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1. 发明专利

TWI630230B 半導體裝置及半導體元件保護用材料有权
简体标题：半导体设备及半导体组件保护用材料
公开(公告)号：TWI630230B
公开(公告)日：2018-07-21
申请号：TW105126219
申请日：2016-08-17
申请人：日商積水化學工業股份有限公司 , SEKISUI CHEMICAL CO., LTD.
发明人：西村貴史 , NISHIMURA, TAKASHI , 前中寬 , MAENAKA, HIROSHI , 中村秀 , NAKAMURA, SHIGERU , 青山卓司 , AOYAMA, TAKUJI , 小林祐輔 , KOBAYASHI, YUUSUKE
IPC分类号： C08L63/00

2. 发明专利

TW201634608A 光硬化性組合物及電子零件之製造方法审中-公开
简体标题：光硬化性组合物及电子零件之制造方法
公开(公告)号：TW201634608A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW104142538
申请日：2015-12-17
申请人：積水化學工業股份有限公司 , SEKISUI CHEMICAL CO., LTD.
发明人：金千鶴 , KIM, CHIZURU , 西村貴史 , NISHIMURA, TAKASHI , 高橋駿夫 , TAKAHASHI, TOSHIO , 前中寬 , MAENAKA, HIROSHI , 中村秀 , NAKAMURA, SHIGERU
IPC分类号： C09D133/14 , C09D4/00 , C09D7/12 , H05K3/28
CPC分类号： C08F290/06 , C08G75/04 , C08G75/045 , H05K3/28
摘要：本發明提供一種可獲得即便暴露於高溫下亦不易產生發泡、剝離及變色之硬化物膜，且藉由使用白色顏料而可獲得高光反射率之硬化物膜的光硬化性組合物。本發明之光硬化性組合物包含：光硬化性化合物，其不具有羧基，具有2個以上乙烯性不飽和鍵，且具有2000以上之重量平均分子量；反應性稀釋劑，其具有1個以上乙烯性不飽和鍵；含硫醇基之化合物，其具有1個以上硫醇基；白色顏料；及光聚合起始劑；且其不包含熱硬化性化合物或包含熱硬化性化合物5重量%以下。
简体摘要：本发明提供一种可获得即便暴露于高温下亦不易产生发泡、剥离及变色之硬化物膜，且借由使用白色颜料而可获得高光反射率之硬化物膜的光硬化性组合物。本发明之光硬化性组合物包含：光硬化性化合物，其不具有羧基，具有2个以上乙烯性不饱和键，且具有2000以上之重量平均分子量；反应性稀释剂，其具有1个以上乙烯性不饱和键；含硫醇基之化合物，其具有1个以上硫醇基；白色颜料；及光聚合起始剂；且其不包含热硬化性化合物或包含热硬化性化合物5重量%以下。

3. 发明专利

TW201729998A 積層體审中-公开
简体标题：积层体
公开(公告)号：TW201729998A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105131570
申请日：2016-09-30
申请人：積水化學工業股份有限公司 , SEKISUI CHEMICAL CO., LTD.
发明人：前中寬 , MAENAKA, HIROSHI , 乾靖 , INUI, OSAMU
IPC分类号： B32B15/08 , H05K3/38
CPC分类号： B32B15/08 , H05K1/02
摘要：本發明提供一種可降低熱阻且可抑制冷熱循環後之剝離之積層體。本發明之積層體包含絕緣樹脂層、作為金屬箔或金屬板之第1金屬材料、及作為金屬箔或金屬板之第2金屬材料，上述第1金屬材料係積層於上述絕緣樹脂層之第1表面，且上述第2金屬材料係積層於上述絕緣樹脂層之與上述第1表面相反之第2表面，上述絕緣樹脂層之厚度為200 μm以下，上述第1金屬材料與上述第2金屬材料之合計厚度為200 μm以上，上述第1金屬材料之厚度相對於上述第2金屬材料之厚度之比為0.2以上且5以下，且上述第1金屬材料之與上述絕緣樹脂層側相反之表面之表面積相對於上述第2金屬材料之與上述絕緣樹脂層側相反之表面之表面積的比為0.5以上且2以下。
简体摘要：本发明提供一种可降低热阻且可抑制冷热循环后之剥离之积层体。本发明之积层体包含绝缘树脂层、作为金属箔或金属板之第1金属材料、及作为金属箔或金属板之第2金属材料，上述第1金属材料系积层于上述绝缘树脂层之第1表面，且上述第2金属材料系积层于上述绝缘树脂层之与上述第1表面相反之第2表面，上述绝缘树脂层之厚度为200 μm以下，上述第1金属材料与上述第2金属材料之合计厚度为200 μm以上，上述第1金属材料之厚度相对于上述第2金属材料之厚度之比为0.2以上且5以下，且上述第1金属材料之与上述绝缘树脂层侧相反之表面之表面积相对于上述第2金属材料之与上述绝缘树脂层侧相反之表面之表面积的比为0.5以上且2以下。

4. 发明专利

TW201535537A 電子零件之製造方法及電子零件审中-公开
简体标题：电子零件之制造方法及电子零件
公开(公告)号：TW201535537A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW103140101
申请日：2014-11-19
申请人：積水化學工業股份有限公司 , SEKISUI CHEMICAL CO., LTD.
发明人：谷川滿 , TANIKAWA, MITSURU , 渡邊貴志 , WATANABE, TAKASHI , 上田倫久 , UEDA, MICHIHISA , 中村秀 , NAKAMURA, SHIGERU , 前中寬 , MAENAKA, HIROSHI , 高橋良輔 , TAKAHASHI, RYOSUKE , 井上孝德 , INOUE, TAKANORI , 藤田義人 , FUJITA, YOSHITO
IPC分类号： H01L21/52 , H01L21/60 , C09J4/02 , C09J5/06
CPC分类号： H01L21/02288 , C08F220/10 , C09J4/00 , C09J5/00 , C09J2205/31 , H01L21/52 , H01L21/78 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/743 , H01L24/83 , H01L2224/27318 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/8385 , H01L2224/83862 , H01L2224/83874 , H01L2224/83885 , H01L2224/8592 , H01L2924/00014 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要：本發明提供一種可高精度且容易地形成經硬化之接著劑層之電子零件之製造方法。本發明之硬化性膜電子零件1之製造方法具備：塗佈步驟，其係使用噴墨裝置11，於第1電子零件本體2上塗佈接著劑，形成接著劑層12；第1光照射步驟，其係自第1光照射部13對接著劑層12A照射光；貼合步驟，其係於經照射光之接著劑層12B上配置第2電子零件本體4並進行貼合；及加熱步驟，其係藉由加熱使接著劑層12B硬化，獲得電子零件1，且噴墨裝置11具有貯存上述接著劑之墨水槽、噴出部及循環流路部，於上述塗佈步驟中，於噴墨裝置11內一面使上述接著劑循環一面塗佈。
简体摘要：本发明提供一种可高精度且容易地形成经硬化之接着剂层之电子零件之制造方法。本发明之硬化性膜电子零件1之制造方法具备：涂布步骤，其系使用喷墨设备11，于第1电子零件本体2上涂布接着剂，形成接着剂层12；第1光照射步骤，其系自第1光照射部13对接着剂层12A照射光；贴合步骤，其系于经照射光之接着剂层12B上配置第2电子零件本体4并进行贴合；及加热步骤，其系借由加热使接着剂层12B硬化，获得电子零件1，且喷墨设备11具有贮存上述接着剂之墨水槽、喷出部及循环流路部，于上述涂布步骤中，于喷墨设备11内一面使上述接着剂循环一面涂布。

5. 发明专利

TWI543312B 積層體及功率半導體模組用零件之製造方法有权
简体标题：积层体及功率半导体模块用零件之制造方法
公开(公告)号：TWI543312B
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：TW101139807
申请日：2012-10-26
申请人：積水化學工業股份有限公司 , SEKISUI CHEMICAL CO., LTD.
发明人：前中寬 , MAENAKA, HIROSHI , 近藤峻右 , KONDOU, SYUNSUKE , 渡邊貴志 , WATANABE, TAKASHI , 通口勳夫 , HIGUCHI, ISAO
IPC分类号： H01L23/29 , H01L23/31
CPC分类号： B32B27/20 , B32B27/08 , B32B2307/302 , B32B2457/14 , H01L23/3737 , H01L23/4334 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

6. 发明专利

TWI525135B 硬化物膜之製造方法、電子零件之製造方法及電子零件有权
简体标题：硬化物膜之制造方法、电子零件之制造方法及电子零件
公开(公告)号：TWI525135B
公开(公告)日：2016-03-11
申请号：TW103138591
申请日：2014-11-06
申请人：積水化學工業股份有限公司 , SEKISUI CHEMICAL CO., LTD.
发明人：谷川滿 , TANIKAWA, MITSURU , 渡邊貴志 , WATANABE, TAKASHI , 上田倫久 , UEDA, MICHIHISA , 中村秀 , NAKAMURA, SHIGERU , 前中寬 , MAENAKA, HIROSHI , 高橋良輔 , TAKAHASHI, RYOSUKE , 井上孝德 , INOUE, TAKANORI , 藤田義人 , FUJITA, YOSHITO , 乾靖 , INUI, OSAMU
IPC分类号： C08J3/28 , H05K3/28
CPC分类号： C09D4/00 , B41J3/407 , B41J11/002 , C09D11/101 , C09D11/30 , C09D11/52 , H05K3/287 , H05K2203/013 , H05K2203/0577

7. 发明专利

TW201320260A 積層體及功率半導體模組用零件之製造方法审中-公开
简体标题：积层体及功率半导体模块用零件之制造方法
公开(公告)号：TW201320260A
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：TW101139807
申请日：2012-10-26
申请人：積水化學工業股份有限公司 , SEKISUI CHEMICAL CO., LTD.
发明人：前中寬 , MAENAKA, HIROSHI , 近藤峻右 , KONDOU, SYUNSUKE , 渡邊貴志 , WATANABE, TAKASHI , 通口勳夫 , HIGUCHI, ISAO
IPC分类号： H01L23/29 , H01L23/31
CPC分类号： B32B27/20 , B32B27/08 , B32B2307/302 , B32B2457/14 , H01L23/3737 , H01L23/4334 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種絕緣層之導熱性較高、且絕緣層與導電層之接著性較高之積層體。本發明之積層體1包括：導熱體2，其導熱率為10 W/m．K以上；第1絕緣層3，其積層於導熱體2之表面；及第2絕緣層4，其積層於第1絕緣層3之表面。積層體1係於第2絕緣層3上積層導電層而使用。第1絕緣層3以86重量%以上且未達97重量%含有導熱率為10 W/m．K以上之無機填料，且第2絕緣層4以67重量%以上且未達95重量%含有無機填料。第1絕緣層3之硬化率為50%以上，第2絕緣層4之硬化率未達80%，且第1絕緣層3之硬化率大於第2絕緣層4之硬化率。
简体摘要：本发明提供一种绝缘层之导热性较高、且绝缘层与导电层之接着性较高之积层体。本发明之积层体1包括：导热体2，其导热率为10 W/m．K以上；第1绝缘层3，其积层于导热体2之表面；及第2绝缘层4，其积层于第1绝缘层3之表面。积层体1系于第2绝缘层3上积层导电层而使用。第1绝缘层3以86重量%以上且未达97重量%含有导热率为10 W/m．K以上之无机填料，且第2绝缘层4以67重量%以上且未达95重量%含有无机填料。第1绝缘层3之硬化率为50%以上，第2绝缘层4之硬化率未达80%，且第1绝缘层3之硬化率大于第2绝缘层4之硬化率。

8. 发明专利

TWI545150B 硬化物膜之製造方法、電子零件之製造方法及電子零件有权
简体标题：硬化物膜之制造方法、电子零件之制造方法及电子零件
公开(公告)号：TWI545150B
公开(公告)日：2016-08-11
申请号：TW104133089
申请日：2014-11-06
申请人：積水化學工業股份有限公司 , SEKISUI CHEMICAL CO., LTD.
发明人：谷川滿 , TANIKAWA, MITSURU , 渡邊貴志 , WATANABE, TAKASHI , 上田倫久 , UEDA, MICHIHISA , 中村秀 , NAKAMURA, SHIGERU , 前中寬 , MAENAKA, HIROSHI , 高橋良輔 , TAKAHASHI, RYOSUKE , 井上孝德 , INOUE, TAKANORI , 藤田義人 , FUJITA, YOSHITO , 乾靖 , INUI, OSAMU
IPC分类号： C08J3/28 , H05K3/28
CPC分类号： C09D4/00 , B41J3/407 , B41J11/002 , C09D11/101 , C09D11/30 , C09D11/52 , H05K3/287 , H05K2203/013 , H05K2203/0577

9. 发明专利

TWI415142B 絕緣片材及積層結構體有权
简体标题：绝缘片材及积层结构体
公开(公告)号：TWI415142B
公开(公告)日：2013-11-11
申请号：TW098107155
申请日：2009-03-05
申请人：積水化學工業股份有限公司 , SEKISUI CHEMICAL CO., LTD.
发明人：前中寬 , MAENAKA, HIROSHI , 青山卓司 , AOYAMA, TAKUJI , 日下康成 , KUSAKA, YASUNARI , 樋口勳夫 , HIGUCHI, ISAO , 渡邊貴志 , WATANABE, TAKASHI , 高橋良輔 , TAKAHASHI, RYOUSUKE , 近藤峻右 , KONDOU, SYUNSUKE
IPC分类号： H01B5/14 , C09J5/00 , C09J7/00 , B32B15/092 , B32B7/12
CPC分类号： C08G59/245 , B32B15/08 , B32B27/38 , C08F220/14 , C08F220/32 , C08G65/18 , C08L63/00 , C08L71/00 , C08L2666/14 , C08L2666/22 , C09J163/00 , C09J171/00 , H01B3/427 , H05K1/056 , Y10T428/31515 , Y10T428/31522

10. 发明专利

TW201723071A 半導體裝置及半導體元件保護用材料审中-公开
简体标题：半导体设备及半导体组件保护用材料
公开(公告)号：TW201723071A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105126219
申请日：2016-08-17
申请人：積水化學工業股份有限公司 , SEKISUI CHEMICAL CO., LTD.
发明人：西村貴史 , NISHIMURA, TAKASHI , 前中寬 , MAENAKA, HIROSHI , 中村秀 , NAKAMURA, SHIGERU , 青山卓司 , AOYAMA, TAKUJI , 小林祐輔 , KOBAYASHI, YUUSUKE
IPC分类号： C08L63/00
CPC分类号： C08G59/18 , C08K3/00 , C08L63/00 , H01L23/29 , H01L23/31
摘要：本發明提供一種硬化物之散熱性優異、硬化物之孔隙較少、硬化物之絕緣可靠性優異且可良好地保護半導體元件之半導體裝置。本發明之半導體裝置具備半導體元件、及配置於上述半導體元件之第1表面上之硬化物，用以獲得上述硬化物之半導體元件保護用材料包含熱硬化性化合物、硬化劑或硬化觸媒、及導熱率為10 W/m・K以上之無機填料，且不含三聚物至十聚物之環狀矽氧烷化合物，或包含500 ppm以下之三聚物至十聚物之環狀矽氧烷化合物，上述硬化物中之上述無機填料之含量為60重量%以上、92重量%以下，上述硬化物之導電率為50 μS/cm以下。
简体摘要：本发明提供一种硬化物之散热性优异、硬化物之孔隙较少、硬化物之绝缘可靠性优异且可良好地保护半导体组件之半导体设备。本发明之半导体设备具备半导体组件、及配置于上述半导体组件之第1表面上之硬化物，用以获得上述硬化物之半导体组件保护用材料包含热硬化性化合物、硬化剂或硬化触媒、及导热率为10 W/m・K以上之无机填料，且不含三聚物至十聚物之环状硅氧烷化合物，或包含500 ppm以下之三聚物至十聚物之环状硅氧烷化合物，上述硬化物中之上述无机填料之含量为60重量%以上、92重量%以下，上述硬化物之导电率为50 μS/cm以下。

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