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1. 发明专利

TWI581301B 電漿處理裝置、電漿處理方法及記憶媒體有权
简体标题：等离子处理设备、等离子处理方法及记忆媒体
公开(公告)号：TWI581301B
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW101110627
申请日：2012-03-27
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：大木達也 , OGI, TATSUYA , 小澤亘 , OZAWA, WATARU , 深澤公博 , FUKASAWA, KIMIHIRO , 金谷和博 , KANAYA, KAZUHIRO
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32926 , H01J37/32532 , H01J37/32779 , H01J37/32899 , H01J37/3299

2. 发明专利

TW201947659A 電漿處理裝置及被處理體之搬運方法审中-公开
简体标题：等离子处理设备及被处理体之搬运方法
公开(公告)号：TW201947659A
公开(公告)日：2019-12-16
申请号：TW108110394
申请日：2019-03-26
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：鈴木貴幸 , SUZUKI, TAKAYUKI , 高山航 , TAKAYAMA, WATARU , 村上貴宏 , MURAKAMI, TAKAHIRO , 深澤公博 , FUKASAWA, KIMIHIRO , 早坂伸一郎 , HAYASAKA, SHINICHIRO
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/677 , B65G49/07
摘要：本發明之目的在使反應生成物附著至載置台的載置面的情形減少。本發明之電漿處理裝置具備：載置台，具有將作為電漿處理的對象之被處理體加以載置之載置面；昇降機構，相對於載置台的載置面使被處理體昇降；以及昇降控制部，於從針對被處理體之電漿處理結束起至開始被處理體之搬運為止的期間，控制昇降機構而將被處理體保持在載置台的載置面與被處理體係以抑制反應生成物侵入之間隔離開的位置，且於被處理體之搬運開始之際，控制昇降機構而使被處理體自該被處理體被保持之位置上昇。
简体摘要：本发明之目的在使反应生成物附着至载置台的载置面的情形减少。本发明之等离子处理设备具备：载置台，具有将作为等离子处理的对象之被处理体加以载置之载置面；升降机构，相对于载置台的载置面使被处理体升降；以及升降控制部，于从针对被处理体之等离子处理结束起至开始被处理体之搬运为止的期间，控制升降机构而将被处理体保持在载置台的载置面与被处理体系以抑制反应生成物侵入之间隔离开的位置，且于被处理体之搬运开始之际，控制升降机构而使被处理体自该被处理体被保持之位置上升。

3. 发明专利

TWI579885B 電漿處理裝置及其氣體供應方法有权
简体标题：等离子处理设备及其气体供应方法
公开(公告)号：TWI579885B
公开(公告)日：2017-04-21
申请号：TW101119237
申请日：2012-05-30
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：加藤義之 , KATO, YOSHIYUKI , 網倉紀彥 , AMIKURA, NORIHIKO , 實吉梨沙子 , MIYOSHI, RISAKO , 深澤公博 , FUKASAWA, KIMIHIRO
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32449 , C23C16/45523 , C23C16/45525 , C23C16/52 , H01J37/3244 , Y10T137/0368

4. 发明专利

TWI557797B 溫度控制方法、控制裝置及電漿處理裝置有权
简体标题：温度控制方法、控制设备及等离子处理设备
公开(公告)号：TWI557797B
公开(公告)日：2016-11-11
申请号：TW101140597
申请日：2012-11-01
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：三浦達也 , MIURA, TATSUYA , 小澤亘 , OZAWA, WATARU , 深澤公博 , FUKASAWA, KIMIHIRO , 風間和典 , KAZAMA, KAZUNORI
IPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/46
CPC分类号： G05D23/19 , G05D23/1904 , H01J37/32522 , H01L21/67248 , H01L21/6831

5. 发明专利

TW201334061A 溫度控制方法、控制裝置及電漿處理裝置审中-公开
简体标题：温度控制方法、控制设备及等离子处理设备
公开(公告)号：TW201334061A
公开(公告)日：2013-08-16
申请号：TW101140597
申请日：2012-11-01
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：三浦達也 , MIURA, TATSUYA , 小澤亘 , OZAWA, WATARU , 深澤公博 , FUKASAWA, KIMIHIRO , 風間和典 , KAZAMA, KAZUNORI
IPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/46
CPC分类号： G05D23/19 , G05D23/1904 , H01J37/32522 , H01L21/67248 , H01L21/6831
摘要：將溫度設定的控制優化藉以縮短溫度穩定等待時間。本發明提供一種溫度控制方法，係可在藉由複數步驟對被處理體進行處理之電漿製程中，於每個步驟改變設定溫度之電漿處理裝置1的溫度控制方法，其特徵為包含：運送步驟，進行將被處理體送入電漿處理裝置1的處理容器10內之送入步驟或將被處理體送出之送出步驟之至少任一者；製程實行步驟，實行由該複數步驟所構成的電漿製程；以及溫度控制步驟，進行第1溫度控制或第2溫度控制之至少任一者；該第1溫度控制係因應該所實行的電漿製程之結束時序而控制成下個製程的設定溫度，該第2溫度控制係與該送入步驟或該送出步驟並行而控制成該下個製程的設定溫度。
简体摘要：将温度设置的控制优化借以缩短温度稳定等待时间。本发明提供一种温度控制方法，系可在借由复数步骤对被处理体进行处理之等离子制程中，于每个步骤改变设置温度之等离子处理设备1的温度控制方法，其特征为包含：运送步骤，进行将被处理体送入等离子处理设备1的处理容器10内之送入步骤或将被处理体送出之送出步骤之至少任一者；制程实行步骤，实行由该复数步骤所构成的等离子制程；以及温度控制步骤，进行第1温度控制或第2温度控制之至少任一者；该第1温度控制系因应该所实行的等离子制程之结束时序而控制成下个制程的设置温度，该第2温度控制系与该送入步骤或该送出步骤并行而控制成该下个制程的设置温度。

6. 发明专利

TW201312621A 電漿處理裝置及其氣體供應方法审中-公开
简体标题：等离子处理设备及其气体供应方法
公开(公告)号：TW201312621A
公开(公告)日：2013-03-16
申请号：TW101119237
申请日：2012-05-30
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：加藤義之 , KATO, YOSHIYUKI , 網倉紀彥 , AMIKURA, NORIHIKO , 實吉梨沙子 , MIYOSHI, RISAKO , 深澤公博 , FUKASAWA, KIMIHIRO
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32449 , C23C16/45523 , C23C16/45525 , C23C16/52 , H01J37/3244 , Y10T137/0368
摘要：本發明關於一種電漿處理裝置及其氣體供應方法，當交互地切換處理氣體的供應時，該等處理氣體不會相互混合，且可較以往要更加抑制過渡現象。於晶圓的電漿處理中，當交互地切換至少2種以上之處理氣體(例如C4F6氣體與C4F8氣體)來供應至處理室內時，關於供應所切換的處理氣體之各氣體供應路徑，係在打開該氣體供應路徑所設置之質流控制器(MFC)下游側的開閉閥之狀態下，針對質流控制器重複設定特定流量與零流量，藉以交互地開啟/關閉各處理氣體的供應。
简体摘要：本发明关于一种等离子处理设备及其气体供应方法，当交互地切换处理气体的供应时，该等处理气体不会相互混合，且可较以往要更加抑制过渡现象。于晶圆的等离子处理中，当交互地切换至少2种以上之处理气体(例如C4F6气体与C4F8气体)来供应至处理室内时，关于供应所切换的处理气体之各气体供应路径，系在打开该气体供应路径所设置之质流控制器(MFC)下游侧的开闭阀之状态下，针对质流控制器重复设置特定流量与零流量，借以交互地打开/关闭各处理气体的供应。

7. 发明专利

TW201306079A 電漿處理裝置、電漿處理方法及記憶媒體审中-公开
简体标题：等离子处理设备、等离子处理方法及记忆媒体
公开(公告)号：TW201306079A
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW101110627
申请日：2012-03-27
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：大木達也 , OGI, TATSUYA , 小澤亘 , OZAWA, WATARU , 深澤公博 , FUKASAWA, KIMIHIRO , 金谷和博 , KANAYA, KAZUHIRO
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32926 , H01J37/32532 , H01J37/32779 , H01J37/32899 , H01J37/3299
摘要：本發明之目的係針對平行平板型電漿處理裝置，以溫度調整機構(47)調整上部電極(40)之設定溫度之狀態下進行電漿處理時，減輕因處理時之環境氣體改變而導致基板間之處理均一性下降的問題。本發明包括控制以下元件之程式：配方儲存部(56)，儲存用以進行電漿處理之處理配方；修正值設定部(54)，於輸入畫面設定：開始使用新的第2電極之後電漿處理之累計時間或基板的處理片數、以及第2電極之設定溫度的修正值；記憶部(55)，記憶修正後之設定值；溫度調整機構(47)，對寫入至處理配方之上部電極(40)之設定溫度加算前述記憶部(55)內的修正值，並根據修正後的設定溫度來控制溫度調整機構(47)。
简体摘要：本发明之目的系针对平行平板型等离子处理设备，以温度调整机构(47)调整上部电极(40)之设置温度之状态下进行等离子处理时，减轻因处理时之环境气体改变而导致基板间之处理均一性下降的问题。本发明包括控制以下组件之进程：配方存储部(56)，存储用以进行等离子处理之处理配方；修正值设置部(54)，于输入画面设置：开始使用新的第2电极之后等离子处理之累计时间或基板的处理片数、以及第2电极之设置温度的修正值；记忆部(55)，记忆修正后之设置值；温度调整机构(47)，对写入至处理配方之上部电极(40)之设置温度加算前述记忆部(55)内的修正值，并根据修正后的设置温度来控制温度调整机构(47)。

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