化铝制基板12系导热佳之绝缘性基板。于基板12之中央形成中间层16，于两端形成中继电极层24、26。此等层自基板12侧依序形成 Ti(鍗)/Mo(钼)/Au(金)之三层构造。GaAs试样经由导热良好之铟制黏接层18黏接于中间层16上。一对电极层20、22隔有间隔形成于试样14上面。此等电极层20、22自试样14侧依序形成AuGe(金．锗合金)/Mi(镍)/Au(金)之三层构造。试样14上之电极层20、22与基板12上之中继电极层24、26藉金线(Au线)连接。

2. 发明专利

TW502114B 試樣表面漏電流之測定方法有权
简体标题：试样表面漏电流之测定方法
公开(公告)号：TW502114B
公开(公告)日：2002-09-11
申请号：TW090121300
申请日：2001-08-29
申请人：理學電機股份有限公司 , 三菱電機股份有限公司
发明人：平山泰生 , 伊藤幸一郎 , 服部亮 , 宮國晉一 , 野谷佳弘 , 山本佳嗣
IPC分类号： G01N
CPC分类号： G01N27/041 , G01N1/44
摘要：本發明係無需預先藉其他設備除去試樣表面上之附著物質，便可高精度測定試樣之表面漏電流。又可確認試樣表面上之附著物質是否完全脫離。
於試樣50表面上形成一對電極52、54。在施加電壓於一對電極52、54間狀態下，當照射能量射束62於電極52、54間之試樣表面區域，附著物質60即自試樣表面脫離。若於照射能量射束62期間內，測定流過電極52、54間之電流時，在附著物質存在期間內，可觀測到通過附著物質而流動之表面漏電流。附著物質60一完全脫離，附著物質60所引發之表面漏電流即消失。因此，於附著物質6O引發之表面漏電流消失之時刻，可確認附著物質60完全脫離。此後，停止照射能量射束62，可測定試樣本來之表面漏電流。
简体摘要：本发明系无需预先藉其他设备除去试样表面上之附着物质，便可高精度测定试样之表面漏电流。又可确认试样表面上之附着物质是否完全脱离。于试样50表面上形成一对电极52、54。在施加电压于一对电极52、54间状态下，当照射能量射束62于电极52、54间之试样表面区域，附着物质60即自试样表面脱离。若于照射能量射束62期间内，测定流过电极52、54间之电流时，在附着物质存在期间内，可观测到通过附着物质而流动之表面漏电流。附着物质60一完全脱离，附着物质60所引发之表面漏电流即消失。因此，于附着物质6O引发之表面漏电流消失之时刻，可确认附着物质60完全脱离。此后，停止照射能量射束62，可测定试样本来之表面漏电流。

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