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1. 发明专利

TW201842533A 電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW201842533A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107110591
申请日：2018-03-28
申请人：日商芝浦機械電子裝置股份有限公司 , SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION
发明人：川又由雄 , KAWAMATA, YOSHIO , 小野大祐 , ONO, DAISUKE
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/673
摘要：本發明提供一種電漿處理裝置，其可根據旋轉體的表面的經過速度不同的位置來對藉由旋轉體而循環搬送的工件進行所期望的電漿處理。本發明包括：真空容器；旋轉體；藉由旋轉體的旋轉而以圓周的搬送路徑循環搬送工件的搬送部；筒部，在一端的開口朝向真空容器的內部的搬送路徑的方向上延伸存在；窗部，將筒部的氣體空間與外部之間加以劃分；供給部，將製程氣體供給至氣體空間；以及天線，藉由施加電力而在氣體空間的製程氣體中產生對經過搬送路徑的工件進行電漿處理的電感耦合電漿，且具有調節部。
简体摘要：本发明提供一种等离子处理设备，其可根据旋转体的表面的经过速度不同的位置来对借由旋转体而循环搬送的工件进行所期望的等离子处理。本发明包括：真空容器；旋转体；借由旋转体的旋转而以圆周的搬送路径循环搬送工件的搬送部；筒部，在一端的开口朝向真空容器的内部的搬送路径的方向上延伸存在；窗部，将筒部的气体空间与外部之间加以划分；供给部，将制程气体供给至气体空间；以及天线，借由施加电力而在气体空间的制程气体中产生对经过搬送路径的工件进行等离子处理的电感耦合等离子，且具有调节部。

2. 发明专利

TWI695183B 成膜裝置有权
简体标题：成膜设备
公开(公告)号：TWI695183B
公开(公告)日：2020-06-01
申请号：TW107131211
申请日：2018-09-06
申请人：日商芝浦機械電子裝置股份有限公司 , SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION
发明人：小野大祐 , ONO, DAISUKE , 神戸優 , KAMBE, YU
IPC分类号： G02B1/10 , C23C14/34

3. 发明专利

TWI641711B 成膜裝置及成膜方法有权
简体标题：成膜设备及成膜方法
公开(公告)号：TWI641711B
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：TW106108632
申请日：2017-03-16
申请人：日商芝浦機械電子裝置股份有限公司 , SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION
发明人：小野大祐 , ONO, DAISUKE
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/54 , C23C14/08 , H01B1/08 , H01B5/14 , H01B13/00 , G06F3/041

4. 发明专利

TWI692797B 電漿處理裝置有权
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TWI692797B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：TW107110591
申请日：2018-03-28
申请人：日商芝浦機械電子裝置股份有限公司 , SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION
发明人：川又由雄 , KAWAMATA, YOSHIO , 小野大祐 , ONO, DAISUKE
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/673

5. 发明专利

TW201734242A 成膜裝置及成膜方法审中-公开
简体标题：成膜设备及成膜方法
公开(公告)号：TW201734242A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW106108632
申请日：2017-03-16
申请人：芝浦機械電子裝置股份有限公司 , SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION
发明人：小野大祐 , ONO, DAISUKE
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/54 , C23C14/08 , H01B1/08 , H01B5/14 , H01B13/00 , G06F3/041
CPC分类号： C23C14/3457 , C23C14/0042 , C23C14/086 , C23C14/54 , H01J37/32449 , H01J37/3426 , H01J37/347 , H01J37/3476
摘要：本發明提供一種成膜裝置及成膜方法，進行將氧保持為適當量、品質良好且品質的不均少的成膜。成膜裝置1包括：作為密閉容器的腔室2，配置著包含成膜材料的靶材231，內部被搬入工件W；排氣裝置25，在工件W的搬入後，將腔室2排氣規定的排氣時間而形成基礎壓力；以及濺鍍氣體導入部27，向排氣成基礎壓力的腔室2的內部導入含氧的濺鍍氣體。濺鍍氣體導入部27根據附著在腔室2的內部的成膜材料的增加所引起的基礎壓力的上升，使導入到腔室2的濺鍍氣體的氧分壓減少。
简体摘要：本发明提供一种成膜设备及成膜方法，进行将氧保持为适当量、品质良好且品质的不均少的成膜。成膜设备1包括：作为密闭容器的腔室2，配置着包含成膜材料的靶材231，内部被搬入工件W；排气设备25，在工件W的搬入后，将腔室2排气规定的排气时间而形成基础压力；以及溅镀气体导入部27，向排气成基础压力的腔室2的内部导入含氧的溅镀气体。溅镀气体导入部27根据附着在腔室2的内部的成膜材料的增加所引起的基础压力的上升，使导入到腔室2的溅镀气体的氧分压减少。

6. 发明专利

TWI604758B 電漿處理裝置有权
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TWI604758B
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW105143327
申请日：2016-12-27
申请人：芝浦機械電子裝置股份有限公司 , SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION
发明人：小野大祐 , ONO, DAISUKE
IPC分类号： H05H1/38 , H05K3/46

7. 发明专利

TW201724919A 電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW201724919A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105143327
申请日：2016-12-27
申请人：芝浦機械電子裝置股份有限公司 , SHIBAURA MECHATRONICS CORPORATION
发明人：小野大祐 , ONO, DAISUKE
IPC分类号： H05H1/38 , H05K3/46
摘要：本發明提供一種電漿處理裝置，其即使在對包含絕緣物的工件進行處理的情況下，也能使電漿放電穩定化。電漿處理裝置包括：筒形電極（10），一端設有開口部（11），內部被導入工藝氣體；RF電源（15），對筒形電極（10）施加電壓；作為搬送部的旋轉平臺（3），一邊循環搬送工件（W），一邊使所述工件通過被施加有電壓的所述筒形電極的開口部（11）之下；以及電子誘導構件（17），配置在開口部（11）與旋轉平臺（3）之間。
简体摘要：本发明提供一种等离子处理设备，其即使在对包含绝缘物的工件进行处理的情况下，也能使等离子放电稳定化。等离子处理设备包括：筒形电极（10），一端设有开口部（11），内部被导入工艺气体；RF电源（15），对筒形电极（10）施加电压；作为搬送部的旋转平台（3），一边循环搬送工件（W），一边使所述工件通过被施加有电压的所述筒形电极的开口部（11）之下；以及电子诱导构件（17），配置在开口部（11）与旋转平台（3）之间。

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