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1. 发明专利

TW201818409A 記憶裝置、記憶單元及其控制方法审中-公开
简体标题：记忆设备、记忆单元及其控制方法
公开(公告)号：TW201818409A
公开(公告)日：2018-05-16
申请号：TW105144303
申请日：2016-12-30
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：洪俊雄 , HUNG, CHUN-HSIUNG , 陳漢松 , CHEN, HAN-SUNG , 陳重光 , CHEN, CHUNG-KUANG
IPC分类号： G11C11/40 , G11C11/4193
摘要：一種記憶裝置，包括：一記憶單元，包含複數個記憶胞；一控制器，包含一儲存單元，儲存複數個操作選擇，各操作選擇對應至複數個記憶胞中至少一被選記憶胞的一特性(property)。
简体摘要：一种记忆设备，包括：一记忆单元，包含复数个记忆胞；一控制器，包含一存储单元，存储复数个操作选择，各操作选择对应至复数个记忆胞中至少一被选记忆胞的一特性(property)。

2. 发明专利

TW201626394A 記憶體裝置及應用其上之方法审中-公开
简体标题：内存设备及应用其上之方法
公开(公告)号：TW201626394A
公开(公告)日：2016-07-16
申请号：TW104100976
申请日：2015-01-12
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：陳重光 , CHEN, CHUNG-KUANG , 陳漢松 , CHEN, HAN-SUNG , 洪俊雄 , HUNG, CHUN HSIUNG
IPC分类号： G11C16/24 , G11C16/02
摘要：一種記憶體裝置，包括多個頁緩衝器以及控制電路。多個頁緩衝器當中不同頁緩衝器耦接至記憶體陣列的多個位元線當中多個不同位元線。控制電路回應於一程式化指令，經由這些頁緩衝器同時設定多個不同目標電壓至這些不同位元線，以程式化記憶體陣列中耦接這些不同位元線的多個記憶胞。
简体摘要：一种内存设备，包括多个页缓冲器以及控制电路。多个页缓冲器当中不同页缓冲器耦接至内存数组的多个比特线当中多个不同比特线。控制电路回应于一进程化指令，经由这些页缓冲器同时设置多个不同目标电压至这些不同比特线，以进程化内存数组中耦接这些不同比特线的多个记忆胞。

3. 发明专利

TW201435587A 差異邏輯至實體方法审中-公开
简体标题：差异逻辑至实体方法
公开(公告)号：TW201435587A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW102122444
申请日：2013-06-25
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：高龍毅 , KUO, LUNG YI , 何信義 , HO, HSIN YI , 洪俊雄 , HUNG, CHUN HSIUNG , 陳漢松 , CHEN, HAN SUNG
IPC分类号： G06F12/06
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F2212/7201 , G06F2212/7208
摘要：一種用於維持一資料組的方法，包括將該資料組的一原始版本儲存在具有一第一寫入速度的一第一非揮發性記憶體，並且將該資料組的變更儲存在具有一第二寫入速度的一第二非揮發性記憶體中的一第一變更用資料組，以及讀取原始版本與該變更而產生該資料組的一目前版本。如果達到該第一變更用資料組中的一輸入門檻數，則該第一變更用資料組中的部分或全部被移動到該第一非揮發性記憶體中一第二變更用資料組，其中該產生步驟包括讀取該第二變更用資料組。如果達到該第二變更用資料組中的一輸入門檻數，則該目前版本係由讀取該原始版本以及該第一和第二非揮發性記憶體的該等變更而產生。
简体摘要：一种用于维持一数据组的方法，包括将该数据组的一原始版本存储在具有一第一写入速度的一第一非挥发性内存，并且将该数据组的变更存储在具有一第二写入速度的一第二非挥发性内存中的一第一变更用数据组，以及读取原始版本与该变更而产生该数据组的一目前版本。如果达到该第一变更用数据组中的一输入门槛数，则该第一变更用数据组中的部分或全部被移动到该第一非挥发性内存中一第二变更用数据组，其中该产生步骤包括读取该第二变更用数据组。如果达到该第二变更用数据组中的一输入门槛数，则该目前版本系由读取该原始版本以及该第一和第二非挥发性内存的该等变更而产生。

4. 发明专利

TWI424443B 記憶體陣列及記憶體的操作方法有权
简体标题：内存数组及内存的操作方法
公开(公告)号：TWI424443B
公开(公告)日：2014-01-21
申请号：TW098115388
申请日：2009-05-08
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：江志和 , CHIANG, CHIH HE , 陳重光 , CHEN, CHUNG KUANG , 陳漢松 , CHEN, HAN SUNG
IPC分类号： G11C7/12

5. 发明专利

TWI419168B 資料編程方法與資料讀取方法及應用其之單次可編程記憶體有权
简体标题：数据编程方法与数据读取方法及应用其之单次可编程内存
公开(公告)号：TWI419168B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：TW098101241
申请日：2009-01-14
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：陳重光 , CHEN, CHUNG KUANG , 陳漢松 , CHEN, HAN SUNG , 洪俊雄 , HUNG, CHUN HSIUNG
IPC分类号： G11C17/00 , G06F12/00
CPC分类号： G06F12/0238 , G06F2212/2142

6. 发明专利

TW201340107A 記憶體中動態感測區間的方法與裝置审中-公开
简体标题：内存中动态传感区间的方法与设备
公开(公告)号：TW201340107A
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW101109369
申请日：2012-03-19
申请人：旺宏電子股份有限公司 , MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
发明人：陳重光 , CHEN, CHUNG KUANG , 陳漢松 , CHEN, HAN SUNG , 洪俊雄 , HUNG, CHUN HSIUNG
IPC分类号： G11C16/04
摘要：本發明揭露一記憶陣列。該記憶陣列由一臨界定義加以特性化，其包括複數個臨界電壓範圍代表由該記憶陣列的一部分儲存的資料值，以及一組感測區間分隔該複數個臨界電壓範圍。該臨界定義會變動而響應程式化操作及抹除操作至少之一者。如此的操作變動由該記憶陣列的該部分儲存的該資料值之一分佈。
简体摘要：本发明揭露一记忆数组。该记忆数组由一临界定义加以特性化，其包括复数个临界电压范围代表由该记忆数组的一部分存储的数据值，以及一组传感区间分隔该复数个临界电压范围。该临界定义会变动而响应进程化操作及抹除操作至少之一者。如此的操作变动由该记忆数组的该部分存储的该数据值之一分布。

7. 发明专利

TWI376789B 用以修復記憶體之方法與裝置 METHOD AND APPARATUS FOR REPAIRING MEMORY 有权
简体标题：用以修复内存之方法与设备 METHOD AND APPARATUS FOR REPAIRING MEMORY
公开(公告)号：TWI376789B
公开(公告)日：2012-11-11
申请号：TW096122306
申请日：2007-06-21
申请人：旺宏電子股份有限公司
发明人：洪俊雄 , 陳漢松 , 郭乃萍 , 羅思覺
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G11C29/56 , G11C29/56008 , G11C29/88
摘要：本發明係揭露一種方法與其裝置，會從一測試機所傳送之一修復指令，係致使一正在進行測試之積體電路將此積體電路中之一第一組記憶胞之失效位置，由此積體電路中之一第二組記憶胞所取代，而此修復指令係忽略此積體電路之第一組記憶胞之失效位置。
Methods and apparatuses are disclosed in which a repair instruction, such as from a tester, causes an integrated circuit undergoing testing to substitute defective locations of a first set of memory cells in the integrated circuit with a second set of memory cells in the integrated circuit, despite the repair instruction omitting the defective locations of the first set of memory cells of the integrated circuit.
简体摘要：本发明系揭露一种方法与其设备，会从一测试机所发送之一修复指令，系致使一正在进行测试之集成电路将此集成电路中之一第一组记忆胞之失效位置，由此集成电路中之一第二组记忆胞所取代，而此修复指令系忽略此集成电路之第一组记忆胞之失效位置。 Methods and apparatuses are disclosed in which a repair instruction, such as from a tester, causes an integrated circuit undergoing testing to substitute defective locations of a first set of memory cells in the integrated circuit with a second set of memory cells in the integrated circuit, despite the repair instruction omitting the defective locations of the first set of memory cells of the integrated circuit.

8. 发明专利

TW201133504A 根據取樣和保持之源極端感測的汲入電流系統 CURRENT SINK SYSTEM BASED ON SAMPLE AND HOLD FOR SOURCE SIDE SENSING 审中-公开
简体标题：根据采样和保持之源极端传感的汲入电流系统 CURRENT SINK SYSTEM BASED ON SAMPLE AND HOLD FOR SOURCE SIDE SENSING
公开(公告)号：TW201133504A
公开(公告)日：2011-10-01
申请号：TW099108947
申请日：2010-03-25
申请人：旺宏電子股份有限公司
发明人：廖國裕 , 陳漢松 , 洪俊雄
IPC分类号： G11C
摘要：此處所描述之源極端感測技術根據自此記憶胞源極終端所讀取之電流與自該讀取電流所導入之汲入電流之間的差值來決定儲存於記憶胞中的資料值。此汲入電流係響應由一介於第一與第二節點之間的操作電壓大小而導入。於第一時間區間中，係響應該參考電流的大小而使用一回授路徑設定該操作電壓。在該第一時間區間之後的一第二時間區間中，保持該操作電壓而與該回授路徑無關。儲存於該被選取記憶胞中的資料值是根據在第二時間區間中該讀取電流與該汲入電流之間的差值而決定。
简体摘要：此处所描述之源极端传感技术根据自此记忆胞源极终端所读取之电流与自该读取电流所导入之汲入电流之间的差值来决定存储于记忆胞中的数据值。此汲入电流系响应由一介于第一与第二节点之间的操作电压大小而导入。于第一时间区间中，系响应该参考电流的大小而使用一回授路径设置该操作电压。在该第一时间区间之后的一第二时间区间中，保持该操作电压而与该回授路径无关。存储于该被选取记忆胞中的数据值是根据在第二时间区间中该读取电流与该汲入电流之间的差值而决定。

9. 发明专利

TW201113899A 源極端感測的汲入電流系統 CURRENT SINK SYSTEM FOR SOURCE SIDE SENSING 审中-公开
简体标题：源极端传感的汲入电流系统 CURRENT SINK SYSTEM FOR SOURCE SIDE SENSING
公开(公告)号：TW201113899A
公开(公告)日：2011-04-16
申请号：TW099118968
申请日：2010-06-10
申请人：旺宏電子股份有限公司
发明人：陳重光 , 陳漢松 , 洪俊雄
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C7/067 , G11C7/062 , G11C7/14 , G11C16/28 , G11C2207/063
摘要：此處所描述之源極端感測技術根據自此記憶胞源極終端所讀取之電流與自該讀取電流所導入之汲入電流之間的差値來決定儲存於記憶胞中的資料値。此汲入電流係響應一個由例如是參考胞之參考電流源所提供的參考電流大小而導入。
简体摘要：此处所描述之源极端传感技术根据自此记忆胞源极终端所读取之电流与自该读取电流所导入之汲入电流之间的差値来决定存储于记忆胞中的数据値。此汲入电流系响应一个由例如是参考胞之参考电流源所提供的参考电流大小而导入。

10. 发明专利

TW564426B 感測放大器之可調整參考端位元線負載的電路及方法有权
简体标题：传感放大器之可调整参考端比特线负载的电路及方法
公开(公告)号：TW564426B
公开(公告)日：2003-12-01
申请号：TW091115381
申请日：2002-07-09
申请人：旺宏電子股份有限公司
发明人：陳漢松 , 廖國裕 , 柏正豪 , 洪俊雄
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C29/026 , G11C7/062 , G11C7/12 , G11C16/28 , G11C29/02 , G11C29/025 , G11C29/028 , G11C2029/1204 , G11C2207/2254
摘要：一種感測放大器之可調整參考端位元線負載的電路及方法，該感測放大器比較感測節點上之電壓及參考端資料線節點上之電壓以決定感測的信號，該感測節點被選擇性地連接至記憶胞，以產生表示該記憶胞中之儲存資料的電壓在該感測節點上，該電路包括參考胞單元及參考端位元線單元連接至參考端位元線節點，該參考端位元線節點受控連接至該參考端資料線節點，該參考胞單元含有至少一個參考胞，以提供參考電流給該參考端位元線節點，該參考端位元線單元含有至少一條參考端位元線被選擇性地截斷，以決定該參考端位元線負載。
简体摘要：一种传感放大器之可调整参考端比特线负载的电路及方法，该传感放大器比较传感节点上之电压及参考端数据线节点上之电压以决定传感的信号，该传感节点被选择性地连接至记忆胞，以产生表示该记忆胞中之存储数据的电压在该传感节点上，该电路包括参考胞单元及参考端比特线单元连接至参考端比特线节点，该参考端比特线节点受控连接至该参考端数据线节点，该参考胞单元含有至少一个参考胞，以提供参考电流给该参考端比特线节点，该参考端比特线单元含有至少一条参考端比特线被选择性地截断，以决定该参考端比特线负载。

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