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1. 发明专利

TW201604919A 電漿處理裝置及電漿處理方法审中-公开
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TW201604919A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW104105332
申请日：2015-02-16
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：川上雅敏 , KAWAKAMI, MASATOSHI , 北田裕穂 , KITADA, HIROHO , 木原秀樹 , KIHARA, HIDEKI , 楠本広則 , KUSUMOTO, HIRONORI , 角屋誠浩 , SUMIYA, MASAHIRO , 田中基裕 , TANAKA, MOTOHIRO , 高妻豊 , KOZUMA, YUTAKA
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/67
CPC分类号： H01J37/32449 , H01J37/32816 , H01J37/32834
摘要：本發明的課題是在於提供一種使處理的良品率提升的電漿處理裝置或電漿處理方法。其解決手段係一種電漿處理裝置，其係具備：試料台，其係配置於真空容器內部，配置於形成有電漿的處理室內，具有用以載置利用前述電漿來處理的晶圓之載置面；排氣泵，其係使連結至前述處理室內的試料台的下方所配置的排氣口而配置；及調節機，其係調節來自前述排氣口的排氣量，其特徵為：在切換第1處理步驟及第2處理步驟而將該等重複而實施之前述晶圓的處理中，前述調節機係將前述處理室內的壓力調節成預定的值，該第1處理步驟係於前述處理室內，一面從前述載置面的上方供給第1處理用氣體，一面從前述載置面的下方供給第2處理用氣體，利用前述第1處理用氣體來處理前述晶圓；該第2處理步驟係於前述處理室內，一面從前述載置面的上方供給第2處理用氣體，一面從前述載置面的下方供給第1處理用氣體，利用前述第2處理用氣體來處理前述晶圓。
简体摘要：本发明的课题是在于提供一种使处理的良品率提升的等离子处理设备或等离子处理方法。其解决手段系一种等离子处理设备，其系具备：试料台，其系配置于真空容器内部，配置于形成有等离子的处理室内，具有用以载置利用前述等离子来处理的晶圆之载置面；排气泵，其系使链接至前述处理室内的试料台的下方所配置的排气口而配置；及调节机，其系调节来自前述排气口的排气量，其特征为：在切换第1处理步骤及第2处理步骤而将该等重复而实施之前述晶圆的处理中，前述调节机系将前述处理室内的压力调节成预定的值，该第1处理步骤系于前述处理室内，一面从前述载置面的上方供给第1处理用气体，一面从前述载置面的下方供给第2处理用气体，利用前述第1处理用气体来处理前述晶圆；该第2处理步骤系于前述处理室内，一面从前述载置面的上方供给第2处理用气体，一面从前述载置面的下方供给第1处理用气体，利用前述第2处理用气体来处理前述晶圆。

2. 发明专利

TW201843732A 電漿處理裝置及電漿處理方法审中-公开
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TW201843732A
公开(公告)日：2018-12-16
申请号：TW106133314
申请日：2017-09-28
申请人：日商日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：川上雅敏 , KAWAKAMI, MASATOSHI , 田中基裕 , TANAKA, MOTOHIRO , 園田靖 , SONODA, YASUSHI , 佐藤浩平 , SATOU, KOUHEI , 安井尚輝 , YASUI, NAOKI
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/67 , H01J37/32
摘要：本發明的課題，係提供提升處理的良率的電漿處理裝置或電漿處理方法。　　本發明的解決手段是一種電漿處理裝置或方法，係對配置於真空容器內部的處理室內，透過氣體供給單元供給所定流量的處理用氣體，並利用包含使用以各種不同條件供給之前述處理用氣體，於處理室內形成電漿之複數處理步驟的工程，來對被配置於前述處理室內的試料台上所載置之晶圓進行處理，其中，前述工程，係具備在前述前後兩個處理步驟之間對前述處理室內供給稀有氣體的轉移步驟；該轉移步驟，係包含前述稀有氣體以其壓力成為與前述前處理步驟中所用之前述處理用氣體的條件相等之方式被調節且供給的第1轉移步驟，與在該第1轉移步驟之後，前述稀有氣體以其壓力與流量成為與前述後處理步驟中所用之前述處理用氣體的條件相等之方式被調節且供給的第2轉移步驟。
简体摘要：本发明的课题，系提供提升处理的良率的等离子处理设备或等离子处理方法。　　本发明的解决手段是一种等离子处理设备或方法，系对配置于真空容器内部的处理室内，透过气体供给单元供给所定流量的处理用气体，并利用包含使用以各种不同条件供给之前述处理用气体，于处理室内形成等离子之复数处理步骤的工程，来对被配置于前述处理室内的试料台上所载置之晶圆进行处理，其中，前述工程，系具备在前述前后两个处理步骤之间对前述处理室内供给稀有气体的转移步骤；该转移步骤，系包含前述稀有气体以其压力成为与前述前处理步骤中所用之前述处理用气体的条件相等之方式被调节且供给的第1转移步骤，与在该第1转移步骤之后，前述稀有气体以其压力与流量成为与前述后处理步骤中所用之前述处理用气体的条件相等之方式被调节且供给的第2转移步骤。

3. 发明专利

TWI672742B 電漿處理裝置及電漿處理方法有权
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TWI672742B
公开(公告)日：2019-09-21
申请号：TW106133314
申请日：2017-09-28
申请人：日商日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：川上雅敏 , KAWAKAMI, MASATOSHI , 田中基裕 , TANAKA, MOTOHIRO , 園田靖 , SONODA, YASUSHI , 佐藤浩平 , SATOU, KOUHEI , 安井尚輝 , YASUI, NAOKI
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/67 , H01J37/32

4. 发明专利

TWI592979B 電漿處理裝置及電漿處理方法有权
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TWI592979B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：TW104105332
申请日：2015-02-16
申请人：日立全球先端科技股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION
发明人：川上雅敏 , KAWAKAMI, MASATOSHI , 北田裕穂 , KITADA, HIROHO , 木原秀樹 , KIHARA, HIDEKI , 楠本広則 , KUSUMOTO, HIRONORI , 角屋誠浩 , SUMIYA, MASAHIRO , 田中基裕 , TANAKA, MOTOHIRO , 高妻豊 , KOZUMA, YUTAKA
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/67
CPC分类号： H01J37/32449 , H01J37/32816 , H01J37/32834

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