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1. 发明专利

TWI585531B 光阻圖型之形成方法，及負型顯影用光阻組成物有权
简体标题：光阻图型之形成方法，及负型显影用光阻组成物
公开(公告)号：TWI585531B
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW101115192
申请日：2012-04-27
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：清水宏明 , SHIMIZU, HIROAKI , 仁藤豪人 , NITO, HIDETO
IPC分类号： G03F7/038
CPC分类号： G03F7/325 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/2041

2. 发明专利

TWI575319B 光阻組成物及光阻圖型之形成方法有权
简体标题：光阻组成物及光阻图型之形成方法
公开(公告)号：TWI575319B
公开(公告)日：2017-03-21
申请号：TW101134874
申请日：2012-09-21
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：中村剛 , NAKAMURA, TSUYOSHI , 橫谷次朗 , YOKOYA, JIRO , 清水宏明 , SHIMIZU, HIROAKI , 仁藤豪人 , NITO, HIDETO
IPC分类号： G03F7/038 , G03F7/075 , C08F220/24 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/38 , G03F7/004 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/0755 , G03F7/0758 , G03F7/20

3. 发明专利

TWI572984B 光阻組成物、光阻圖型之形成方法有权
简体标题：光阻组成物、光阻图型之形成方法
公开(公告)号：TWI572984B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW101105262
申请日：2012-02-17
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：清水宏明 , SHIMIZU, HIROAKI , 阿部翔 , ABE, SHO , 仁藤豪人 , NITO, HIDETO
IPC分类号： G03F7/038 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/30 , G03F7/325 , Y10S430/12 , Y10S430/122 , Y10S430/123

4. 发明专利

TWI465844B 光阻組成物，光阻圖型之形成方法，化合物，及酸產生劑有权
简体标题：光阻组成物，光阻图型之形成方法，化合物，及酸产生剂
公开(公告)号：TWI465844B
公开(公告)日：2014-12-21
申请号：TW098133715
申请日：2009-10-05
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：川上晃也 , KAWAUE, AKIYA , 內海義之 , UTSUMI, YOSHIYUKI , 松澤賢介 , MATSUZAWA, KENSUKE , 平野勳 , HIRANO, ISAO , 清水宏明 , SHIMIZU, HIROAKI
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/20 , C07C321/28

5. 发明专利

TWI427416B 正型光阻組成物、光阻圖型之形成方法、高分子化合物及化合物有权
简体标题：正型光阻组成物、光阻图型之形成方法、高分子化合物及化合物
公开(公告)号：TWI427416B
公开(公告)日：2014-02-21
申请号：TW097129707
申请日：2008-08-05
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：鹽野大壽 , SHIONO, DAIJU , 太宰尚宏 , DAZAI, TAKAHIRO , 清水宏明 , SHIMIZU, HIROAKI
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/004 , C08F20/26 , H01L21/027

6. 发明专利

TW201344365A 光阻組成物，光阻圖型之形成方法，新穎化合物审中-公开
简体标题：光阻组成物，光阻图型之形成方法，新颖化合物
公开(公告)号：TW201344365A
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW102100909
申请日：2013-01-10
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：內海義之 , UTSUMI, YOSHIYUKI , 清水宏明 , SHIMIZU, HIROAKI , 橫谷次朗 , YOKOYA, JIRO
IPC分类号： G03F7/039
CPC分类号： G03F7/004 , C07C309/06 , C07C309/17 , G03F7/0045 , G03F7/0392
摘要：一種光阻組成物，其為含有經由酸之作用而改變對顯影液之溶解性的基材成份(A)及經由曝光而分解使酸性度降低之酸性化合物成份(J)之光阻組成物，其特徵為，前述酸性化合物成份(J)為含有式(J1)所表示之化合物〔式中R1為H、OH、鹵素原子、烷氧基、烴基或硝基；m為0~4；n為0~3；Rx為H或烴基；X1為2價之鍵結基；X2為H或烴基；Y為單鍵或C(O)；A為可被氧原子、羰基、氟原子所取代之伸烷基；Q1、Q2為F或氟化烷基；W+為一~三級之對銨陽離子，其具有較曝光後分解所生成之H2N+(X2)-X1-Y-O-A-C(Q1)(Q2)-SO3-為更小之pKa〕。
简体摘要：一种光阻组成物，其为含有经由酸之作用而改变对显影液之溶解性的基材成份(A)及经由曝光而分解使酸性度降低之酸性化合物成份(J)之光阻组成物，其特征为，前述酸性化合物成份(J)为含有式(J1)所表示之化合物〔式中R1为H、OH、卤素原子、烷氧基、烃基或硝基；m为0~4；n为0~3；Rx为H或烃基；X1为2价之键结基；X2为H或烃基；Y为单键或C(O)；A为可被氧原子、羰基、氟原子所取代之伸烷基；Q1、Q2为F或氟化烷基；W+为一~三级之对铵阳离子，其具有较曝光后分解所生成之H2N+(X2)-X1-Y-O-A-C(Q1)(Q2)-SO3-为更小之pKa〕。

7. 发明专利

TWI389922B 高分子化合物，正型光阻組成物，及光阻圖型之形成方法有权
简体标题：高分子化合物，正型光阻组成物，及光阻图型之形成方法
公开(公告)号：TWI389922B
公开(公告)日：2013-03-21
申请号：TW097130401
申请日：2008-08-08
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：太宰尚宏 , DAZAI, TAKAHIRO , 森貴敬 , MORI, TAKAYOSHI , 清水宏明 , SHIMIZU, HIROAKI , 大下京子 , OHSHITA, KYOKO , 平原孔明 , HIRAHARA, KOMEI
IPC分类号： C08F220/26 , G03F7/039 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： H04B1/123 , Y10S430/111 , Y10S430/122 , Y10S430/126

8. 发明专利

TW201310171A 光阻圖型之形成方法，及負型顯影用光阻組成物审中-公开
简体标题：光阻图型之形成方法，及负型显影用光阻组成物
公开(公告)号：TW201310171A
公开(公告)日：2013-03-01
申请号：TW101115192
申请日：2012-04-27
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：清水宏明 , SHIMIZU, HIROAKI , 仁藤豪人 , NITO, HIDETO
IPC分类号： G03F7/038
CPC分类号： G03F7/325 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/2041
摘要：一種光阻圖型之形成方法，其為包含，使用含有經由酸之作用而減少對有機溶劑之溶解性的基材成份(A)與經由曝光而產生酸之酸產生劑成份(B)與含氟高分子化合物(F)之光阻組成物於支撐體上形成光阻膜之步驟、使光阻膜曝光之步驟，及藉由使用含有有機溶劑之顯影液對光阻膜以負型顯影方式進行圖型成形(Patterning)，以形成光阻圖型之步驟的光阻圖型之形成方法中，基材成份(A)為含有具有丙烯酸酯所衍生之結構單位，且含有經由酸之作用而增大極性之酸分解性基的結構單位(a1)的樹脂成份(A1)，樹脂成份(A1)及含氟高分子化合物(F)對顯影液之溶解速度分別為10nm/s以上，樹脂成份(A1)與含氟高分子化合物(F)對顯影液之溶解速度差之絕對值為80nm/s以下。
简体摘要：一种光阻图型之形成方法，其为包含，使用含有经由酸之作用而减少对有机溶剂之溶解性的基材成份(A)与经由曝光而产生酸之酸产生剂成份(B)与含氟高分子化合物(F)之光阻组成物于支撑体上形成光阻膜之步骤、使光阻膜曝光之步骤，及借由使用含有有机溶剂之显影液对光阻膜以负型显影方式进行图型成形(Patterning)，以形成光阻图型之步骤的光阻图型之形成方法中，基材成份(A)为含有具有丙烯酸酯所衍生之结构单位，且含有经由酸之作用而增大极性之酸分解性基的结构单位(a1)的树脂成份(A1)，树脂成份(A1)及含氟高分子化合物(F)对显影液之溶解速度分别为10nm/s以上，树脂成份(A1)与含氟高分子化合物(F)对显影液之溶解速度差之绝对值为80nm/s以下。

9. 发明专利

TWI594073B 負型顯影用光阻組成物，及光阻圖型之形成方法有权
简体标题：负型显影用光阻组成物，及光阻图型之形成方法
公开(公告)号：TWI594073B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW101111876
申请日：2012-04-03
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：內海義之 , UTSUMI, YOSHIYUKI , 清水宏明 , SHIMIZU, HIROAKI
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/26
CPC分类号： G03F7/325 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/2041

10. 发明专利

TWI591428B 光阻組成物及光阻圖型之形成方法有权
简体标题：光阻组成物及光阻图型之形成方法
公开(公告)号：TWI591428B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：TW101141161
申请日：2012-11-06
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：清水宏明 , SHIMIZU, HIROAKI , 中村剛 , NAKAMURA, TSUYOSHI , 橫谷次朗 , YOKOYA, JIRO , 仁藤豪人 , NITO, HIDETO
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/038 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0046 , C08F220/18 , C08F220/28 , C08F220/36 , G03F7/0045 , G03F7/095 , G03F7/2041 , G03F7/38 , Y10S430/106 , Y10S430/12 , Y10S430/121 , Y10S430/122 , Y10S430/123 , Y10S430/126

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