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1. 发明专利

TW202030779A 半導體裝置的製造方法及半導體晶圓加工用接著膜审中-公开
简体标题：半导体设备的制造方法及半导体晶圆加工用接着膜
公开(公告)号：TW202030779A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW108140625
申请日：2019-11-08
申请人：日商日立化成股份有限公司 , HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.
发明人：佐藤慎 , SATOU, MAKOTO , 茶花幸一 , CHABANA, KOICHI , 谷口徹弥 , TANIGUCHI, TETSUYA , 林出明子 , HAYASHIDE, AKIKO
IPC分类号： H01L21/28 , B32B7/10
摘要：一種半導體裝置的製造方法，具有：準備於其中一個主面具有多個電極的半導體晶圓，並將半導體晶圓加工用接著膜貼附於該半導體晶圓的設置有電極之側而獲得積層體的步驟，所述半導體晶圓加工用接著膜包括包含基材及黏著劑層的背面研磨帶、以及形成於黏著劑層上的接著劑層；對半導體晶圓進行研削而使半導體晶圓的厚度變薄的步驟；對厚度變薄的半導體晶圓及接著劑層進行切割而單片化為帶接著劑層的半導體晶片的步驟；以及將帶接著劑層的半導體晶片的電極與其他半導體晶片或配線電路基板的電極電性連接的步驟，其中背面研磨帶的厚度為75 μm～300 μm，黏著劑層的厚度為接著劑層的厚度的3倍以上。
简体摘要：一种半导体设备的制造方法，具有：准备于其中一个主面具有多个电极的半导体晶圆，并将半导体晶圆加工用接着膜贴附于该半导体晶圆的设置有电极之侧而获得积层体的步骤，所述半导体晶圆加工用接着膜包括包含基材及黏着剂层的背面研磨带、以及形成于黏着剂层上的接着剂层；对半导体晶圆进行研削而使半导体晶圆的厚度变薄的步骤；对厚度变薄的半导体晶圆及接着剂层进行切割而单片化为带接着剂层的半导体芯片的步骤；以及将带接着剂层的半导体芯片的电极与其他半导体芯片或配线电路基板的电极电性连接的步骤，其中背面研磨带的厚度为75 μm～300 μm，黏着剂层的厚度为接着剂层的厚度的3倍以上。

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