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1. 发明专利

TW201237877A 改變一記憶積體電路裝置中裝置識別碼之系統及方法 METHOD AND APPARATUS OF CHANGING DEVICE IDENTIFICATION CODES OF A MEMORY INTEGRATED CIRCUIT DEVICE 审中-公开
简体标题：改变一记忆集成电路设备中设备识别码之系统及方法 METHOD AND APPARATUS OF CHANGING DEVICE IDENTIFICATION CODES OF A MEMORY INTEGRATED CIRCUIT DEVICE
公开(公告)号：TW201237877A
公开(公告)日：2012-09-16
申请号：TW100108577
申请日：2011-03-14
申请人：旺宏電子股份有限公司
发明人：郭乃萍 , 張坤龍 , 陳耕暉 , 謝明志
IPC分类号： G11C
摘要：本發明揭露一種積體電路裝置的識別碼是可程式化的。在某些實施例中,複數個裝置識別碼儲存於此積體電路中,且複數個裝置識別選擇碼也儲存於此積體電路中。
简体摘要：本发明揭露一种集成电路设备的识别码是可进程化的。在某些实施例中,复数个设备识别码存储于此集成电路中,且复数个设备识别选择码也存储于此集成电路中。

2. 发明专利

TWI602185B 記憶體裝置及其操作方法有权
简体标题：内存设备及其操作方法
公开(公告)号：TWI602185B
公开(公告)日：2017-10-11
申请号：TW104106800
申请日：2015-03-04
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：張坤龍 , CHANG, KUEN-LONG , 陳耕暉 , CHEN, KEN-HUI , 謝明志 , HSIEH, MING-CHIH
IPC分类号： G11C16/26 , G11C7/22

3. 发明专利

TW201633320A 記憶體裝置及其操作方法审中-公开
简体标题：内存设备及其操作方法
公开(公告)号：TW201633320A
公开(公告)日：2016-09-16
申请号：TW104106800
申请日：2015-03-04
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：張坤龍 , CHANG, KUEN-LONG , 陳耕暉 , CHEN, KEN-HUI , 謝明志 , HSIEH, MING-CHIH
IPC分类号： G11C16/26 , G11C7/22
摘要：一種記憶體裝置包括一記憶體陣列和一邏輯單元連接於記憶體陣列上。記憶體陣列包含有複數個用來儲存陣列資料的分頁，以及複數個額外陣列，分別對應這些分頁，用來儲額外資料。邏輯單元被建構來接收一讀取指令，並在一第一存取模式或一第二存取中執行一讀取操作。在第一存取模式中，邏輯單元依序讀出儲存於這些分頁中的陣列資料。在第二存取模式中，邏輯單元依序讀出儲存於這些分頁中的陣列資料，以及儲存於額外陣列中的額外資料。
简体摘要：一种内存设备包括一内存数组和一逻辑单元连接于内存数组上。内存数组包含有复数个用来存储数组数据的分页，以及复数个额外数组，分别对应这些分页，用来储额外数据。逻辑单元被建构来接收一读取指令，并在一第一存取模式或一第二存取中运行一读取操作。在第一存取模式中，逻辑单元依序读出存储于这些分页中的数组数据。在第二存取模式中，逻辑单元依序读出存储于这些分页中的数组数据，以及存储于额外数组中的额外数据。

4. 发明专利

TWI421871B 定址一記憶積體電路之方法與裝置有权
简体标题：寻址一记忆集成电路之方法与设备
公开(公告)号：TWI421871B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW098140669
申请日：2009-11-27
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：洪俊雄 , HUNG, CHUN HSIUNG , 張坤龍 , CHANG, KUEN LONG , 謝明志 , HSIEH, MING CHIH
IPC分类号： G11C16/08
CPC分类号： G11C8/10 , G11C8/12

5. 发明专利

TW201339844A 晶片封裝結構之輸出入介面及其配置方法审中-公开
简体标题：芯片封装结构之输出入界面及其配置方法
公开(公告)号：TW201339844A
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW101111257
申请日：2012-03-30
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：洪俊雄 , HUNG, CHUN HSIUNG , 張坤龍 , CHANG, KUEN LONG , 陳耕暉 , CHEN, KEN HUI , 謝明志 , HSIEH, MING CHIH
IPC分类号： G06F13/38
摘要：一種輸出入介面，用於一晶片封裝結構中。晶片封裝結構具有一積體電路以及包覆積體電路之一封裝體。輸出入介面包括多個輸出入腳位以及一替代性腳位。此些輸出入腳位排列於封裝體之周圍，此些輸出入腳位包括連接積體電路之二個資料訊號腳位、三個控制訊號腳位、二電壓訊號腳位以及一時脈訊號腳位。替代性腳位用以取代此些輸出入腳位中之一腳位。
简体摘要：一种输出入界面，用于一芯片封装结构中。芯片封装结构具有一集成电路以及包覆集成电路之一封装体。输出入界面包括多个输出入脚位以及一替代性脚位。此些输出入脚位排列于封装体之周围，此些输出入脚位包括连接集成电路之二个数据信号脚位、三个控制信号脚位、二电压信号脚位以及一时脉信号脚位。替代性脚位用以取代此些输出入脚位中之一脚位。

6. 发明专利

TW201118879A 定址一記憶積體電路之方法與裝置 METHOD AND APPARATUS OF ADDRESSING A MEMORY INTEGRATED CIRCUIT 审中-公开
简体标题：寻址一记忆集成电路之方法与设备 METHOD AND APPARATUS OF ADDRESSING A MEMORY INTEGRATED CIRCUIT
公开(公告)号：TW201118879A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：TW098140669
申请日：2009-11-27
申请人：旺宏電子股份有限公司
发明人：洪俊雄 , 張坤龍 , 謝明志
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C8/10 , G11C8/12
摘要：本發明揭露一種記憶積體電路，其具有控制電路存取該記憶積體電路中的記憶胞。該控制電路係響應指令，該指令包括一第一命令以指示地址位元的一較高部分。一第二命令以指示地址位元的一較低部分。該地址位元的該較高部分及該較低部分構成該記憶積體電路的一完整存取位址，其中該第一命令及該第二命令具有不同的命令碼。
简体摘要：本发明揭露一种记忆集成电路，其具有控制电路存取该记忆集成电路中的记忆胞。该控制电路系响应指令，该指令包括一第一命令以指示地址比特的一较高部分。一第二命令以指示地址比特的一较低部分。该地址比特的该较高部分及该较低部分构成该记忆集成电路的一完整存取位址，其中该第一命令及该第二命令具有不同的命令码。

7. 发明专利

TW201743337A 記憶體裝置及其操作方法审中-公开
简体标题：内存设备及其操作方法
公开(公告)号：TW201743337A
公开(公告)日：2017-12-16
申请号：TW105142577
申请日：2016-12-21
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：洪俊雄 , HUNG, CHUN-HSIUNG , 張坤龍 , CHANG, KUEN-LONG , 陳耕暉 , CHEN, KEN-HUI , 羅思覺 , LO, SU-CHUEH , 謝明志 , HSIEH, MING-CHIH
IPC分类号： G11C16/14
CPC分类号： G11C16/08 , G11C11/005 , G11C16/10 , G11C16/14 , G11C16/16 , G11C16/26 , G11C16/32 , G11C2216/22 , G11C2216/24
摘要：一種記憶體裝置及其操作方法。記憶體裝置包括一第一記憶體陣列及一第二記憶體陣列。第一記憶體陣列及第二記憶體陣列係為不同類型之記憶體，且形成於一晶圓之單一記憶體晶粒上。
简体摘要：一种内存设备及其操作方法。内存设备包括一第一内存数组及一第二内存数组。第一内存数组及第二内存数组系为不同类型之内存，且形成于一晶圆之单一内存晶粒上。

8. 发明专利

TWI410981B 資料保護方法及應用其之記憶體有权
简体标题：数据保护方法及应用其之内存
公开(公告)号：TWI410981B
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW098118015
申请日：2009-06-01
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：張坤龍 , CHANG, KUEN LONG , 郭乃萍 , KUO, NAI PING , 謝明志 , HSIEH, MING CHIH
IPC分类号： G11C7/24
CPC分类号： G06F21/79 , G06F3/062 , G06F3/0646 , G06F3/0668 , G06F3/0688 , G06F12/0238 , G06F12/0623 , G06F13/4234

9. 发明专利

TW201034027A 資料保護方法及應用其之記憶體 DATA PROTECTING METHOD AND MEMORY USING THEREOF 审中-公开
简体标题：数据保护方法及应用其之内存 DATA PROTECTING METHOD AND MEMORY USING THEREOF
公开(公告)号：TW201034027A
公开(公告)日：2010-09-16
申请号：TW098118015
申请日：2009-06-01
申请人：旺宏電子股份有限公司
发明人：張坤龍 , 郭乃萍 , 謝明志
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G06F21/79 , G06F3/062 , G06F3/0646 , G06F3/0668 , G06F3/0688 , G06F12/0238 , G06F12/0623 , G06F13/4234
摘要：一種資料保護方法，用以對記憶體中之筆資料進行保護。記憶體包括揮發性(Volatile)記憶體及非揮發性(Non-volatile)記憶體，非揮發性記憶體儲存筆資料保護資訊。資料保護方法包括下列之步驟。首先，將非揮發性記憶體中之筆資料保護資訊載入至揮發性記憶體。之後，根據揮發性記憶體中之筆資料保護資訊保護儲存於非揮發性記憶體中之筆資料。
简体摘要：一种数据保护方法，用以对内存中之笔数据进行保护。内存包括挥发性(Volatile)内存及非挥发性(Non-volatile)内存，非挥发性内存存储笔数据保护信息。数据保护方法包括下列之步骤。首先，将非挥发性内存中之笔数据保护信息加载至挥发性内存。之后，根据挥发性内存中之笔数据保护信息保护存储于非挥发性内存中之笔数据。

10. 发明专利

TWI326452B 偵測記憶體元件中字元線漏電的方法 METHOD FOR DETECTING WORD LINE LEAKAGE IN MEMORY DEVICES 有权
简体标题：侦测内存组件中字符线漏电的方法 METHOD FOR DETECTING WORD LINE LEAKAGE IN MEMORY DEVICES
公开(公告)号：TWI326452B
公开(公告)日：2010-06-21
申请号：TW096132334
申请日：2007-08-30
申请人：旺宏電子股份有限公司
发明人：陳漢松 , 羅思覺 , 洪俊雄 , 郭乃萍 , 謝明志 , 蔡文彬
IPC分类号： G11C
摘要：一種偵測記憶體元件中字元線漏電的方法，其包括耦接記憶體元件中多條第一字元線至一電壓源，並將多條第二字元線接地，其中各條第二字元線係毗鄰於此些第一字元線。此方法包括等待一預定時間，使此些第一字元線得以達到預定讀取電壓位準，再將此些第一字元線與電壓源分離，並等待一第二預定時間，使此些第一字元線得以放電。此方法更包括偵測對應此些第一字元線之記憶體元件電流，並將此電流與一預定參考電流進行比較，此預定參考電流是用來鑑別對應此些第一字元線之漏電狀態。
简体摘要：一种侦测内存组件中字符线漏电的方法，其包括耦接内存组件中多条第一字符线至一电压源，并将多条第二字符线接地，其中各条第二字符线系毗邻于此些第一字符线。此方法包括等待一预定时间，使此些第一字符线得以达到预定读取电压位准，再将此些第一字符线与电压源分离，并等待一第二预定时间，使此些第一字符线得以放电。此方法更包括侦测对应此些第一字符线之内存组件电流，并将此电流与一预定参考电流进行比较，此预定参考电流是用来鉴别对应此些第一字符线之漏电状态。

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