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1. 发明专利

TWI696729B 匯流排及其製造方法有权
简体标题：总线及其制造方法
公开(公告)号：TWI696729B
公开(公告)日：2020-06-21
申请号：TW105127608
申请日：2016-08-29
申请人：日商日本輕金屬股份有限公司 , NIPPON LIGHT METAL COMPANY, LTD.
发明人：西川洋介 , NISHIKAWA, YOSUKE , 清水小百合 , SHIMIZU, SAYURI , 角慎一郎 , SUMI, SHINICHIRO
IPC分类号： C25D5/02 , C25D7/06 , H01R13/03

2. 发明专利

TW201641749A 鋁製導電構件及其製造方法审中-公开
简体标题：铝制导电构件及其制造方法
公开(公告)号：TW201641749A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW104143871
申请日：2015-12-25
申请人：日本輕金屬股份有限公司 , NIPPON LIGHT METAL COMPANY, LTD.
发明人：西川洋介 , NISHIKAWA, YOSUKE , 鈴木健太 , SUZUKI, KENTA , 田口喜弘 , TAGUCHI, YOSHIHIRO , 清水小百合 , SHIMIZU, SAYURI
IPC分类号： C23C30/00 , H01B1/02 , H01B13/00 , B32B15/20
CPC分类号： B22D11/00 , B32B7/02 , B32B15/20 , C22C21/00 , C22F1/00 , C22F1/04 , C23C14/16 , C23G1/12 , C23G1/22 , H01B5/02 , H01B13/00 , H01M8/0202 , H01M8/10 , Y02P70/56
摘要：本發明之課題為，提供具有優良成本面的同時，備有高耐蝕性而具有優良長期信賴性之鋁製導電構件，及其製造方法。解決方法為，於由鋁或鋁合金所形成之鋁材的表面上形成導電膜所得之鋁製導電構件中，鋁材為，觀察表面時實質上不存在相當圓半徑0.1μm以上之該鋁材的第二相粒子，且具有表面之最大谷深Rv為0.1~1.5μm之成膜對象面，又，相對於該成膜對象面藉由乾式法形成厚0.1~2μm之乾式導電膜所得的鋁製導電構件。
简体摘要：本发明之课题为，提供具有优良成本面的同时，备有高耐蚀性而具有优良长期信赖性之铝制导电构件，及其制造方法。解决方法为，于由铝或铝合金所形成之铝材的表面上形成导电膜所得之铝制导电构件中，铝材为，观察表面时实质上不存在相当圆半径0.1μm以上之该铝材的第二相粒子，且具有表面之最大谷深Rv为0.1~1.5μm之成膜对象面，又，相对于该成膜对象面借由干式法形成厚0.1~2μm之干式导电膜所得的铝制导电构件。

3. 发明专利

TW201524049A 導電構件审中-公开
简体标题：导电构件
公开(公告)号：TW201524049A
公开(公告)日：2015-06-16
申请号：TW103118818
申请日：2014-05-29
申请人：日本輕金屬股份有限公司 , NIPPON LIGHT METAL COMPANY, LTD.
发明人：西川洋介 , NISHIKAWA, YOSUKE , 大久保学 , OKUBO, MANABU , 玉置雄一 , TAMAKI, YUICHI , 岩崎圭 , IWASAKI, KEI
IPC分类号： H01R4/58 , H01B5/02
CPC分类号： H01R4/62 , H01B1/02 , H01B5/02 , H01R3/08 , H01R4/304 , H01R13/03
摘要：提供一種導電構件，具備導電性及抗氧化性優良之接合部，即使與其他導電構件接合時的接觸面壓力低的情形下，仍能使接觸電阻保持低而穩定，且能簡便而迅速地與其他導電構件接合。一種導電構件，具備：金屬製的導電基材，具有於使用時與其他導電構件接合之接合區域；及導電性輔助塗布劑層，係在前述導電基材的接合區域塗布導電性輔助塗布劑而形成，於使用時對該接合區域與其他導電構件之間的接合部賦予導電性及抗氧化性；該導電構件，其特徵為：前述導電基材的前述接合區域的表面粗糙度，依JIS0601(1994)所規定之算術平均粗糙度Ra，係為0.6μm以下。
简体摘要：提供一种导电构件，具备导电性及抗氧化性优良之接合部，即使与其他导电构件接合时的接触面压力低的情形下，仍能使接触电阻保持低而稳定，且能简便而迅速地与其他导电构件接合。一种导电构件，具备：金属制的导电基材，具有于使用时与其他导电构件接合之接合区域；及导电性辅助涂布剂层，系在前述导电基材的接合区域涂布导电性辅助涂布剂而形成，于使用时对该接合区域与其他导电构件之间的接合部赋予导电性及抗氧化性；该导电构件，其特征为：前述导电基材的前述接合区域的表面粗糙度，依JIS0601(1994)所规定之算术平均粗糙度Ra，系为0.6μm以下。

4. 发明专利

TW201515313A 導電構件审中-公开
简体标题：导电构件
公开(公告)号：TW201515313A
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：TW103122273
申请日：2014-06-27
申请人：日本輕金屬股份有限公司 , NIPPON LIGHT METAL COMPANY, LTD.
发明人：西川洋介 , NISHIKAWA, YOSUKE , 太田篤史 , OOTA, ATSUSHI
IPC分类号： H01M8/02 , H01M4/86
CPC分类号： C22C5/04 , B32B15/01 , C22C19/03 , C23C18/1651 , C23C18/1844 , C23C18/34 , C23C18/36 , C23C18/42 , C23C28/023 , C23C28/025 , H01B1/02 , H01M8/0206
摘要：本發明之課題為提供一種成本性為優異之同時，接觸電阻為小，且耐腐蝕性優異可持續長期間信賴性良好使用的導電構件。解決課題之手段為一種導電構件，其係於金屬製基材的表面具備鍍Ni皮膜與鍍貴金屬皮膜的導電構件，其特徵為前述鍍Ni皮膜包含10質量%以上之磷(P)，又，前述鍍貴金屬皮膜包含選自於由Pd、Pt、Rh、Ir、Os及Ru所成之群之任一種以上之貴金屬的同時，為非晶質或微結晶質，且膜厚為20nm以上且未達200nm。
简体摘要：本发明之课题为提供一种成本性为优异之同时，接触电阻为小，且耐腐蚀性优异可持续长期间信赖性良好使用的导电构件。解决课题之手段为一种导电构件，其系于金属制基材的表面具备镀Ni皮膜与镀贵金属皮膜的导电构件，其特征为前述镀Ni皮膜包含10质量%以上之磷(P)，又，前述镀贵金属皮膜包含选自于由Pd、Pt、Rh、Ir、Os及Ru所成之群之任一种以上之贵金属的同时，为非晶质或微结晶质，且膜厚为20nm以上且未达200nm。

5. 发明专利

TW201716640A 導電構件及其製造方法审中-公开
简体标题：导电构件及其制造方法
公开(公告)号：TW201716640A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW105127608
申请日：2016-08-29
申请人：日本輕金屬股份有限公司 , NIPPON LIGHT METAL COMPANY, LTD.
发明人：西川洋介 , NISHIKAWA, YOSUKE , 清水小百合 , SHIMIZU, SAYURI , 角慎一郎 , SUMI, SHINICHIRO
IPC分类号： C25D5/02 , C25D7/06 , H01R13/03
CPC分类号： C25D3/12 , C25D5/16 , C25D7/00 , H01R13/03 , H01R43/16
摘要： [課題] 提供可抑制接觸電阻增大的導電構件，及其製造方法。 [解決方法] 藉由一種導電構件來解決上述課題，其特徵為：於設置於基材1上之接點部2的表面具有Ni鍍敷層3，且Ni鍍敷層3之表面之算術平均粗糙度Sa為20nm以上。Ni鍍敷層3之X射線繞射圖中之Ni(200)面之位置之峰的半值寬宜為0.6°以下，Ni鍍敷層3之壓入硬度HIT宜為5000N/mm2以下。
简体摘要： [课题] 提供可抑制接触电阻增大的导电构件，及其制造方法。 [解决方法] 借由一种导电构件来解决上述课题，其特征为：于设置于基材1上之接点部2的表面具有Ni镀敷层3，且Ni镀敷层3之表面之算术平均粗糙度Sa为20nm以上。Ni镀敷层3之X射线绕射图中之Ni(200)面之位置之峰的半值宽宜为0.6°以下，Ni镀敷层3之压入硬度HIT宜为5000N/mm2以下。

6. 发明专利

TW201347970A 鋁基材上之Ｓｎ粉末固著方法以及鋁導電構件审中-公开
简体标题：铝基材上之Ｓｎ粉末固着方法以及铝导电构件
公开(公告)号：TW201347970A
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW102110034
申请日：2013-03-21
申请人：日本輕金屬股份有限公司 , NIPPON LIGHT METAL COMPANY, LTD.
发明人：吉田諒 , YOSHIDA, RYO , 堀久司 , HORI, HISASHI , 西川洋介 , NISHIKAWA, YOSUKE , 吉元小百合 , YOSHIMOTO, SAYURI
IPC分类号： B32B15/01 , B32B15/20 , H01R13/03 , H01R43/16 , H01R4/62
CPC分类号： H01B1/023 , B05D1/12 , B05D3/12 , B05D7/14 , C23C24/04 , Y10T428/12063
摘要：為了提供一種Sn粉末固著方法，能藉由裝置成本低且生產性高之冷噴法在鋁基材的表面讓具有優異密合性以及熱循環性之Sn被膜層附著堆積；此外，為了提供藉由該方法所製造的鋁導電構件。一種鋁基材上之Sn粉末固著方法，是在鋁基材的表面，藉由冷噴法讓Sn粉末堆積固著而形成Sn被膜層的方法，以作動氣體溫度60℃以下、作動氣體壓力0.30MPa以上、以及噴槍噴嘴與前述鋁基材之間的噴霧間隔為5~30mm的噴吹條件，將前述Sn粉末朝鋁基材噴吹。
简体摘要：为了提供一种Sn粉末固着方法，能借由设备成本低且生产性高之冷喷法在铝基材的表面让具有优异密合性以及热循环性之Sn被膜层附着堆积；此外，为了提供借由该方法所制造的铝导电构件。一种铝基材上之Sn粉末固着方法，是在铝基材的表面，借由冷喷法让Sn粉末堆积固着而形成Sn被膜层的方法，以作动气体温度60℃以下、作动气体压力0.30MPa以上、以及喷枪喷嘴与前述铝基材之间的喷雾间隔为5~30mm的喷吹条件，将前述Sn粉末朝铝基材喷吹。

7. 发明专利

TWI621314B 導電構件有权
简体标题：导电构件
公开(公告)号：TWI621314B
公开(公告)日：2018-04-11
申请号：TW103118818
申请日：2014-05-29
申请人：日本輕金屬股份有限公司 , NIPPON LIGHT METAL COMPANY, LTD.
发明人：西川洋介 , NISHIKAWA, YOSUKE , 大久保学 , OKUBO, MANABU , 玉置雄一 , TAMAKI, YUICHI , 岩崎圭 , IWASAKI, KEI
IPC分类号： H01R4/58 , H01B5/02
CPC分类号： H01R4/62 , H01B1/02 , H01B5/02 , H01R3/08 , H01R4/304 , H01R13/03

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