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1. 发明专利

TW200402761A 半導體裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 失效
简体标题：半导体设备及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200402761A
公开(公告)日：2004-02-16
申请号：TW092104208
申请日：2003-02-27
申请人：日立製作所股份有限公司 HITACHI, LTD.
发明人：茂庭明美 , 山本治朗 , 村井二三夫 , 福田宏
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G03F1/20 , H01J2237/31794 , Y10S430/143
摘要：本發明之課題係在電子束投影曝光用之互補分割光罩中，隨著電流值增加而發生細微加工性的劣化。其解決之手段係在電子束投影曝光用之互補分割光罩中，於一個光罩上配置尺寸精度高的圖案，而於另一個光罩上配置此外的圖案。可降低精度要求高之圖案的電流值，且可實現高的轉印精度。又，可以高產能(throughput)形成高精度圖案
简体摘要：本发明之课题系在电子束投影曝光用之互补分割光罩中，随着电流值增加而发生细微加工性的劣化。其解决之手段系在电子束投影曝光用之互补分割光罩中，于一个光罩上配置尺寸精度高的图案，而于另一个光罩上配置此外的图案。可降低精度要求高之图案的电流值，且可实现高的转印精度。又，可以高产能(throughput)形成高精度图案

2. 发明专利

TW292400B 光罩、光罩之製造方法、圖型形成方法、半導體裝置之製造方法及光罩圖型設計用之裝置失效
简体标题：光罩、光罩之制造方法、图型形成方法、半导体设备之制造方法及光罩图型设计用之设备
公开(公告)号：TW292400B
公开(公告)日：1996-12-01
申请号：TW084105766
申请日：1995-06-07
申请人：日立製作所股份有限公司
发明人：今井彰 , 寺澤男 , 早野勝也 , 岡崎信次 , 長谷川昇雄 , 茂庭明美 , 福田宏
IPC分类号： H01L
摘要：本發明係藉投影曝光裝置，防止轉印光罩圖型時因所使用之光罩之解析度不良造成製造良品率降低，或防止發生不要之投影像為目的，且在由半透明膜、位相位移所形成之半透明區域中，設計由透明區域所形成之主要圖型，光通過各個區域之位相差實質上係１８０之光罩°。在此光罩主要圖型周圍，透過光之位相差與主要圖型相同，且配置透明輔助圖型。例如主要圖型之中心或預期中心線與輔助圖型之中心或預期之中心線之距離Ｄ，係符合Ｄ＝ｂλ／ＮＡｍ（但ＮＡｍ係投影光學系統之光罩數值孔徑，λ係曝光波長，ｂ係範圍值１．３５＜ｂ≦１．９之係數）關係式所配置之輔助圖型。
简体摘要：本发明系藉投影曝光设备，防止转印光罩图型时因所使用之光罩之分辨率不良造成制造良品率降低，或防止发生不要之投影像为目的，且在由半透明膜、位相位移所形成之半透明区域中，设计由透明区域所形成之主要图型，光通过各个区域之位相差实质上系１８０之光罩°。在此光罩主要图型周围，透过光之位相差与主要图型相同，且配置透明辅助图型。例如主要图型之中心或预期中心线与辅助图型之中心或预期之中心线之距离Ｄ，系符合Ｄ＝ｂλ／ＮＡｍ（但ＮＡｍ系投影光学系统之光罩数值孔径，λ系曝光波长，ｂ系范围值１．３５＜ｂ≦１．９之系数）关系式所配置之辅助图型。

3. 发明专利

TW091421B 半導體積體電路裝置失效
简体标题：半导体集成电路设备
公开(公告)号：TW091421B
公开(公告)日：1987-10-01
申请号：TW075102220
申请日：1986-05-19
申请人：日立超愛爾.愛斯.愛工程股份有限公司 , 日立製作所股份有限公司
发明人：大久保京夫 , 日月央 , 高橋收 , 深澤武 , 福田宏
IPC分类号： H01L

4. 发明专利

TWI233149B 圖案形成方法以及半導體裝置的製造方法 Pattern-forming method and manufacturing method of semiconductor device 失效
简体标题：图案形成方法以及半导体设备的制造方法 Pattern-forming method and manufacturing method of semiconductor device
公开(公告)号：TWI233149B
公开(公告)日：2005-05-21
申请号：TW091123202
申请日：2002-10-08
申请人：日立製作所股份有限公司 HITACHI, LTD.
发明人：村井二三夫 MURAI, FUMIO , 福田宏
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/3174 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/78 , H01J37/3026 , H01J2237/31764 , H01J2237/31769
摘要：本發明之解決手段，係在考慮後方散射、庫倫效應、處理過程導致之尺寸誤差之各影響範圍的情形下，將曝光圖案分割成區分區域，儲存區分區域內之圖案面積佔有率(圖案面積密度)，並利用以各圖案面積密度之函數求取圖案變形量之圖案實施曝光。
本發明之效果，係可製作藉由所謂後方散射、庫倫效應、處理過程導致之尺寸誤差之複數個原因所造成之尺寸誤差補償的遮罩，並可得到高精度的曝光圖案。又，利用面積密度圖，可大幅縮短補償上必要之資料處理時間。
简体摘要：本发明之解决手段，系在考虑后方散射、库伦效应、处理过程导致之尺寸误差之各影响范围的情形下，将曝光图案分割成区分区域，存储区分区域内之图案面积占有率(图案面积密度)，并利用以各图案面积密度之函数求取图案变形量之图案实施曝光。本发明之效果，系可制作借由所谓后方散射、库伦效应、处理过程导致之尺寸误差之复数个原因所造成之尺寸误差补偿的遮罩，并可得到高精度的曝光图案。又，利用面积密度图，可大幅缩短补偿上必要之数据处理时间。

5. 发明专利

TW180819B 形成圖型之方法及投影曝光裝置失效
简体标题：形成图型之方法及投影曝光设备
公开(公告)号：TW180819B
公开(公告)日：1992-03-21
申请号：TW080107583
申请日：1991-09-25
申请人：日立製作所股份有限公司
发明人：寺澤蓌男 , 福田宏
IPC分类号： H01L
摘要：揭示圖型形成的新穎方法秋投影曝光裝置，其中在用於形成ＬＳＩ圖型等等之投影曝光裝置之投影透鏡的光瞳上裝設濾光器，其複數振幅透射比分布表示為Ｔ（ｒ）＝ｃｏｓ（２πβｒ2－θ／２），做為由光瞳之最大半徑來標準化之徑向座標ｒ的函數。另一方面，求得畫在ＬＳＩ上之配置圖型的傳立葉變換，所得的傳立葉變換資料乘上ｃｏｓ（２πβｒ2－θ／２）（其中ｆ是空間頻率，β、θ是適當的實數），所得的乘積做反應立葉變換以產生圖型，此圖型或其近似解做為掩模圖型，藉以由曝光來產生ＬＳＩ。結果，即使ＮＡ增加且波長縮短以增進解析度限制，也可同時得到大的焦深和高的影像品質。因此可使用光學曝光系統來形成０ . ２至０ . ３μｍ的圖型。
简体摘要：揭示图型形成的新颖方法秋投影曝光设备，其中在用于形成ＬＳＩ图型等等之投影曝光设备之投影透镜的光瞳上装设滤光器，其复数振幅透射比分布表示为Ｔ（ｒ）＝ｃｏｓ（２πβｒ2－θ／２），做为由光瞳之最大半径来标准化之径向座标ｒ的函数。另一方面，求得画在ＬＳＩ上之配置图型的传立叶变换，所得的传立叶变换数据乘上ｃｏｓ（２πβｒ2－θ／２）（其中ｆ是空间频率，β、θ是适当的实数），所得的乘积做反应立叶变换以产生图型，此图型或其近似解做为掩模图型，借以由曝光来产生ＬＳＩ。结果，即使ＮＡ增加且波长缩短以增进分辨率限制，也可同时得到大的焦深和高的影像品质。因此可使用光学曝光系统来形成０ . ２至０ . ３μｍ的图型。

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